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锆的先进低温氯化技术 - INFO
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先进 CMOS 器件在低温下的可靠性和可变性
除了在航天工业、天文学和高精度计量 [1] 中的众所周知的应用外，在低温下运行的先进 CMOS 技术是实现大规模量子计算 [2]– [4] 和提高数据中心计算性能的下一个关键步骤之一。虽然后一种应用可能主要限于 77 K（LN2）的温度范围，但大部分集成量子比特控制系统将在液氦温度（4 K）（LNA、RF 振荡器等）下运行，甚至可以根据特定量子比特技术的功率和噪声限制在 mK 范围内运行。因此，经典 CMOS 逻辑与量子比特的紧密集成不仅有助于缓解布线限制，而且还能减少读写操作期间的信号失真。关于先进 CMOS 技术的最新出版物主要关注低温下改进的器件特性（亚阈值摆幅、导通电流、泄漏等）[5]–[7]。由于测量限制，例如低温恒温器中可用的探头数量（通常最多
Charms250：低噪声读数的低温前端ASIC或
丰富的氙气观测实验：•研究一种罕见的核衰减实验，称为中性剂量双β衰变•Nexo将在5000千克Xenon-136同位素中搜索中微子双β衰变（2 x 10 28核），从而使少数范围的腐烂范围及其范围的潜在腐烂范围•合并范围的范围范围，•用于从衰减中重建电子的动能的TPC•用于将生成的光信号转换为电信号的硅光化型（sipms）
低温物理蒸气沉积了Cu种子...
摘要在这项研究中，提出了对低热稳定性临时粘合胶的优化对物理蒸气沉积（PVD）过程的优化。在各种底物上证明了Cu种子层在通过沟渠中的沉积：硅 - 硅粘合，硅玻璃键合和霉菌键合的底物。在处理过程中记录在这些底物上的表面温度远低于临时键合和去键（TBDB）材料的临界温度。本文重点介绍了PVD工艺的2.5D/3D集成电路（IC）包装中通过硅VIA（TSV）应用的创新。这些结果将在温度较低的范围明显较低的温度范围内稳健地整合具有低热稳定性的各种临时粘合粘合剂，其热稳定性低。引言临时键合和键合材料在实现薄和超薄晶圆底物的处理方面起着重要的中间作用。它为稀薄的Si Wafers提供结构和机械支撑，用于下游包装。这是因为在下游制造步骤期间，薄且超薄的基材具有高弯曲，折叠和有时断裂的趋势。因此，需要借助临时粘合粘合剂来支撑这些稀薄的底物在载体底物上[1]。这允许晶圆进行进一步的过程步骤，例如光刻，沉积等。设备晶圆通常与临时粘合涂层接触以进行支撑。在PVD过程中，金属靶标通过碰撞的热过程转化为原子颗粒。物理蒸气沉积（PVD）是TSV 2.5D/3D IC包装中铜的随后电化学沉积的关键过程步骤。这是一种以平滑表面，出色的机械性能以及对目标底物的良好粘附而闻名的先进材料处理技术。然后将这些颗粒定向到基板上，以在受控的真空环境中进行后续沉积，成核和生长。原子然后将其凝结成在底物上形成物理薄膜。这可以以两种方式进行：溅射和蒸发。在溅射过程中，将气态前体引入反应室，然后将其加速向目标加速，释放原子尺寸的颗粒以沉积到基板上。溅射技术的主要优点是由于加速
深低温下 FDSOI 器件的 TCAD 模拟
摘要 — 本文证明了在深低温下 FDSOI 器件 TCAD 模拟的可行性。为此，麦克斯韦-玻尔兹曼载流子统计被具有 3D 态密度的费米-狄拉克积分的解析近似所取代。通过求解二维泊松方程来研究器件静电，而使用漂移扩散模型模拟传输。我们探讨了温度对线性和饱和区器件性能的影响以及短沟道效应的影响，这些影响考虑了各种栅极和间隔物长度、室温和深低温。最后，将得到的结果与一些实验数据进行了比较，强调了 TCAD 模拟在提供器件物理和性能见解方面的作用。关键词 — 低温电子学、FDSOI、TCAD 模拟
低温钢选择 - 船舶结构委员会
3.1 范围。 3.1.1 承包商应分三个阶段开展本项目所需的工作：i. 文献综述 ii. 实验 iii. 数据分析和报告 3.1.2 在第 1 阶段，承包商应确定使用断裂力学理论选择低温应用钢材以及厚度和钢材韧性之间关系的最新理解。 3.1.3 在第 2 阶段，承包商应进行断裂力学试验，以得出常用缺口韧性钢的适用性标准。 3.1.4 在第 3 阶段，承包商应制定更通用的方法，以将该方法应用于船舶建造项目钢材等级的可接受性论证。 3.2 任务。 3.2.1 项目的每个阶段都应通过一项或多项任务来完成。 3.2.2 在第 1 阶段，承包商应进行全面的文献综述，以选择适合船舶建造的一系列厚度的低温（非低温）钢结构的断裂力学标准。这次审查不仅涵盖造船业，还涵盖石油和天然气、采矿、铁路和其他相关行业。 3.2.3 在第 2 阶段，承包商应：i. 制定适当的测试程序，供技术委员会批准。作为初步指导，预计这将涉及使用 CTOD（裂纹尖端张开位移）方法对单一钢种（AH 或 EH）进行测试
