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焦虑，抑郁和TMD：多学科疗法
引言颞下颌疾病（TMD）会影响下颌和肌肉，通常与压力，焦虑和睡眠问题有关。综合护理解决身体和心理因素可改善结果。目的本研究提出了一种多学科方法（心理学家，牙医和物理治疗师），以通过非药理学技术治疗这些疾病，旨在进行更有效和个性化的治疗。方法该研究是在巴西圣保罗的SacomãBasic Health部门进行的，并在1个月内包括12名医疗保健专业人员，并在有效干预措施中作为对照组6例。干预措施包括四个每周一次的一小时课程和通过WhatsApp发送的家庭疗法，利用伸展运动，正念，热疗，自我弥补和认知行为疗法。参与者完成了有关抑郁症（PHQ-9），焦虑（GAD-7），磨牙症（OBC）和疼痛（GCPS和疼痛绘制）的抑郁症（PHQ-9）（PHQ-9）（PHQ-9）的调查表。结果导致PHQ-9（P = 0.028），GAD-7（P = 0.039），OBC（P = 0.015）和PD（P = 0.016）尺度的干预措施显着降低。此外，疼痛减少和参与者生活质量的改善。结论尽管有样本限制，但数据表明多学科干预措施可以有效地管理TMD，从而减少疼痛和相关症状。该方法显示出有可能改善患者生活质量的潜力，强调了综合和个性化治疗的重要性。对较大样本和扩展随访的未来研究对于验证这些发现并扩大干预措施的适用性是必要的。
德克萨斯州军事部 (TMD) 网络能力
2020 年 3 月 23 日 — 网络安全问题。TX 网络安全委员会成员。-DIR/供应商高层协调。（季度）。- 待定席位（提名待定）。州网络事件...
Ing. Marián Varga 博士。题目：TMD/金刚石异质结构
该项目旨在对以过渡金属二硫属化物 (TMD) 和金刚石材料为代表的二维和三维异质结构进行全面的实验研究。其主要重点是两种不同配置的 TMD/金刚石异质结构的制造和表征，即金刚石上的 TMD 和 TMD 上的金刚石。将通过各种传统和先进的分析技术来表征形态、化学和光电特性以及物理过程。结果将用于从根本上理解所制备的 TMD/金刚石异质结构的生长机制、相互作用和特性。同时，将制造选定的 TMD/TMD 异质结构，以将其生长机制和特性与 TMD/金刚石异质结构进行比较。此外，还将研究通过内部（掺杂、诱导应力、局部缺陷）和外部（电场和磁场、压力和光激发）调制定制的 TMD/金刚石异质结构特性。预计在 TMD/金刚石界面和本体处，可以控制诸如金属与半导体的转变现象、带隙排列、费米能级偏移或发光等效应。
告诉我期望什么：指令如何影响转介患者的慢性肌筋膜疼痛的疼痛反应
摘要该研究的目的是分析疼痛的影响，没有疼痛对生理学（肌电图（EMG）和知性计）的影响以及认知（数值评级量表（NRS））对疼痛的反应。痛苦的预期和没有痛苦期望的情况。通过在2组样本中用载体触诊kasseter进行疼痛的诱导：30例健康参与者（对照组）和30例患者（颞下颌疾病（TMD）组）慢性肌膜疼痛，并在s术中转诊为慢性肌部疼痛（肌肉表中的肌肉肌肉诊断标准（临时次生肌次数诊断）（DC/TMDMD））。使用混合设计，所有参与者在同一会议中都暴露于疼痛，没有疼痛状况，但是演讲的顺序是在参与者之间平衡的，以控制其可能的影响。相对于两组的无疼痛预期条件，在疼痛期望中观察到了明显较大的瞳孔直径。与对照组相比，TMD组的EMG活性和焦虑，躯体化，灾难性和中心敏化的分数较大。在NRS中，TMD组的得分也明显高于对照组。 与无疼痛预期条件相比，TMD组在预期条件下的NRS得分相似，而对照组的疼痛期望得分较高，而不是疼痛预期。 疼痛预期调节对照中的疼痛认知疼痛评估和瞳孔直径。在NRS中，TMD组的得分也明显高于对照组。与无疼痛预期条件相比，TMD组在预期条件下的NRS得分相似，而对照组的疼痛期望得分较高，而不是疼痛预期。疼痛预期调节对照中的疼痛认知疼痛评估和瞳孔直径。与对照组相比，TMD组的认知疼痛评估发生了变化，尤其是在无疼痛期望状况下，这可能是由于观察到的灾难性水平所指出的那样，这可能是由于过去经历的疼痛重新评估所致。与对照组相比，TMD组在TMD组中发现EMG活性明显更高的EMG活性并不影响EMG。
