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量子比特状态读出的相干控制 - Campbell Group
摘要 锁模激光器发出的短脉冲可以产生无背景的原子荧光，因为它允许瞬时偶发散射与随后的原子发射在时间上分离。我们利用这一点将光频和电子搁置离子阱量子比特的量子态检测提高了两个数量级以上。然而，对于原子超精细结构上定义的量子比特的直接检测，短脉冲的大带宽大于超精细分裂，并且重复激发不是量子比特状态选择性的。在这里，我们表明，通过将相干控制技术应用于被查询离子的轨道价电子，可以恢复超精细量子比特的投影量子测量所需的状态分辨率。我们展示了电子波包干涉，即使在存在大量背景激光散射的情况下，也可以使用宽带脉冲读出原始量子比特状态。
适合太空应用的低功耗 SiPM 读出 BETA ASIC
摘要 BETA 专用集成电路 (ASIC) 是一种完全可编程的芯片，旨在放大、整形和数字化多达 64 个硅光电倍增管 (SiPM) 通道的信号，功耗约为 ∼ 1 mW/通道。由于其双路增益，BETA 芯片能够解析信噪比 (SNR) >5 的单个光电子 (phes)，同时实现 ∼ 4000 phes 的动态范围。因此，BETA 可以为太空任务和其他应用中的最大速率低于 10 kHz 的 SiPM 读出提供经济高效的解决方案。在本研究中，我们描述了 BETA ASIC 的主要特性，并对其 16 通道版本的性能进行了评估，该版本采用 130 nm 技术实现。ASIC 还包含两个鉴别器，可以提供触发信号，对于 10 phes，时间抖动低至 400 ps FWHM。对于高达 15 位的动态范围，电荷增益测量的线性误差小于 2%。
具有相干相位读出的高性能双峰瞬变场传感器
摘要 — 通过比较穿过传感臂和参考臂的光信号，干涉光子传感器使用简单的单波长激光源实现了显著的灵敏度和检测限。原则上，通过比较穿过单个传感波导的两种模式的传播，基于双模波导的传感器可以在不需要参考臂的情况下提供相同的优势。然而，双模传感器的典型实现面临两个挑战：(i) 传感器输入和输出处的突变模式激发和重组效率低下、功率不平衡且产生可能掩盖小传感信号的杂散反射，(ii) 输出信号的正弦性质可能导致读出模糊。这里我们提出了一种螺旋状双模折射率传感器，它具有全模式转换、多路复用和解复用以及相干相位检测，可提供具有紧凑而稳健布局的明确线性相位读出。我们的传感器设计为1550 nm 中心波长，在氮化硅平台上制造，并通过体传感实验验证，检测限达到 1. 67 · 10 −7 RIU。
贡献报告-Indico Global
• Front End Preamplifiers, A/D conversion and data processing/readout in small FE card • TDlink : single optical ring connection for synchronization, readout and slow control • Data Concentrator: provides global synch, trigger logic, event data building and storage • Easy scalable and deployable: 8192 channels per Data Concentrator
可重构双极量子点的色散读数纳米线
我们在使用定制的互补金属 - 氧化物 - 氧化流程过程制造的绝缘子纳米线上，在硅中报告了双极栅极绘制的量子点。双极性是通过将栅极延伸到固有的硅通道上的高度掺杂的N型和P型末端来实现的。我们利用能够向硅通道提供双极载体储层的能力，以证明使用相同的电极来重新定义，并用相同的电极，带有孔或电子的双量子点。我们使用基于栅极的反射测量法来感知电子和孔双量子点的点间电荷过渡（IDT），从而实现了电子（孔）的最小整合时间为160（100）L s。我们的结果提供了将电子旋转与硅中电孔旋转的长相干时间相结合的机会。
辐射硬化的RADFET读数系统的设计
摘要 - 在辐射环境（例如空间）中，吸收剂量和剂量率的测量是一项常见的任务。这是用称为辐射剂量计的专用仪器来完成的。在空间任务中最常用的辐射剂量计中是基于辐射敏感的场效应晶体管（RADFET）的。 在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。 在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。 使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。。在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。
查看/开放 - refubium -FreieUniversität柏林
i ˆγi。基本要求是，涉及量子点电荷以及感兴趣的主要产物（保守的量子点）的局部奇偶校验ˆπ，并且合并平等的两个特征空间ˆπ产生了可区分的测量信号。我们发现量子读数可能必须依靠测量量子点接触电流的噪声相关性。平均电流仅针对细胞的参数或在存在松弛过程的情况下瞬时编码Qubit读数。我们还讨论了相应的测量时间和分解时间，并考虑了对测量方案有害的残留主要杂交杂交等过程。最后，我们强调的是，基本机制（我们称为对称性保护的读数）是相当一般的，对Majorana和非Majorana系统具有进一步的影响。
