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这项研究探讨了从过渡金属二分法生成元(TMD)中单层的光学特性,这些材料因其独特的电子和光学特性而引起了刻印烯后引起注意的材料。我们分析了TMD单层的晶体结构,布里渊区和电子带结构,为了解其多样化的光学现象奠定了基础。特别重点放在跨山谷的能量谱上,并使用有效的哈密顿量用于平行自旋带。我们研究了带之间的光学转变,包括单,二和三光过程,开发方程式以计算考虑极化,光频率和温度的过渡概率。我们的理论分析植根于量子力学,阐明了决定这些转变的基质元素,强调了复杂组合对TMD单层光学行为的影响。这项工作不仅可以提高我们对TMD光学特性的理解,而且还强调了它们用于光电应用的潜力,标志着对半导体物理领域的重要贡献。关键字:偏光光子;矩阵元素;光学过渡;两频近似;当前载体; Electron Hamiltonian;动量操作员;旋转状态PACS:71.20。- b,71.28。+ D

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