稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间,作为激光源[1]和带有眼镜[2,3]或聚合物[4]的波导放大器。最近,它们被整合到互补的金属氧化物半导体(CMOS)驱动或兼容的SI光子芯片中,作为激光源[5],放大器[6,7]以及调节剂[8,9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性,该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11,12]。然而,需要在硅平台上的有效掺入(例如粘结[13],掩盖沉积[5,14],额外的层[15]或蚀刻[16,17],需要复杂的处理,这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况,它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中,我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计,而无需使用升降加工与脉冲激光沉积(PLD)结合使用。在通过掩模(例如g。photoresist)的升降过程中,通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构,但在升降过程中,将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易,避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力,但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案(例如金属)或较厚层的微电子中常规的,具有低温沉积(如溅射)[21],原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确,如果底物温度高于200°C(即光固定剂的硬烘烤温度),则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
通过等效电路模型对电池进行建模需要确定其参数。可以通过利用电池对当前脉冲的瞬态响应来完成此确定性(通常称为GitT:Galvanostatic的间歇性滴定技术)。一种经典的方法是首先将开路电压(OCV)和过压分开,然后从后者中提取模型参数。然而,OCV的估计很困难,这可能会导致过电压的错误,尤其是对于诸如Di ti ti ti的缓慢动力学时。我们在这里提出了一种在GITT期间估算OCV的方法,以及一种估算过电压的方法,该方法允许提取与缓慢动力学相关的参数。将提出方法带来的结果与更经典的方法进行了比较。doi:https://doi.org/10.1016/j.est.2022.106199
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺,如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻,由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解,因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别,以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中,我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示,占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中,我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少,2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理,其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和(较少量)氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层,也称为反应蚀刻层 (REL),其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多,它们可以更深地渗透到硅层中,然后硅原子可以因碰撞而解吸,或可以融入挥发性物质,如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强,13 但硅蚀刻并不
储层计算是一种植根于经常性神经网络的时间序列处理的监督机器学习方法[1,2]。受到大脑机制的启发,许多相互连接的人工神经元过程输入输入并显示内部记忆。反复的神经网络随后适合于语音识别等时间任务[3,4],但以难以训练的代价。网络的所有权重需要在时间[5]中使用反向传播进行训练,这是一种耗时的,并非总是在融合[6]。不同,在储层计算(RC)中,仅训练输出层的权重以处理信息[7,8]。这些结构是由三个元素组成的:将数据注入系统中的输入层,由随机连接的大量神经元(或节点)组成的储层,以及一个外部(或读取)层以从储层中提取信息。在储层上的某些条件下,用简单的线性回归训练输出层就足够了[1,8]。在本文中,我们使用单个非线性节点(如[9]中)提供了储层协议的设计。尽管最近的作品已通过光学频率梳子的频率组件成功实现了储层和神经形态的组合[10-12],但我们在这里利用了时间特征,即脉冲基础,光频率梳子作为储层的节点。此外,使用相干性同伴检测,因此可以在场的相分量中编码信息,而不是其强度或弹性。我们表明,尽管有少量的节点和低可线性的节点,但我们的协议具有良好的性能,同时显示非线性记忆和预测可供使。我们的系统建立在可以使用光脉冲来构建尖峰储层的概念上[13,14],并且信息注入的相位编码可以在光子储层计算机中获得更好的性能[15,16]。基于光学的计算[17]可能能够给予对电子设备的速度或能源效率。
