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World File Search System低噪声
采用航天级塑料封装的 OPA4H199-SP 40V、QML P 类、抗辐射 (RHA)、轨到轨输入和输出、低失调电压、低噪声运算放大器数据表
• QML P 类抗辐射性能保证 (QMLP-RHA) 等级 • 采用小型 SOT-23 封装 • 辐射性能： – 单粒子闩锁 (SEL) 免疫 65MeV-cm 2 /mg – 总电离剂量 (TID) 抗辐射性能保证 (RHA) 高达 100krad (Si) • 支持国防、航空航天和医疗应用 – 单一受控基线 – 一个制造、装配和测试站点 – 金线 – NiPdAu 引线表面涂层 – 可在军用 (-55°C 至 125°C) 温度范围内使用 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型塑封材料，降低排气量 • 低失调电压：±125µV • 低噪声：1kHz 时为 10.8nV/√Hz • 高共模抑制：130dB • 低偏置电流：±10pA • 轨到轨输入和输出 • 宽带宽：4.5MHz GBW • 高压摆率：21V/µs • 高电容负载驱动：1nF • 多路复用器友好型/比较器输入 • 低静态电流：每个放大器 560µA • 宽电源电压：±1.35V 至 ±20V，2.7V 至 40V • 强大的 EMIRR 性能：输入和电源引脚上的 EMI/RFI 滤波器
Mohamed, A.、Wagner, M.、Heidari, H. 和 Anders, J. (2022) 带有 2.2 pA/√Hz 低噪声电流源的磁阻传感器前端。IEEE So
许多新兴的生物传感应用 [1]、[2] 以及增强现实应用的人机界面 [3] 都依赖于巨磁电阻 (GMR) 传感器，因为它们具有良好的灵敏度和低 1/f 噪声。作为替代方案，隧道磁电阻 (TMR) 传感器由于其更高的磁阻 (MR) 比可以提供比 GMR 传感器更好的灵敏度。然而，如此高的 MR 比对接口电子设备提出了严格的要求，因为它们的基极电阻变化很大。这种变化会导致放大器输入端出现较大的电压偏移，从而减小放大器的动态范围，在最坏的情况下，如果不进行补偿，会导致前端饱和。消除放大器输入直流偏移的一个可能解决方案是使用斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 与直流伺服环路 (DSL) [4]，参见图 1a。然而，这种方法需要在放大器的输入参考电压噪声和 DSL 可以补偿的最大偏移之间进行权衡。更具体地说，可以通过增加 C DSL 来补偿更高的输入偏移，而这又会增加 CCIA 的输入参考电压噪声 [5]。作为一种替代方案，图 1b 显示了使用跨阻放大器 (TIA) 处理产生的电流 [2] 的可能性。在这种方案中，通常需要辅助电阻
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
SSM4567 |数字 2.5 W、5.1 V、升压 D 类音频放大器 ...
SSM4567 采用高效、低噪声调制方案，无需外部 LC 输出滤波器。闭环五级调制器设计保留了全数字放大器的优势，同时实现了非常好的 PSRR 和音频性能。即使在低输出功率下，调制仍能继续提供高效率，并且 SNR 为 104 dB，A 加权。与其他 D 类架构相比，扩频脉冲密度调制用于提供更低的 EMI 辐射发射。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................
RF应力对100 nm x- ...
