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World File Search System光电流
03,09，光激发电子从Alas/GAAS异质结构的光电导率中的光激发电子扩散的作用
半导体P - i -n异质结构被广泛用作辐射探测器，并在光电子中具有多种应用[1-4]。在这种半导体结构中的能量吸收高于禁止带宽度的光导致电子孔对产生。对，在耗尽的I -Area中产生或从I -Area到掺杂n-和P-层的深度的扩散长度的距离与电场分开，因此电流出现在外部电路中[4]。光电流值将用载体的漂移电流定义，该载体在I -Area中产生，以及在I -Area外产生的载体的扩散电流。在某些条件下，半导体结构的光响应可以检测到多个各种量子振荡事件。例如，由于光电声发射的光激发电子和孔的放松导致光电流振荡，具体取决于刺激光子的能量[5]。在GAAS/ALAS或INGAN/GAN P -I -N超晶格中观察到来自偏置电压的光电流振荡[6,7]。在工作[8]中，研究了P - I -N-二极管在光谱光谱上的I -i -i -n-二极管中的INAS层的影响，并显示了此类异质系统对创建敏感光探测器的效率。后来，在这样的单屏障GAAS/ALAS异质结构中（见图1）在辐照时观察到巨大的光电流振荡[9,10]，光子能量高于GAA中的光子能量高于禁止带宽度，而GAA中的光子宽度高，这似乎是多种共振 - 类似于Volt-Ampere特性（VAC）的特殊性。振幅为光电流时的平均光值的20％，其光线为λ= 650 nm，而在具有单个隧道屏障的p - i -i -n -diodes中，这是不可能的，这是不可能的。观察到了那个时期
“红外散射类型的供应和安装近场显微镜，具有伪黑差干涉法，用于ICFO”中间程序。
3。必要性IIDOneïtatde laContractació，探测纳米级材料的红外和Thz特性，只能使用散射型扫描近场光学显微镜（S-SNOM）进行。它是我实验室中的一种中心仪器，它可以确保我在基于石墨烯的纳米式电子学上成功进行研究，应用光学近场测量值，利用弹性散射的光线以及分析近场光电流。近年来，由我的小组开创的近场光电流测量值的突破为将来的石墨烯等化烯化铺平了道路。我们需要这种仪器来在2D材料和异质结构的项目中取得进一步的进展。
光电效应
如果阳极具有明显的负电势，则光电流大约为零，因为带负电荷的阳极排斥光电子。在负态度出现光电流的负状态下有一个关键的U 0电压。在U 0之外的策略中，光电子的初始动能足以到达阳极。 基于这些，我们可以假设在I-U F曲线的临界点方程（3）是有效的。 u 0之外的曲线斜率取决于阴极上照明的光子通量。 但是U 0膝盖的位置仅取决于由光波长确定的单个光子的能量。在U 0之外的策略中，光电子的初始动能足以到达阳极。基于这些，我们可以假设在I-U F曲线的临界点方程（3）是有效的。u 0之外的曲线斜率取决于阴极上照明的光子通量。但是U 0膝盖的位置仅取决于由光波长确定的单个光子的能量。
应变增强型大面积单层 MoS2 光电探测器
摘要：在本研究中，我们展示了施加的机械应变与单层 MoS 2 光响应度增加之间的直接相关性。这表明拉伸应变可以提高单层 MoS 2 光电探测器的效率。在我们的设备中观察到的高光电流和延长的响应时间表明，设备主要受光电门控机制控制，施加拉伸应变时，这种机制变得更加突出。此外，我们已经证明，非封装的 MoS 2 单层可以在基于应变的设备中使用许多次循环和长时间，在环境条件下表现出耐久性而不会丧失功能。这种坚固性强调了 MoS 2 在进一步功能化和利用不同柔性传感器方面的潜力。关键词：MoS 2、应变、应变传感器、光电探测器、原子力显微镜、PL 光谱、光电流光谱
![arxiv：2410.10957v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年10月14日](/simg/1\1821e4d1d4e9564b0778ad5a2681b1c9f7ae9150.webp)
arxiv：2410.10957v1 [cond-mat.mes-hall] 2024年10月14日
我们研究了使用Lindblad-Von Neumann Master方程形式主义在耗散存在的情况下，在耗散存在下，石墨烯纳米容器具有扶手椅边缘的光电导率响应。我们建议通过用光线沿纳米替宾的有限方向线性极化的光照明系统来控制传输性能，同时沿着扩展方向进行探测。我们证明，最大的稳态光电流是针对与纳米替比宽度成正比的电子带隙略有蓝色的驱动频率。我们比较了在相干和不连贯的光线下的光电导率，得出的结论是，蓝色驱动驾驶的光电导率的增强取决于驾驶项的连贯性。基于此结果，我们提出了一个切换协议，以在几个picseconds的时间尺度上快速控制光电流。此外，我们建议设计用于石墨烯纳米甲和高t c超导体的异质结构的设计，该设计是作为晶体管运行的，作为迈向下一代相干电子设备的一步。