摘要 — 本文介绍了用于 Ka 波段单脉冲雷达跟踪的调制超表面天线的设计、制造和测试。天线由圆形、薄接地介电层组成,该介电层由形状和大小经过调制的金属贴片纹理印刷而成。贴片层可以建模为空间可变的电容阻抗片,它与接地平板贡献一起提供整体调制电感边界条件。天线孔径被分成四个相同的角象限,每个角象限在由单个单极子发射器激发时都会辐射独立的宽边波束。四个发射器中的每一个都会激发 TM 圆柱形表面波 (SW),该波被超表面逐渐转换为漏波 (LW)。通过适当设计超表面调制,4 个子孔径被虚拟分开。为此,校准了 LW 衰减常数以充分释放每个单独的 SW,从而防止相邻区域之间的相互作用。因此,印刷结构不受任何物理分离的限制,而仅受等效边界条件的连续变化的限制。通过将源激励与简单的相位方案相结合,可获得单脉冲型线性偏振光束。值得注意的是,该解决方案不会影响结构的整体轻便性、低轮廓、馈源简单性和低制造成本,这相对于更传统的基于波导的解决方案具有固有优势。
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来,为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束,这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸,我们可以获得半导体内部的优化条件,从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术,我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似,但我们表明,重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变,从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此,这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平,并且是一种新颖的冲击写入模式,可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构,而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化,通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门,而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
新加坡国立大学 (NUS) 的研究人员发现,非侵入性磁脉冲可增强乳腺癌化疗的有效性,并可能减少患者的副作用。对癌细胞使用短暂的靶向磁脉冲可增加其对广泛使用的化疗药物阿霉素的吸收。新加坡国立大学健康创新与技术研究所首席研究员副教授 Alfredo Franco-Obregon 表示,随着更多药物进入肿瘤并使其缩小,留在体内循环中攻击健康细胞的药物就会减少,从而减少化疗常常导致的副作用。在实验室中接受 10 分钟的磁场照射也会将化疗药物的浓度降低一半。 “令人鼓舞的是,这种机制在低药物浓度下效果最强,使我们能够更有效地靶向癌细胞,同时减少化疗对健康组织的负担,”Franco-Obregon 教授说。虽然这种方法已经在实验室中得到证实,但新加坡国立大学癌症研究所的助理教授 Joline Lim(也是研究团队的一员)希望进行更多临床研究,以确定这些方法是否
心房颤动 (AF) 是最常见的心脏病之一。预计未来几十年 AF 的患病率将翻一番 [1]。导管消融对有症状的复发性阵发性或持续性 AF 患者有益 [2]。由于需求的增长和技术的发展,手术的数量正在增加。脉冲场消融 (PFA) 是最近推出的最新导管消融方法之一,尽管它有许多优点,但也有缺点,例如 X 射线暴露量较高。一名有阵发性 AF 病史的 63 岁女性在深度镇静下接受了肺静脉隔离,同时使用 FARAPULSE™ PFA 系统和 EnSite Precision™ 进行肺静脉隔离。在手术过程中,进行了单次房间隔穿刺,随后进行了旋转血管造影。该地图是在操纵集成到 EnSite 系统中的 FARAPULSE 导管时获得的。使用篮形导管对每根肺静脉进行四次应用,使用花形导管进行另外四次应用。治疗静脉之间的其他病变。隔离所有静脉后,进行重新封堵以确认入口阻滞(图 1)。用填塞物确认出口阻滞。手术没有并发症,患者第二天出院回家。所述病例是波兰第一例使用专用于 FARAPULSE 系统的特定附加 EnSite 软件的病例。这种新颖的方法能够识别消融的确切位置,并通过执行电解剖图来更好地确认入口阻滞
研究了激光波长对原子探针断层扫描(APT)中元素组成分析中精度的影响。系统比较了三种不同的商业原子探针系统 - LEAP 3000 x HR,LEAP 5000 XR和LEAP 6000 XR-用于研究较短激光波长的锡模型涂层,尤其是在深紫外线(DUV)范围内,对蒸发行为的影响。发现的结果表明,较短波长的使用提高了元素组成的准确性,而主潮具有相似的电场强度。因此,热效应减少,进而提高质量分辨能力。这项研究的一个重要方面包括估计不同工具的能量密度比。波长的降低伴随着由于激光斑点尺寸较小而导致的能量密度增加。此外,还研究了检测器技术的进步。最后,确定探测器的死时间,并评估了死区,以调查具有LEAP 6000 XR的氮化物测量中的离子堆积行为。
