XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemwafer
采用 Smart Cut 技术的更环保的 SiC 晶圆
在使用我们的 Smart Cut 技术生产 SiC 基板时，我们发现优化键合步骤对于实现高水平的电导率和热导率至关重要。我们的研究表明，键合界面对总基板电阻的贡献相当于标准 SiC 材料的几十微米。在 Smart Cut 将薄片 SiC 从供体基板分割并转移到载体基板后，我们采用了精加工工艺，以确保通过抛光和退火，我们新形成的基板已准备好进行外延处理并与 SiC 器件加工兼容。请注意，我们的 Smart Cut SiC 技术生产的晶圆顶层没有基面位错（见图 2 和 3）。
对重建晶片的光刻处理的模具对齐
该实验的结果证明了Liteq 500工具在置换和旋转中检测，测量和纠正大偏移的能力，在与当前工业标准保持一致的同时，提供了亚微米的准确性。分析表明，可以通过优化对齐过程来实现吞吐量的重大改进。计划进行其他实验，以验证覆盖性能，并在Liteq 500上使用重建晶片进行叠加诊断的能力。初步估计表明，当覆盖要求不太严格时，可以实现更快的吞吐量。在未来的工作中，我们计划研究当前FO-WLP过程中所需的覆盖精度级别可实现的吞吐量。
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
晶圆级测试对先进 CMOS 互连可靠性评估中电迁移磨损报告的有效性
在本研究中，通过标准晶圆级 (WL) 和 PL (PL) 测试评估电迁移 (EM) 铜线的可靠性。由于这些测试的速度非常快，因此与所有可靠性研究一样，主要问题之一是报告在使用条件下发生的故障现象的有效性。众所周知，WL 已被广泛用于在高应力条件下对大批量进行快速 EM 工艺监控。另一方面，在工艺鉴定方案中使用应力条件较低的 PL 测试。我们将本研究的后续内容作为参考，通过各种工艺评估 WL 测试结果。因此，本文讨论了 WL 与 PL 相比，在有效报告不同 Cu 线工艺修改的可靠性性能变化方面的能力。从寿命变化和标准偏差演变方面比较了 WL 可靠性和 PL 可靠性的结果。仅发现有限的相关性，这表明两种方法的故障机制并不相同。此外，本研究的结果强调了定义与大容量监控兼容的新的可靠的电磁测试结构和方法的必要性。
用于量子应用的 12 英寸玻璃晶片上的功能表面离子阱
1 新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院，邮编 639798 2 巴黎第七大学材料与量子现象实验室，邮编 F-75025，巴黎，法国 3 新加坡科技研究局微电子研究所，邮编 117685 我们报告采用标准 CMOS 兼容后端工艺在 12 英寸玻璃基板上大规模制造功能完备的射频 (RF) 表面离子阱。采用成熟的 12 英寸铸造后端工艺（电镀铜和金饰面）直接在玻璃晶片基板上制造表面电极。我们通过用激光冷却的 88 Sr + 离子加载离子阱来测试它。该离子阱在 33 MHz 频率下 RF 幅度在 100 – 230 V 范围内时表现出稳定的操作。当真空室压力为 5 × 10 -11 mbar 时，离子寿命约为 30 分钟，这展现出在 CMOS 兼容且具有成本效益的平台上采用标准代工工艺实现量子计算系统未来的巨大潜力。
用于晶圆上测量应用的毫米波直通负载元件
摘要 — 本文介绍了一种创新的直通负载元件，旨在用于毫米波频率下的特性分析应用。根据直流控制电压，所提出的结构可以用作直通连接或 50 Ω 负载。除其他潜在应用外，该系统还可用于实现转换开关或衰减器。演示器采用 STM 55 纳米 BiCMOS 技术制造和测量。在 55 GHz 至 170 GHz 的宽带宽上，实验测量表明，当用作直通连接时，插入损耗最大为 1.6 dB，当用作 50 Ω 负载时，插入损耗最小为 14 dB。在这两种情况下，回波损耗都优于 10 dB。90 GHz 的插入损耗对于直通连接为 0.6 dB，对于 50 Ω 负载连接为 20 dB。
薄液含液液的非线性频率混合器
摘要：薄膜硅锂（TFLN）光子学的最新进展导致了新一代的高性能电磁设备，包括调节器，频率梳子和微波炉到光传感器。然而，依赖于全光非线性的TFLN基于TFLN的设备受到了准阶段匹配（QPM）的敏感性的限制，该设备通过铁电极通过制造公差实现。在这里，我们提出了一个可扩展的制造工艺，旨在改善TFLN中光频率混合器的波长 - 准确性。与常规的极前蚀刻方法相反，我们首先定义了TFLN中的波导，然后执行铁电孔。此序列允许在波导定义之前和之后进行精确的计量学，以完全捕获几何缺陷。系统误差也可以通过测量设备的子集进行校准，以填充QPM设计，以在晶圆上剩余的设备。使用这种方法，我们制造了大量的第二次谐波生成设备，旨在生成737 nm的光，其中73％的靶标在目标波长的5 nm之内。此外，我们还通过覆层沉积展示了设备的热点调整和修剪，前者将约96％的测试设备带到了目标波长。我们的技术使集成量子频转换器，光子对源和光学参数放大器的快速增长，从而促进基于TFLN的非线性频率混合器集成到更复杂和功能性光子系统中。
基于机器学习的晶圆排序产量预测基于晶圆接受测试数据
Delta Rsquare Delta Rsquare All features (614) 1.75% 0.341 2.63% 0.139 Top 500 features 1.73% 0.354 2.56% 0.129 Top 400 features 1.73% 0.372 2.02% 0.148 Top 300 features 1.71% 0.343 2.22% 0.197 Top 200 features 1.73% 0.393 2.34% 0.22前100个功能1.61％0.405 1.95％0.21 Top 50个功能1.59％0.423 2.00％0.334 TOP 25特征1.62％0.42 2.29％0.372
用于全自动 PIC 晶圆级测试的光学边缘耦合方法
• 短和长工作距离设计 • 高耦合效率 • 高重复性和稳定性 • 在光栅耦合器锥度处，平面前波与光束近乎准直 • 可以实现超长工作距离 (WD) – 例如高达 >800 μ m • 在 Z 方向（光束传播方向）对垂直方向具有耐受性
ingaas/gaas纳米ridge激光器，具有无定形硅光栅，在300毫米Si Wafer上单层生长
简介。利用互补的金属 - 氧化物 - 溶剂导体（CMOS）工业的发达过程，硅光子电路，这些电路融合了各种光学组件，包括高效的光栅耦合器，高响应速度 - 速度速度光电探测器，以及优秀的调制器[1-3]，现在已广泛使用和使用。但是，缺乏高性能激光是进一步开发硅光子平台的主要瓶颈。直接伴侣III – V半导体是实现实用和紧凑的光源但不容易集成在硅上的有前途的候选者。探索了几种使用应变 - 释放的缓冲层[4-11]的III – V材料的直接键盘，传输印刷和直接整体外观的方法[4-11]来实现这一目标，但都有其局限性。新颖的纳米ridge