机构名称：
¥ 1.0
是由此动机，引起了人们对新2D半导体进行光催化水分裂的关注。对于完全光催化的水分裂，2D半导体应具有合适的带边缘对准，以满足光催化水分裂的带结构需求，包括带隙大于1.23 eV，并相对于v h + vh + vh +较高的势值（vbm）和最小值（cbm），并导致距离较高（CBM）（CBM）。 v oh - /o 2 = - 5.67 eV）。7 - 10此外，要考虑pH值范围为0到14，2D半导体光催化剂的带隙应大于2.0 eV，以确保光催化水分的还原反应。11 - 14此外，足够大的过电势和强大的可见光光吸收对于确保足够的驱动能量和相对较高的太阳能转化效率也至关重要。基于上述，全面的2D
宽直接频段隙单层氮化碳CN2
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