XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemvlsi
超大规模集成电路中单电子能量损失的快速仿真分析方法
工业界广泛使用晶体管仿真工具（如TCAD、SPICE）来模拟单粒子效应（SEE）。然而由于实际设计中物理参数的变化，例如粒子的性质、线性能量传输和电路特性等，都会对最终的模拟精度产生很大的影响，这将大大增加大规模电路晶体管级仿真工作流程的复杂性和成本。因此，提出了一种新的SEE仿真方案，以提供一种快速、经济高效的方法来评估和比较大规模电路在辐射粒子效应下的性能。在本文中，我们结合晶体管和硬件描述语言（HDL）仿真的优点，并提出了准确的SEE数字误差模型，用于大规模电路中的高速误差分析。实验结果表明，所提出的方案能够处理40多种不同电路的SEE模拟，这些电路的尺寸从100个晶体管到100 k个晶体管不等。
微电子与 VLSI 设计 - IISc，YRM 班加罗尔
1. 集成电路设计：低功耗电子器件、集成电力电子器件、毫米波和太赫兹电子器件/MMIC、通信和传感用射频集成电路、神经形态硬件等。2. 基于电荷（纳米电子学）以及自旋（自旋电子学）的器件3. 纳米材料和纳米器件科学4. 微/纳电子应用新型材料的生长5. 能源（材料和器件）：无机和有机半导体光伏电池、能量收集器等6. 计算纳米电子学7. 光子学、神经形态和量子技术的材料和器件8. 纳米机械传感器和系统、NEM 与微电子集成、RF-NEM 等9. 宽带隙和其他功率半导体器件
量子计算接口的 VLSI 架构 - ijrpr
量子计算利用叠加和纠缠的原理，允许量子比特或量子位同时存在于多个状态中。这一特性使量子计算机能够以比传统计算机快得多的速度处理特定任务的数据，包括分解大数和解决复杂的优化问题。量子霸权的前景促使全球开展大量研究和开发工作，企业和研究机构竞相构建现实的量子处理器。尽管量子计算具有巨大的潜力，但要在现实应用中实现其优势仍需要克服艰巨的挑战。最大的障碍之一在于建立量子和经典结构之间的持续接口。量子处理器在敏感的量子王国中运行，必须与经典加法器进行通信，而不会损害量子数据的完整性。这种复杂的交互需要一种先进的 VLSI 架构，能够促进有效通信、最大限度地减少错误并优化量子-经典混合系统的整体性能。在量子计算接口的背景下混合 VLSI 需要摆脱传统策略。经典计算机遵循确定性原则，而量子结构则以概率方式运行，引入不确定性并要求同步条件。由于量子处理器产生具有固有概率不确定性的结果，VLSI 结构必须提供纠错机制和容错设计，以保持量子计算的可靠性。此外，经典和量子处理器之间的工作条件差异带来了额外的复杂性。量子处理器通常在极低的温度下工作以保持敏感量子态，而经典组件则在室温下工作。设计 VLSI 架构以促进绿色通信和跨这些温度梯度的数据传输需要创新的工程解决方案。在开发用于量子计算接口的 VLSI 架构的过程中，研究人员正在努力设计可扩展和模块化结构。量子处理器面临可扩展性挑战的风险，而 VLSI 在解决这些问题方面发挥着关键作用。可扩展架构的开发对于了解量子计算在解决实际问题方面的全部能力至关重要。尽管存在这些挑战，但目前量子计算接口 VLSI 架构的改进已取得显著进展。研究人员探索了各种策略，从集成到经典系统中的专用量子协处理器，到利用经典处理器完成精确任务同时将量子计算委托给专用处理器的混合架构。这些努力聚焦于不断发展的量子经典集成全景，其中 VLSI 架构是实现绿色和可扩展解决方案的关键。
在VLSI全局路由中实施机器学习
I.在非常大规模集成（VLSI）设计领域的介绍中，全球路由的效率和可靠性在综合电路（ICS）的整体性能中起关键作用。随着IC的复杂性继续随着技术的发展而增长，传统的路由算法在适应现代芯片布局的复杂和动态性质方面面临着越来越多的挑战。这些算法通常基于静态规则和启发式方法，可能会导致次优路径，从而导致线长度增加，信号延迟更高和拥挤。这种拥塞反过来可以显着影响最终芯片设计的性能，功耗和面积。为了应对这些挑战，对将先进的机器学习技术（尤其是深度学习）应用于VLSI全球路线的拥堵预测问题越来越兴趣。深度学习提供了学习大型数据集中复杂模式和依赖关系的潜力，使其非常适合预测和减轻VLSI设计环境中的拥塞。通过利用深度学习模型，可以开发一种动态路由优化方法，以适应实时设计条件和路由模式。
课程结构和教学大纲M.Tech ece vlsi，...