gan lna B. Pinault A，B，J.G。Tartarin a,b , D. Saugnon a , , R. Leblanc c a Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS), Toulouse, France b Paul Sabatier University, University of Toulouse, Toulouse, France c OMMIC, Limeil-Brévannes, France Abstract In this article, we study the robustness of 3 versions of a single stage LNA configured根据对电磁干扰信号的探测率或鲁棒性的不同模式。将10 GHz处的RF步长的连续序列应用于研究的3个LNA中的每个序列。这些强大的MMIC LNA是使用OMMIC技术的D01GH GAN工艺设计的，从名义低噪声模式转换为高线性模式。此DC偏置开关允许将功率输入1DB压缩点增加8 dB。本研究的重点是这些LNA（敏捷的LNA #A）在标称低噪声模式（具有较低IP 1DB）或标称高性线模式（以退化的噪声图NF 50的价格）下进行操作时的鲁棒性。使用较大尺寸的设备（可鲁棒的LNA #R）将此原始的LNA #A与强大的常规设计进行了比较。踩压在10 GHz的过程中，这是这些LNA的中心频带。所有操作模式均显示出表现出相当可重现的阶跃应力图，尽管可以在低噪声和高线性操作条件之间区分热或非线性效应，并且与强大的设计LNA #R相比。引言由于其内在特性，GAN LNA提供了有趣的解决方案，用于需要高探测性和鲁棒性来攻击的应用。我们证明了用于实现自然电子保护的常规LNA电路设计策略的替代方法的相关性，而没有放置LNA #A或LNA #R之前放置的限制器，或者无需关闭DC偏见：此保护选项受益于将LNA保持在操作中的lna，即在事件输入信号增加的情况下，即使在Electial defraded Inflad decrademention中，在运行率发现的情况下，n. RF步长应力。它允许对接收器进行新的定义，因为它们还可以集成RF滤波器，并且可以承受比GAAS对应物更高的温度。因此，它们是雷达和电信应用的出色候选人。系统能够承受高水平RF功率的能力通过其在最终攻击中保持运行的能力来评估，也可以在压力周期后返回名义操作模式。为了充分利用氮化岩的特性，我们设计了一个能够在两个不同静止点上自我配置的LNA，从而可以将低噪声图（NF 50）和高1DB压缩点组合在设备输入（IP 1DB）。然后，图1所示的相同LNA #A能够在标称低噪声模式下运行（NF 50 = 0.95 db / ip 1db = 4 dbm），并在强烈的线性模式下< / div>
用于测量超声波的磁通门磁力仪...
磁传感器主要用于铁磁物体（例如武器或车辆）检测、磁性标签读取、磁性三维位置跟踪等。[1, 4]。这些应用对传感器性能都有特定的要求。最重要的规格包括磁场分辨率、范围、灵敏度、线性度、偏移、功耗、尺寸、空间分辨率、噪声和温度系数 [5]。近二十年来，已经开发出各种技术和磁传感器来测量从 10-12 到 10-4 T 的低磁场和超低磁场，具有高灵敏度和线性度以及低噪声 [6-9]。
Elmo-飞秒纤维激光1560 nm
Menlo Systems的基于纤维的飞秒激光来源将纤维技术的最新成就集成到易于使用的产品中。Menlo Systems的独特图9®模式锁定技术导致可再现和长期稳定操作。Elmo及其全纤维设计可确保出色的稳定和低噪声操作。作为光纤放大器的种子源振荡器是免费维护，安装用户并准备在单个按钮的按下使用的。简而言之：针对24/7操作设计的OEM激光器。
基于180nm CMOS工艺的可配置4通道脑电信号采集模拟前端设计
摘要 – 本文提出了一种用于 EEG 信号记录的 4 通道模拟前端 (AFE) 电路。对于 EEG 记录系统，AFE 可以处理各种传感器输入，具有高输入阻抗、可调增益、低噪声和宽带宽。缓冲器或电流-电压转换器块 (BCV) 可设置为缓冲器或电流-电压转换器电路，位于 AFE 的电极和主放大器级之间，以实现高输入阻抗并与传感器信号类型配合使用。斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 位于 BCV 之后，作为 AFE 的主放大器级，以降低输入参考噪声并平衡整个 AFE 系统的阻抗。可编程增益放大器 (PGA) 是 AFE 的第三级，允许调整 AFE 的总增益。建议的 AFE 工作频率范围为 0.5 Hz 至 2 kHz，输入阻抗大于 2 T Ω，采用 180nm CMOS 工艺构建和仿真。AFE 具有最低 100 dB CMRR 和 1.8 µVrms 的低输入参考噪声，可实现低噪声效率。该设计采用了 BCV 等新功能来增强输入多样性，与之前的研究相比，IRN 和 CMRR 系数表现出显着增强。可以使用该 AFE 系统获取 EEG 信号，这对于检测癫痫和癫痫发作非常有用。