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二叔丁基硅烷的低压化学气相沉积氮化硅薄膜
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蒸发微流引导金纳米棒自组装的形态和取向控制
摘要：贵金属纳米粒子蒸发自组装成有序结构具有成本低、效率高、操作简便等优点，在光学和等离子体器件的制备中具有广阔的应用前景。然而，对马兰戈尼流的难以控制是实现明确组装的挑战之一。在此，基于蒸发强度对组装影响的理论分析，设计了两个简单但可靠的流场控制平台来控制蒸发微流并与耗尽力同时作用，以实现金纳米棒的受控自组装。通过设计的毛细管中的强单向微流实现了取向有序组装，通过在自制玻璃池中产生的弱对流获得了单层膜的器件规模组装。由于自发对称性破坏或存在缺陷（如表面台阶和螺旋位错），可以得到形态多样的超结构组装体，如球晶状、边界扭曲、手性螺旋组装体和具有 π 扭曲畴壁的融合膜。进一步揭示了这些组装体的光学各向异性和偏振相关行为，这意味着它们在等离子体耦合装置和光电元件中具有潜在的应用。了解熵驱动的组装行为和控制蒸发微流来引导金纳米棒的自组装，可以深入了解一般的自下而上的方法，这种方法有助于构建复杂而坚固的纳米超结构。关键词：结构调节、取向排序、大面积、自组装、蒸发微流
使用超冷水的冰生成系统的性能，并用定向蒸发方法
摘要：冰浆被广泛用于冰储存空调，地区冷却，海鲜保存和牛奶加工的领域。使用超冷水产生冰是有效的，系统结构是紧凑的。然而，通常使用二级制冷剂周期来控制壁式温度并防止“冰块阻塞”问题。因此，提出并制造了使用定向蒸发方法的超冷水的冰生成系统，以改善系统性能，该系统在实验中进行了测试。然后，使用两种计算方法来研究整个冰生成系统的性能。我们得出的结论是：（1）在超冷水温度高于271.7 K且速度大于2.1 m/s的情况下，系统可以稳定而无需“冰块阻塞”。当冷凝器温度约为319 K时，整个系统COP可以达到1.6。如果额外功率的比例为3％并且冷凝器温度为308 K，则系统COP可能达到约2.5。（4）构建了正交测试，以量化不同关键参数的影响。对系统COP的影响的影响如下：冷凝器温度>水流>绝热可压缩性>制冷剂。它可以在指导使用超冷水的冰生成系统的设计中发挥重要作用。这项工作很好地看了使用有向蒸发方法的超冷水的冰生成系统的性能。
黑洞蒸发的因果幺正量子比特模型
黑洞信息（丢失）悖论是一个有关黑洞蒸发和演化过程的幺正性难题的问题（见霍金[9]，或Chakraborty和Lochan[4]、Harlow[8]、Polchinski[16]和Marolf[10]的评论）。幺正性守恒的假设（尤其是我们的假设）意味着几种一般的情况。例如，可以采用这样的假设（我们也这样做），即信息在黑洞蒸发过程中（以某种方式）逐渐释放。然而，这个观点（显然和其他观点一样）需要某种令人信服的物理机制，或者（在缺乏机制的情况下）至少需要某种可行的信息传输抽象算法。研究该悖论的一个显而易见的方法是，从特定的物理机制中抽象出问题，从量子比特的角度分析问题。在文献中，我们可以找到许多量子比特模型，它们或多或少成功地再现了黑洞演化的各个步骤（例如，参见 Broda [ 2 , 3 ]、Giddings [ 6 , 5 ]、Giddings 和 Shi [ 7 ]、Mathur [ 11 , 12 ]、Mathur 和 Plumberg [ 13 ]、Osuga 和 Page [ 14 ] 或 Avery [ 1 ] 的评论）。不幸的是，在所有这些模型中，因果关系这一重要问题似乎都没有引起应有的重视，因此没有明确排除超光速通信的可能性。与此相反，我们目前的处理方式优先考虑因果关系。更准确地说，在我们的方法中，我们严格控制通过量子比特传输的信息的方向。
化学蒸气中的异常重掺杂...
