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底物诱导的大面积单层MOS 2 Ashish Soni 1,2，Nagendra S. Kamath 1,2，Yun-Yang Shen 3，
二维（2D）过渡金属二分法（TMD）的内在特性受其界面条件的深刻影响。工程TMD/底物接口对于在设备应用中利用2D TMD的唯一光电特性至关重要。这项研究深入研究了单层（ML）MOS 2的瞬态光学特性如何受底物和膜制备过程的影响，特别是集中在光激发载体的产生和重组途径上。我们的实验和理论分析表明，转移过程中诱导的应变和缺陷在塑造这些光学特性中起关键作用。通过飞秒瞬态吸收测量值，我们发现了ML MOS 2中载体捕获过程的底物改变的影响。此外，我们研究了激子 - 外激体歼灭（EEA），表明EEA速率随不同的底物而变化，并且在低温（77 K）时会显着降低。这项研究为通过战略接口工程定制TMD的光电特性铺平了道路，有可能导致创建高效的电子设备，例如光电记忆，光发射二极管和光电探测器。
Vaneck中国新经济ETF（ASX：CNEW）
Vaneck Investments Limited（ACN 146 596 116 AFSL 416755）（Vaneck）是ASX上列出的所有Vaneck Exchange Trades Funds（Funds）的发行人和负责任的实体。这仅是一般建议，不考虑任何人的财务目标，情况或需求。所有资金的产品披露声明（PDS）和目标市场确定（TMD）可在vaneck.com.au上获得。您应该考虑对任何基金的投资是否适合您。对基金的投资涉及与金融市场相关的风险。这些风险因基金的投资目标而异。有关风险的更多详细信息，请参阅适用的PDS和TMD。不保证投资回报和资本。
在原子上稀薄的单一和多光子光学转变...
这项研究探讨了从过渡金属二分法生成元（TMD）中单层的光学特性，这些材料因其独特的电子和光学特性而引起了刻印烯后引起注意的材料。我们分析了TMD单层的晶体结构，布里渊区和电子带结构，为了解其多样化的光学现象奠定了基础。特别重点放在跨山谷的能量谱上，并使用有效的哈密顿量用于平行自旋带。我们研究了带之间的光学转变，包括单，二和三光过程，开发方程式以计算考虑极化，光频率和温度的过渡概率。我们的理论分析植根于量子力学，阐明了决定这些转变的基质元素，强调了复杂组合对TMD单层光学行为的影响。这项工作不仅可以提高我们对TMD光学特性的理解，而且还强调了它们用于光电应用的潜力，标志着对半导体物理领域的重要贡献。关键字：偏光光子；矩阵元素；光学过渡；两频近似；当前载体； Electron Hamiltonian;动量操作员；旋转状态PACS：71.20。- b，71.28。+ D
基于二维 MoTe2 纳米结构的非挥发性光电晶体管
低维材料表现出奇特的物理特性。其中，过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料，例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2，作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体，表现出高效的光吸收率，从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中，M 是由六边形排列的原子组成的薄片，堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住，导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键，导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
基于单层 MoSe2 的隧道场效应晶体管...
摘要 — 本文详细研究了机械应变对过渡金属二硫属化物 (TMD) 材料隧道场效应晶体管 (TFET) 的影响。首先，利用密度泛函理论 (DFT) 的第一原理在元广义梯度近似 (MGGA) 下计算机械应变对 MoSe 2 材料参数的影响。通过在非平衡格林函数 (NEGF) 框架中求解自洽 3D 泊松和薛定谔方程，研究了 TMD TFET 的器件性能。结果表明，I ON 和 I OFF 均随单轴拉伸应变而增加，但 I ON / I OFF 比的变化仍然很小。TMD TFET 中这种应变相关性能变化已被用于设计超灵敏应变传感器。该器件对 2% 的应变显示出 3.61 的灵敏度 (ΔI DS / I DS)。由于对应变的高灵敏度，这些结果显示了使用 MoSe 2 TFET 作为柔性应变传感器的潜力。此外，还分析了应变 TFET 的后端电路性能。结果表明，与无应变 TFET 相比，基于受控应变的 10 级反相器链的速度和能效有显著提高。
下颌肌肉和关节心理物理学 - 临床口面疼痛实践和研究的范围。叙事评论彼得·斯文森（Peter Svensson）1， *，fernando g ex
下颌肌肉和颞下颌关节（TMJ）疼痛的抽象诊断已广泛标准化，随着颞下颌疾病诊断标准（DC/TMD）的发展和实施。DC/TMD检查的重要部分（关于触诊和下颌运动）在临床程序中的心理物理原理上。因此，考官必须意识到此类技术的优势和局限性至关重要。在这里，我们首先回顾了诊所中使用的背景和心理物理技术，然后讨论在研究环境中应用简单，更先进的修改的机会，以进一步了解肌肉骨骼疼痛机制和特征。目的是促进开发个性化治疗和精确药物，在这种治疗中，良好的起点似乎是谨慎的疼痛表型，在心理物理测试中可能起着重要的作用。