（选修I）单元I引入纳米材料和纳米技术，纳米结构的特征，纳米材料和技术的应用。nano尺寸材料0d，1d，2d结构 - 尺寸效应 - 表面原子的一部分 - 特异性表面能量和表面应力 - 对晶格参数的影响 - 状态的声子密度 - 可用于合成纳米结构的一般方法 - 降压 - 反应性 - 反应性 - 热热/溶解度热方法 - 用于量表的方法 - 适用于这种方法 - 适用于这种方法 - 适用于量表的方法。纳米材料，分类，零维纳米材料，一维纳米材料，二维纳米材料，三维纳米材料的II单元基本面。低维纳米材料及其应用，合成，性质和低维碳相关纳米材料的应用。III单元微观和纳米光刻技术，新兴应用介绍微电动机械系统（MEMS），MEMS的优势和挑战，制造技术，表面微加工，散装微机械，成型。纳米语音简介。第四单元引入，CNTS的合成 - 弧 - 释放，激光燃料，催化生长，CNT的生长机制 - 多壁纳米管的生长机制，CNT的单壁纳米管，CNT的单层纳米管，在完美的Nano Tubes中电气传输，应用于案例研究。CNT的合成和应用。单元V铁电材料，涂料，分子电子和纳米电子，生物和环境，基于膜的应用，基于聚合物的应用。教科书：
“ VLSI设计的最新趋势，芯片上的系统和嵌入式
国家理工学院锡金，国家重要的研究所是印度政府在2009年被印度政府的十个新批准的NIT之一。该研究所提供B.计算机科学和工程，电子和通信工程，电气和电子工程，机械工程以及土木工程的技术课程。此外，该研究所在VLSI和嵌入式系统，通信和信号处理，电气和电子工程以及AI和ML中提供M.Tech计划。该研究所还提供M SC。化学和博士学位的计划D计划在所有部门中。目前，NIT Sikkim位于South Sikkim的Ravangla的一个临时校园中，该校园是一个旅游城镇，它通过高速公路与该州其他主要城镇相连，位于Pelling和Gangtok之间。Ravangla位于2100 m的海拔，周围是喜马拉雅地形，以佛陀公园，Temi Tea Garden和Ralong修道院等旅游胜地而闻名。
M.Tech。材料科学与工程的计划...M. Tech的程序结构。 （VLSI和嵌入式系统）
c 1核心EE511数字VLSI系统3 0 6 2核心EE512嵌入式系统3 0 6 3 3核心EE513模拟和混合信号系统3 0 6 4核心EE514高性能计算系统3 0 0 6 5 0 6 5 0 0 0 4 8 project EE518 project 1 24 9 project EE519 project 2 24 10 Elective EE505 VLSI Testing and Verification 3 0 0 6 11 Elective EE506 Fault Tolerant Systems 3 0 0 6 12 Elective EE507 Modeling & Simulation of MOS Devices 3 0 0 6 13 Elective EE508 Intelligient Visual Surveillance System 3 0 0 6 14 Elective EE509 VLSI DSP 3 0 0 6 15 Elective EE510 FPGA Based system Design 3 0 0 6 16 Elective EE520 Advanced Digital Signal Processing 3 0 0 6 17 Elective EE525 Digital Image Processing 3 0 0 6 18 Elective EE527 Pattern Recognition and applications 3 0 0 6 19 Elective EE540 Radio Frequency Integrated Circuits 3 0 0 6 20 Elective EE563 VLSI Architectural Design and Implementaion 3 0 0 6 21 Elective EE570 Real time and Embedded Operating Systems 3 0 0 6 22 Elective EE571 Network on Chip 3 0 0 6 23 Elective EE572 Low Power Circuits and Systems 3 0 0 6 24 Elective EE573 VLSI Technology 3 0 0 6 25 Elective EE574 Bio Sensors