调谐质量阻尼器系统 - 普渡大学工程学院
调谐质量阻尼器 (TMD) 是一种由质量块、弹簧和阻尼器组成的装置，它附在结构上，用于降低结构的动态响应。阻尼器的频率被调整到特定的结构频率，这样当该频率被激发时，阻尼器将与结构运动产生异相共振。能量由作用于结构的阻尼器惯性力耗散。TMD 概念最早由 Frahm 于 1909 年应用 (Frahm, 1909)，以减少船舶的横摇运动以及船体振动。Ormondroyd 和 Den Hartog (1928) 在论文中提出了 TMD 理论，随后 Den Hartog 在其关于机械振动的书中 (1940) 详细讨论了最佳调谐和阻尼参数。初始理论适用于受到正弦力激励的无阻尼 SDOF 系统。许多研究人员研究了将该理论扩展到阻尼 SDOF 系统。Randall 等人做出了重大贡献。(1981)、Warburton (1981, 1982)、Warburton 和 Ayorinde (1980) 以及 Tsai 和 Lin (1993)。本章首先介绍 TMD 设计的介绍性示例，并简要描述了建筑结构中调谐质量阻尼器的一些实现。接下来讨论受到谐波力激励和谐波地面运动的 SDOF 系统的调谐质量阻尼器的严格理论。考虑了各种情况，包括连接到无阻尼 SDOF 系统的无阻尼 TMD、连接到无阻尼 SDOF 系统的阻尼 TMD 以及连接到阻尼 SDOF 系统的阻尼 TMD。时间历史响应
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
环境废物管理计划 (EWMP)
#4700.01)。副官长发布了一项环境声明指令，要求所有 TMD 组织持续改善环境绩效、防止污染、遵守环境法以及维护和管理我们的环境。这些承诺将有助于开发和维护运营流程和实践，以优化训练场地和 TMD 满足当前和未来国防需求的任务准备要求的能力。为了执行 TAG 的环境声明指令，TMD 实施了环境管理系统 (EMS)，该系统基于国际标准化组织 (ISO) 14001 标准规定的国际标准并符合陆军条例 (AR) 200-1。该管理系统旨在帮助组织最大限度地减少其运营和流程对环境的负面影响。（附录 A：德克萨斯州军事部环境声明指令）。
芘包覆过渡金属二硫化物以防止光氧化和环境老化
摘要：过渡金属二硫化物 (TMD) 的环境降解是一系列应用中的一个关键绊脚石。我们展示了一种简单的一锅非共价芘涂层工艺，可保护 TMD 免受光诱导氧化和环境老化。芘以非共价方式固定在剥离的 MoS 2 和 WS 2 的基面上。通过电子吸收和荧光发射光谱评估 TMD / 芘的光学特性。高分辨率扫描透射电子显微镜结合电子能量损失光谱证实了广泛的芘表面覆盖，密度泛函理论计算表明 TMD 表面上有约 2-3 层的强结合稳定平行堆叠芘覆盖。在环境条件下以 0.9 mW / 4 µ m 2 照射时，对剥离的 TMD 进行拉曼光谱分析，结果显示由于 Mo 和 W 的氧化状态而产生新的强拉曼谱带。但值得注意的是，在相同的暴露条件下，TMD / 芘保持不受影响。目前的发现表明，在 MoS 2 和 WS 2 上物理吸附的芘可充当环境屏障，防止 TMD 中由水分、空气和激光照射催化的氧化表面反应。拉曼光谱证实，在环境条件下储存两年的混合材料在结构上保持不变，证实了芘不仅可以阻止氧化，还可以抑制老化，具有有益作用。
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。