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光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
叶绿素作为分子半导体
叶绿素 (Chl) 的通用名称是一类环状四吡咯，是自然界中最丰富的色素，甚至从外太空也能看到。这种色素在光合作用中起着关键作用。光合作用是一种代谢过程，通过将二氧化碳固定为碳水化合物，将与太阳辐射相关的能量转化为化学能，为整个生物圈提供能量。[1] 叶绿素参与光合作用的三大反应，即 i) 吸收光辐射，充当光收集复合体中的天线，ii) 将激发能转移到所谓的反应中心蛋白，iii) 完成光合膜上的光诱导初级电荷分离。真核生物和细菌中都有光合生物，它们的光合器官差异很大（图 1）。[2]
和宽带半导体的纳米技术
氮化盐和相关的宽带半导体（WBS）近年来一直受到广泛关注。其背后的主要原因是半导体的几个相关的高功率/高频材料参数，例如高分解场和低内在载流子浓度，具有带隙的比例。基于WBS的半导体设备允许在极端条件下运行，例如高温和电场。从IR到深色紫外线的各种波长，使带隙工程以及出色的电子传输特性使氮化物也使电子和光电设备具有吸引力。今天，基于氮化物的设备被广泛用于高性能雷达（主要是3D AESA），电信（LTE-A，5G），电力电子系统，发光二极管和激光器。尽管在过去的二十年中取得了长足的进步，但所有这些设备仍然是发挥其全部潜力的激烈研究的主题[1-4]。在本期特刊中，发表了八篇论文，涵盖了宽带隙半导体设备技术的各个方面，从底物到epi-Egrowth和epi-Growth和emaking topor掺杂，再到HEMTS的新型过程模块，垂直整合的LED和激光二极管，以及基于NWS的纳米固醇。K. Grabianska等。报道了波兰Unipress的最新批量GAN技术进展[5]。已经对两个过程进行了彻底研究，即基本的氨热生长和卤化物蒸气期的外观以及它们的优势，缺点和详细讨论的前景。M. Stepniak等。 [8]。M. Stepniak等。[8]。作者假设在几年内高质量2英寸。真正的散装gan底物将大量提供，但如今，质量制造的主要方法将是HVPE，将AM-GAN晶体作为种子。[6]研究了GAN和Algan/Gan/Gan Hetereostrustures的选择性区域金属有机蒸气（SA-MOVPE）的过程，该过程旨在使用自下而上的建筑进行HEMT技术。获得了出色的生长均匀性，适当的结构预科，并获得了组成梯度的精确控制。讨论了SA-MOVPE过程在使基于GAN的3D纳米和微结构中用于电声，机电和集成的光学设备和系统的应用。K. Sierakowski等。[7]报道了高压在高温下植入后植入后退火的报道。讨论了该过程的热力学，并在两个方面研究了其GAN加工的应用。首先专注于GAN：mg用于P型掺杂，第二位于GAN上：被视为分析掺杂剂扩散机制的案例研究。为了防止gan表面分解，研究了退火过程的不同构造。mg激活超过70％，与与掺杂的gan相似的电性能一起达到了70％。Algan/GAN金属 - 胰蛋白酶高导体高电动晶体管（MISHEMT），其具有低温同育（LTE）生长的单晶ALN GATE介电介质。闸后退火效应
宽带隙半导体
我们的军事系统严重依赖其内部的微系统。几十年来，DARPA 一直致力于研究，以提高这些技术的性能。这有助于工程师提供越来越多的紧凑型设备和便携式平台，以支持国防训练和行动。随着军事能力的发展，对这些微电子器件的要求也在不断提高——从以更高的频率运行到在单个芯片上集成数十亿个晶体管。在过去的二十年里，特别是过去两年的电子复兴计划，DARPA 在电子研发方面投入了大量资金，以发现能够实现更高性能和功能的新材料和设计。硅长期以来一直是微电子器件的标准半导体材料，现在仍然是大量商业和国防应用的标准材料。然而，硅可以提供多少性能的理论极限——特别是对于以更高功率和频率运行的系统——在实践中正在达到。这一长期存在的现实检验推动了对替代半导体技术的探索。
半导体中的电子和空穴
本章的标题和许多思想都来自一本开创性的著作，即威廉·肖克利的《半导体中的电子和空穴》[1]，该书出版于 1950 年，即晶体管发明两年后。1956 年，肖克利与布拉顿和巴丁共同因发明晶体管而获得诺贝尔物理学奖（图 1-1）。多年来，人们发现本章和下一章中介绍的材料对于深入了解各种半导体器件非常有用且必不可少。掌握这里介绍的术语、概念和模型将使您不仅能够理解当今存在的许多半导体器件，而且还能理解未来将发明的更多半导体器件。它还将使您能够与半导体器件领域的其他人进行知识交流。
半导体和先进材料
半导体市场 全球半导体市场有望大幅扩张，预计将从 2024 年的 6230 亿美元增长到 2035 年的 10740 亿美元，年复合增长率高达 5.08%。半导体在消费电子、汽车、电信和航空航天等每一项现代技术进步中无处不在，因此值得注意的是它们在我们日常生活中占据的重要性。由智能计算机和联网设备推动的工业 4.0 的兴起正在彻底改变制造业和生产，进一步推动对先进半导体技术的需求。截至 2024 年 7 月，全球半导体集团销售额达到 513 亿美元，比 2023 年 7 月同期增长 18.7%，这是销售额连续第四个月增长。美洲地区领先，销售额同比增长 40.1%，而中国和亚太地区也显示出显着增长。销售热潮是指对电子产品、数据中心芯片和集成电路的需求增长。尽管欧洲和日本的市场呈下降趋势，但随着人工智能、物联网和汽车技术的进步，全球市场正从疫情相关的衰退中良好反弹。半导体通常被称为现代电子产品的支柱。这些元素在从智能手机和计算机到先进的汽车系统等各种设备中发挥着重要作用。制造商面临的挑战是要求进一步开发技术，使用越来越小、更高效的芯片和更多的晶体管。人工智能和通信都继续依赖微处理器的进步，导致半导体增长速度更快。随着全球对更智能、更快速设备的需求不断增长，半导体行业将在塑造未来方面发挥更加关键的作用。该行业也是关键的就业驱动力，仅在美国就有超过 25 万名工人就业，支持超过一百万个工作岗位。半导体行业的上升轨迹凸显了其在推动未来技术发展方面的核心地位。
半导体和微电子标准
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动，并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织，确定了五个重点领域和优先事项，并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动，包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。