203 CdMnSe 的光电特性...
摘要。所研究的光伏电池半导体结构由 SnO 2 镀膜玻璃和 CdMnSe 薄膜组成。通过检查激光功率和样品温度下 CdMnSe 薄膜表面的光致发光，研究了原生薄膜、空气退火薄膜和经过 CdCl 2 处理的薄膜。在玻璃基板上生长 Cd 1-x Mn x Se（x =0.02）薄膜。根据光电流的动力学衰减确定了脉冲照射下的载流子寿命。在激光辐射影响下对非平衡光电导弛豫曲线的研究证实了两个复合通道的存在——本征和杂质。光电流弛豫通过快速和慢速复合通道发生。与本征跃迁相关的快速弛豫时间 τ = 6 μs，而慢速弛豫时间则归因于杂质激发，τ = 22 μs。研究了Cd1-xMnxSe（x=0.02）薄膜的光致发光光谱，在光致发光研究中观察到两个最大值，它们是由供体-受体复合和Mn原子的中心内跃迁引起的。
电子提交给ACS期刊的模板-IRIS
Antoniou G，Yuan PS，Kotsokeras L，Athanasopoulos S，Fazzi D，Panidi J等。（2022）。通过激发态融合在单组分纳米结构有机光电探测器中通过激发状态融合来生成低功率上流光电流。材料化学杂志。C，10（19），7575-7585 [10.1039/d2TC00662F]。
自旋极化电子动力学增强水分解......
摘要：本文对钇铁石榴石 (Y 3 Fe 5 O 12 , YIG) 和赤铁矿 ( α -Fe 2 O 3 ) 光催化分解水的性能进行了详细的光谱和动力学比较。尽管电子结构相似，但 YIG 作为水氧化催化剂的性能明显优于赤铁矿，光电流密度提高了近一个数量级，法拉第效率提高了两倍。通过超快、表面敏感的 XUV 光谱探测电荷和自旋动力学表明，性能增强的原因在于 1) 与赤铁矿相比，YIG 中的极化子形成减少；2) YIG 中催化光电流的固有自旋极化。线性 XUV 测量表明，与赤铁矿相比，YIG 中表面电子极化子的形成显著减少，这是由于 YIG 中位点相关的电子-声子耦合在光激发时导致自旋极化电流。使用 XUV 磁圆二色性直接观察 Fe M 2 、 3 和 OL 1 边缘的表面自旋积累和化学状态分辨率，提供了自旋极化电子动力学的详细图像。总之，这些结果表明 YIG 是高效自旋选择性光催化的新平台。
碲化镉光电探测器等离子体接触特性
摘要 本研究研究了单晶碲化镉半导体与气体放电等离子体接触时的物理特性。结果表明，等离子体中的载流子与入射红外辐射一起有助于增强气体放电室中的光电流。在气体放电室中电压足够高（超过 2.5 kV）时，可以观察到与等离子体对半导体表面的影响相关的正反馈。理论计算结果和实验经验的结果非常吻合，由此确定了比例系数的物理意义，同时考虑了等离子体对光电探测器光电导的影响。双等离子体接触的使用有助于抑制气体放电室中光电流的空间不稳定性，从而允许在器件输入端使用低电阻光电探测器。首次在单晶碲化镉的基础上在室温下获得了类似的结果。关键词：气体放电电池、碲镉、气体放电等离子体、光电导率、光电滞后、红外摄影。 PACS 编号：95.85.Bh、72.20.-i 收到： 修订： 接受： 发布：2024 年 9 月 16 日 2024 年 10 月 18 日 2024 年 10 月 22 日 2024 年 12 月 26 日 1. 简介