用于量子计算集成电路的低温电子学
3 格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS IMEP-LAHC，F-38000 格勒诺布尔，法国 通讯作者电子邮件：mikael.casse@cea.fr 我们概述了 FDSOI CMOS 晶体管在深低温下的性能，特别强调了背偏带来的好处。FDSOI 晶体管可在室温到低至 100mK 的温度下工作。测量和分析了主要的直流电特性、可变性和可靠性。我们还指出了在低温下出现的特定行为，并讨论了它们的物理起源和建模。 介绍 为了设计高效的量子计算机，需要将传统电子器件尽可能靠近量子比特 (qubit) 设备，考虑超导或 Si-spin 量子比特，以便读出和控制，从而减少对室温布线的需求 (1)。这种需求凸显了探索和开发低温 CMOS 技术的广泛重要性，其工作温度范围从 4.2K 到远低于 1K。此外，Si-spin 量子比特工艺也与 CMOS 工艺兼容，原则上可以将两者单片集成在单个芯片上 (2)、(3)。这可以为任何大规模量子处理器提供基本构建模块，通过设计可扩展的近量子比特低温电子器件来实现大规模量子比特矩阵索引，并最终开发容错通用门量子计算机 (4)。
使用...进行高效低温蒙特卡洛采样
量子退火 (QA) 的出现是未来量子计算发展的重要一步，也将极大地促进统计物理和材料科学建模的发展。到目前为止，QA 在这些领域的应用仍然很少，其中包括确定具有长程弹性相互作用的平衡微结构 1 、横向场 Ising 模型中的相变 2 、通过 Shastry-Sutherland 模型研究受挫磁系统的能态 3 以及设计超材料 4 。另一个例子是结合使用量子退火器和玻尔兹曼机来采样自旋玻璃并预测 MoS 2 层的分子动力学数据 5 。更一般地说，由 D-Wave 公司实施的 QA 可以有效地找到离散优化问题的基态配置，在学术界和工业界都有许多应用 6 – 10 。 QA 的概念是在低温下以明确定义的基态初始化系统的哈密顿量，然后平滑地转换能量景观，使其代表所需的优化问题。如果仔细执行这种绝热变换，系统最终会处于目标哈密顿量的基态，因此可以找到优化问题的全局最小值。然而，在实践中，准备、转换和读出过程并不是完全绝热、无噪音和与环境分离的，因此有时会发现能量更高的状态，尤其是与简并态 11 或太小的能隙结合时。因此，对于典型的 QA 应用，需要多次重复和读出来确定真实基态。在本文中，我们证明了该技术的这一缺陷实际上可以转化为优点，因为它可以非常有效地确定有限温度的热力学性质。从材料科学的角度来看，T = 0K 时的基态配置通常只对许多实际应用具有有限的意义。例如，对于铁磁体，所有自旋都排列在基态，而对于有限温度，热涨落会导致有限的关联长度、相变和温度相关的磁化。对此类属性进行统计建模的传统方法是使用蒙特卡罗 (MC) 采样技术，因为由于相空间的巨大规模，通常无法明确计算配分函数。此类计算最突出的方法可能是使用 Metropolis 转移概率生成离散马尔可夫链，这会生成一系列遵循玻尔兹曼统计的配置，因此可以通过更容易地计算这些马尔可夫链上的时间平均值来表达集合平均值 12、13。在实践中，根据玻尔兹曼分布 p ∼ exp ( − β ∆ E ) (其中 β = 1 / k BT )，从一个状态到另一个状态的转变正在发生，其概率取决于两个配置之间的能量差 ∆ E 。通常，这种方法在低温下效率低下，因为新配置的拒绝率非常高，因此在局部最小值中捕获的相空间采样不足，导致对所需热力学性质的预测有噪声。另一种重要的采样策略是由 Wang 和 Landau 开发的，他们使用非马尔可夫算法通过平坦直方图技术提取状态密度，从中可以计算出所有所需的热力学性质 14 。除了这些主要技术之外，Dall 等人还开发了一种在低温下快速采样玻尔兹曼分布的算法。然而，这种算法最适合具有短程相互作用的系统 15 。另一种公平采样基态和
肾脏捐献者的低温疗法或机械灌注
结果 在 725 名登记的捐献者中，共移植了 1349 个肾脏：低温组 359 个肾脏，机器灌注组 511 个肾脏，联合治疗组 479 个肾脏。低温组 109 名患者（30%）、机器灌注组 99 名患者（19%）和联合治疗组 103 名患者（22%）发生移植物功能延迟。低温与机器灌注相比，移植物功能延迟的校正风险比为 1.72（95% 置信区间 [CI]，1.35 至 2.17），低温与联合治疗相比，移植物功能延迟的校正风险比为 1.57（95% CI，1.26 至 1.96），联合治疗与机器灌注相比，移植物功能延迟的校正风险比为 1.09（95% CI，0.85 至 1.40）。 1 年后，三组移植器官存活率相似。共报告了 10 起不良事件，包括 9 名捐献者的心血管不稳定和 1 名捐献者因灌注功能障碍导致的器官丢失。