单层 MoSe2 中激子复合物与二维铁电体 CuInP2S6 的非挥发性电控制
摘要：单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性，例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能，可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文，为了实现激子态的非挥发性电可调性，从而实现 TMD 的光学属性，我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中，CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化，可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词：激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
非线性能量吸收装置概念的稳健性和可靠性研究
机械系统中的减振和能量耗散是一个快速发展的领域（例如[ 1 – 5 ]。该领域的发展源于设计更严格的减振装置的需求。这些装置应满足生产更轻、更复杂的机械产品的需求。减振方法有很多种（例如[ 6 – 8 ]），最常见的类型是调谐质量阻尼器 (TMD)，它是由 H. Frahm [ 9 ] 首次设计的。它是一个被动线性系统，由一个通过弹簧和阻尼器连接到主结构的质量组成。TMD 仅在较窄的频率范围内表现良好，然而，由于多种原因，主结构也可能以其他频率振动 [10]。为了解决 TMD 系统的局限性，已经提出了替代的减振方法。非线性能量吸收器 (NES) 是一种很有前途的减振装置，因为它能够在各种振动频率范围内工作。NES 系统通常由连接到主质量的次级质量组成，具有高度非线性刚度。Vakakis 和 Gendelman [11] 最近提出了一种 NES 系统。Younesian 等人。[12] 研究了 NES 系统在铁路桥梁减振中的应用。NES 系统抑制气动弹性不稳定性的能力已在 [ 13 ] 中得到证实。在 [ 14 ] 中，NES 系统的应用
二维
摘要：二维过渡金属二甲藻元化半导体（2D TMD）的光电和转运性能非常容易受到外部扰动的影响，从而可以通过后体系修饰来精确地定制材料功能。在这里我们表明，纳米级不均匀性称为纳米泡得很不均匀，可用于菌株，而在双层二硫化物中，激发激子转运的介电调节（WSE 2）。我们使用超敏感的空间分辨的光学散射显微镜直接对激子的传输进行成像，这表明介电纳米泡在室温下在漏斗和捕获激子的效率上非常有效，即使明亮的激子的能量受到了忽略的影响。我们的观察结果表明，电介质不均匀性中的激子漏斗是由动量 - 间接（黑暗）激子驱动的，这些激动型（黑暗）激子的能量比明亮的激子对介电扰动更敏感。这些结果揭示了使用深色态能量景观的介电工程进行特殊空间和能量精确的2D半导体中控制激子传输的新途径。主要文本：二维过渡金属二甲藻元化半导体（2D TMD）是范德华的材料，由于其强烈的光 - 含量相互作用，即使在原子上薄的限制下，它们也对纳米级光电构成了巨大的希望。2D TMD的光电特性在很大程度上受其库仑结合的电子孔对（激子）的控制，其结合能相对较大，高达数百个Milli-Electronvolts（MEV），这是由于平面外介电介质筛选而导致的。1–6与自由电荷不同，激子是电荷中性的，因此很难用电子设备中的外部电场来操纵。7–9因此，激子的传输特性在很大程度上取决于随机的扩散运动，没有远程方向性，从而限制了它们作为信息和能量载体的使用。寻找在2D TMD中操纵激子传输的新方法，而不会根本改变其他材料特性，这将产生激子设备，这些设备结合了强烈的光结合，并精确地控制了原子上薄材料中能量和信息流的精确控制。控制2D TMD的特性的一种有吸引力的途径是利用其对菌株，10–21和环境筛查等外在因素的极端敏感性（图1A），5,22-26，实现对光电和运输特性的合成后调节。例如，拉伸应变减少了2D TMD的光学过渡能；因此，16,18,27,28个局部应变区域会产生能量梯度，可以在纳米级低能部位漏洞和捕获激子，该过程被利用以创建长寿命的量子发射器。14,29–33菌株工程很难控制宏观尺度，并且可能引入不良疾病。
VanEck 中国新经济 ETF (ASX: CNEW)
VanEck Investments Limited (ACN 146 596 116 AFSL 416755) (VanEck) 是所有在 ASX 上市的 VanEck 交易所交易基金 (基金) 的发行人和负责实体。这仅是一般性建议，不考虑任何人的财务目标、情况或需求。所有基金的产品披露声明 (PDS) 和目标市场决定 (TMD) 均可在 vaneck.com.au 上找到。您应该考虑对任何基金的投资是否适合您。对基金的投资涉及与金融市场相关的风险。这些风险因基金的投资目标而异。有关风险的更多详细信息，请参阅适用的 PDS 和 TMD。投资回报和资本不受保证。