and Circuits 3 0 0 6 26 Elective EE575 Embedded System Integration 3 0 0 6 27 Elective EE576 System-on-Programmable-Chip Design 3 0 0 6 28 Elective EE577 Sensors and Actuators 3 0 0 6 29 Elective EE578 MEMS 3 0 0 6 30 Elective CS557 Cryptography 3 0 0 6 31 Elective CS509 Cyber Physical Systems 3 0 0 6 32 Elective CS528 CAD for VLSI 3 0 0 6 33 Elective CS553 Hardware Security 3 0 0 6 34 Elective PH515 MEMS＆NEMS 3 0 0 6 35选修课HSS5XX 2 0 0 4
EC 536 VLSI制造和集成电路的测试
1技术和过程技术的选择BJT，CMOS和BICMOS集成电路，硅技术与GAAS。2个材料特性。3相图和固体溶解度。4晶体生长。 5热氧化。 6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t4晶体生长。5热氧化。 6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t5热氧化。6扩散（1）。 7扩散（2）。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积（CVD）。 12金属化。 +第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。 14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。 15故障诊断和模拟，测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t6扩散（1）。7扩散（2）。+第7周评估 +中期考试。8离子植入。9蚀刻和清洁。10种现代印刷技术。11外延和化学蒸气沉积（CVD）。12金属化。+第12周考试13过程集成（CMOS和BJT）。14测试程序和测试模式，测试流程图，计划和策略。15故障诊断和模拟，测试设备。s t u d e n t g r a d i n g＆a s s s s s s s s s s s s s s s m n t
超大规模集成电路设计中的漏电功率恢复方法综述
关键词：工程变更单 (ECO)、状态相关泄漏功率、总负松弛 (TNS)、亚阈值泄漏功率。1. 引言无线通信设备、网络模块设计模块的主要性能参数是最小化功率。另一方面，更高的性能、良好的集成度、动态功耗是推动 CMOS 器件缩小尺寸的一些参数。随着技术的缩小，与动态功耗相比，漏电流或漏功率急剧增加。静态功耗增加的主要原因是漏功率，它涉及许多因素，如栅极氧化物隧穿泄漏效应、带间隧穿 (BTBT) 泄漏效应和亚阈值泄漏效应 [1]。器件在电气和几何参数方面的差异，例如栅极宽度和长度的变化，会显著影响亚阈值漏电流 [2]。某些泄漏元素包括漏极诱导势垒降低 (DIBL) 和栅极诱导漏极泄漏 (GIDL) 等，[3]。 65 nm 及以下 CMOS 器件最重要的漏电来源是：栅极位置漏电、亚阈值漏电和反向偏置结处 BTBT 引起的漏电。电压阈值的降低会导致亚阈值电流的增加，这允许在电压下降的帮助下保持晶体管处于导通状态。由于缩放
数字 VLSI 实验室的增值课程
VLSI Guru 研讨会为参与者提供了深入探索 VLSI 设计的绝佳机会，强调使用 Synopsys 工具，如 Synplify Pro、VCS 和 Verdi。Synplify Pro 是综合的基础，使参与者能够深入研究将 RTL 描述转换为适合在硅片上实现的优化门级表示的过程。通过实践练习和指导教程，参与者可以熟练地利用 Synplify Pro 的高级功能来实现设计收敛并最大限度地提高性能。作为综合的补充，VCS 通过强大的模拟功能促进了严格的功能验证。研讨会参与者学习如何使用 VCS 创建全面的测试平台、模拟复杂的设计并分析结果，确保其 VLSI 实现的可靠性和正确性。此外，Verdi 已成为调试和可视化的必备工具，使参与者能够浏览复杂的设计层次结构、跟踪信号路径，并有效地识别和纠正潜在问题。除了工具熟练程度之外，研讨会