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直流反应磁控共溅射沉积的钽-钛氮氧化物薄膜：机械、光学和电学特性
摘要：调整二元 Me 氮氧化物 (Me 1 Me 2 ON) 的元素组成和结构的可能性可以为多种应用带来有吸引力的特性。在这项工作中，钽-钛氮氧化物 (TaTiON) 薄膜通过直流反应磁控共溅射沉积，对基片支架施加 -50 V 偏压，基片温度恒定为 100 ◦ C。为了以受控方式增加或减少共溅射膜中的 Ti 和 Ta 含量，Ti 和 Ta 靶电流在 0.00 和 1.00 A 之间变化，步长为 0.25 A，同时保持施加到两个靶上的电流总和为 1.00 A。反应气体流量由具有恒定 N 2 /O 2 比率 (85%/15%) 的氮气和氧气混合物组成，也保持恒定。单金属氮氧化物（TaON 和 TiON）结晶度较低，而所有其他共溅射膜则基本呈非晶态。这两种膜还表现出对金属基材的更高附着力。TaON 膜的硬度值最高（14.8 GPa），TiON 膜的硬度值低得多（8.8 GPa），而共溅射涂层的硬度值介于两者之间。最有趣的发现之一是，当 Ti 浓度超过 Ta 浓度时，O 含量显著增加。这不仅显著影响了膜的光学特性，还影响了其电性能。共溅射膜的薄层电阻率在很大程度上取决于 O/(Ta + Ti) 原子比。
氧化物/氮化物界面的室温铁磁性
Wensheng Yan 5 , Tao Zhu 1,4,12 , Lin Gu 1,2,12 , Scott A. Chambers 6 , Sujit Das 13 , Gang-Qin Liu 1,2,12 ,
人类数字双胞胎（HDT）驱动的人类周期系统：关键技术和应用氮化硅离子敏感场效应晶体管
营养不良，肝病，肾病，休克，水肿和心血管疾病。相比之下，可以在脱水中发现高水平的白蛋白（高蛋白血症，> 55 g/L），体重或体内脂肪的增加。3在健康人的尿液中排泄少量白蛋白，尿液中白蛋白的参考范围为2.2-25 mg/l。4,5但是，当由于糖尿病或肾脏损伤而变得更可渗透时，可能会发生升高的尿白蛋白排泄。1,6严重的肾小球滤过机制可以增加以增加尿白蛋白排泄，该尿白蛋白排泄称为微藻或大藻蛋白尿，具体取决于丢失的白蛋白量。5,6微量白蛋白尿是指从24小时的尿液中收集24 h尿液或30-300 mg/l的尿白蛋白排泄，从随机或先生的尿液收集中。4这种白蛋白显示出最早的糖尿病性肾病阶段。然而，在没有早期检测和治疗的患者中，微量白蛋白尿可能会在一年中的一年中发展到不可逆的大藻（4300 mg/day）。因此，在非糖尿病患者中有慢性肾脏疾病和心血管疾病的人的肾脏损害的早期迹象。6已提出许多方法来确定尿液中的白蛋白量，例如酶联免疫吸附测定法（ELISA），7种荧光，8,9 Immunotortytimetry（IT），10,111111111111 IN）免疫法（IN），12个padimimmunoas- Say（RIA），RIA），13和CHEMIA，13和CHEMIA（CLIA），13和CHEMIA（CLIA）。14,15尽管这些方法是高灵敏度和特异性，但它们存在一些局限性，例如健康危害，耗时，劳动力密集的协议以及需要经验丰富的技术人员。因此，已经开发了几种传感器方法作为一种简单的方法来确定HSA的量，例如石英晶体微生体（QCM），16,17电化学传感器，18-20
二叔丁基硅烷的低压化学气相沉积氮化硅薄膜
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高Q硅氮气鼓谐振器强烈耦合到...