纳米级过渡金属三卡构基化金属元素（TMTC）（例如TIS 3）对基本研究和应用开发都显示出很大的潜力，但是他们的自下而上的合成策略仍应实现。在这里，我们探索了TIS 3的化学蒸气沉积（CVD）合成，其晶格各向异性使B轴的优先生长使矩形纳米片或纳米虫具有具有生长温度可调节的长宽比的矩形纳米片或纳米骨。获得的纳米结构，同时保持光谱和结构特性，如原始的半导体TIS 3的特性，表现出较高的电导率和超低载体激活屏障，这是纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD生长的TIS 3中存在S 2 2-空缺，导致重型N型掺杂到退化水平。此外，预计将半导体特性通过从环境中用氧原子钝化S 2 2-空位来恢复。这项工作因此预示着使用缺陷工程的三卡氏菌元素半导体构建纳米级电子的诱人可能性。
绿色 CVD-迈向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021)，绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，39(5)，051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
Cu的铜金属膜的原子层沉积（...
摘要：基于Zn的金属的激光粉末床融合（LPBF）具有产生定制的可生物降解植入物的突出优势。然而，在Zn激光熔化期间发生了大规模蒸发，因此调节激光能量输入和气体屏蔽条件以消除LPBF过程中蒸发烟雾的负面影响成为一个关键问题。在这项研究中，建立了两个数值模型，以模拟扫描激光与Zn金属之间的相互作用以及屏蔽气流与蒸发烟雾之间的相互作用。第一个模型通过将蒸发对能量，动量和质量的保护作用进行影响，预测了不同激光输入的蒸发率。以蒸发速率作为输入，第二个模型通过采取气体循环系统的效果，包括几何设计和流量速率，预测了在屏蔽气流的不同条件下蒸发烟雾的消除效果。在涉及足够激光输入和优化的屏蔽气流的情况下，在LPBF过程中，蒸发烟雾有效地从加工室中删除。此外，通过比较纯锌和钛合金的LPBF来讨论表面质量致密性的影响。已建立的数值分析不仅有助于找到基于Zn的金属LPBF的足够激光输入和优化的屏蔽气流，而且还有益于理解LPBF工艺蒸发的影响。
通过化学蒸气沉积在铜上的大面积菱形几层石墨烯的合成
菱形堆叠的几层石墨烯（FLG）显示出奇特的电子特性，这些特性可能导致现象，例如高温超导性和磁性排序。迄今为止，经验研究主要受到厚度超过3层和设备兼容大小的菱形flg的困难限制。在这项工作中，我们证明了菱形石墨烯的合成和转移，厚度高达9层，面积高达〜50 m m 2。通过拉曼光谱法鉴定了菱形FLG的结构域，并在类似条纹的构造中发现与同一晶体内的伯纳尔区域交替。接近局限的纳米成像进一步确定了相应堆叠顺序的结构完整性。组合的光谱和微观分析表明，菱形堆积的形成与基础铜施加块密切相关，并导致沿着优先晶体学方向沿着层间位移而出现。菱形对厚度和大小的生长和转移应促进预测的非常规物理学的观察，并最终增加其技术相关性。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
使用流体能量法模拟整体蒸发和冷凝
本研究的目的是重现文献 [1] 得到的结果，并通过添加对流传热来改进模型。通过添加自然对流可以模拟热分层和去分层，从而得到更准确的结果。计算时间是模拟进度的限制因素。文献 [1] 在代码本身中离散了能量方程，使用第三方矩阵求解器来寻找温度解，并且只能使用串行处理。当前的研究将利用软件中内置的标量传输方程求解器并使用并行处理节点，这将大大减少计算时间。当前的研究也不会显示验证案例的结果有任何变化。在添加对流之前，将使用此实现重新进行 AS203 罐实验的模拟。