图1：（a）横向设备结构的示意图，（b）悬挂式sin鼓的SEM图像，上面覆盖了25 nm al薄纤维。为了最大程度地减少金属对阻尼的贡献，在大多数夹紧区域中都不存在。16该薄片通过两个矩形Al电极与外部电极连接。（c）最终设备结构的SEM图像，其中Al/sin电容偶联具有悬浮的顶门，以及（d）测量设置的示意图，其中PCB部分上的微波腔以焦糖颜色标记。微波炉通过连接到其悬浮的顶门的粘合线与sin鼓（紫色）耦合。用Al薄片覆盖的Sin鼓通过粘结线连接到两个微带传输线。一个用于驱动机械谐振器，另一个用于通过微波反射方案17检测机械运动。更多详细信息显示在支持信息（SI：纳米化，微波炉重新射击的设置和建模）中。
基于超宽带隙氮化铝平台的下一代电子产品
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氢含量对氮化硅薄膜介电强度的影响
为了制备高击穿电压薄膜，对高击穿电压材料有许多要求，[5，12]例如，介电常数要尽可能大，介电材料在硅衬底上必须是热力学稳定的。[6，8，13]目前对击穿强度的研究工作都是在PECVD/LPCVD上进行的，[10，14]但本实验采用ICP-CVD模型制备氮化硅薄膜，可以提供更多的能量，促进反应气体的分解，制备出击穿强度更大的薄膜。氮化硅薄膜中的氢含量对薄膜的击穿强度影响很大。[15]在薄膜的成分中，Si-H键在薄膜的组成中起着基础性的作用，随着薄膜中氢含量的变化，薄膜的电学性质将发生变化。 [6,16,17]当薄膜中氢含量较高时，硅的悬挂键会被H填充，会增加薄膜的稳定性，提高击穿强度。[18]但关于H含量与薄膜击穿电压的关系，在ICP-CVD机上进行的实验很少，结论也不完善，因此本实验采用ICP-CVD机进行薄膜沉积。[19,20]
六方氮化硼在光子芯片上的直接生长可用于高通量表征
采用光学显微镜方法对二维 (2D) 材料中的缺陷进行纳米级表征是光子片上器件的关键步骤。为了提高分析吞吐量，最近开发了基于波导的片上成像平台。然而，它们固有的缺点是必须将 2D 材料从生长基底转移到成像芯片，这会引入污染，可能会改变表征结果。在这里，我们提出了一种独特的方法来规避这些不足，即直接在氮化硅芯片上生长一种广泛使用的 2D 材料（六方氮化硼，hBN），并对完整的原生材料中的缺陷进行光学表征。我们将直接生长方法与标准湿转移法进行了比较，并证实了直接生长的明显优势。虽然在当前工作中用 hBN 进行了演示，但该方法很容易扩展到其他 2D 材料。
六方氮化硼封装的单层 WS2 中的电子迁移率
我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触，我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs)，在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性，与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下，由于杂质和长程库仑散射，迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致，表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
非线性光学元件的超低氮化硅波导
区域，从而增强了光学强度。然而，如此高的光学结构增加了纳米级不均匀性引起的散射损失的敏感性。氮化硅是一种介电材料，具有相对较大的非线性指数系数和一个从紫外线到中红外的宽带透明度窗口。其折射率与二氧化硅形成鲜明对比允许高分并控制波导几何形状的分散体。在过去几年中，这个材料平台作为依赖KERR效应的非线性光学应用程序的主力，从微型BOMB的生成到副标。在本文工作中，我们专注于开发高级制造技术，以实现氮化硅波导的实现。仪表长的高填充波导据报道，有1.4 db/m的阶段损失创纪录的低损失和分散工程的mi- croResonators，质量为1900万。基于这项技术，我们证明了带有光电检测的重复速率的八度跨度相干微膜和小鳄鱼的设备面积小于1毫米2，即比艺术的状态小的数量级。高产量和超损坏Si 3 N 4波导也使我们在整合波导中的第一次连续波参数放大器也可以实现，当以相位敏感的模式运行时，表现出9.5 dB的增益为9.5 dB，噪声效率为1.2 db。