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World File Search System光电设备
使用通用光伏设备模型
在染料敏化的太阳能电池（DSSC）中，光被敏化的染料吸收。当光撞击染料分子时，它会吸收光子并将其兴奋至更高的能量状态。这种激发态允许染料分子将电子注入半导体的传导带，从而产生电流。选择染料特性非常重要，因为它可以帮助提高DSSC的性能。然而，从相同批次用作染料的植物或水果的相同输出电流特性非常困难。此外，改善了制造染料敏化的太阳能电池的电性能，例如短路电流密度和效率，这是至关重要的，因为需要考虑许多实验因素。因此，要最大程度地减少材料资源的额外利用，这是由于制造不成功的风险并理想地获得更好的性能，进行基于模拟的研究对于优化DSSC的性能很重要。自由软件通用光伏设备模型（GPVDM）是一个有前途且有趣的工具，因为它的免费许可和通过图形接口易于访问，用于模拟光电设备，包括OLED，OFET和各种类型的太阳能电池。本文考虑了3-D光伏设备模型GPVDM，以模拟用不同的叶绿素染料样品以DSSC性能模拟所提出的结构。本文旨在表征基于叶绿素的DSSC的高电流密度 - 电压（J-V），并确定合适的光伏仿真软件，用于运行基于叶绿素的DSSC的模拟。最后，将结果与各种文献来源中报道的实验数据进行了比较。结果表明，对于虫丝豆糖叶（CHL E），增强的短路电流密度（JSC）为0.3556 mA cm -2，这是所测试的其他染料中最高的。模拟短路电流密度（JSC）的值与已发表论文中报道的JSC的实验结果略有不同。总而言之，GPVDM可被认为适用于建模DSSC。
4。材料的光学特性
通过替换h = 6.626 x 10 -34 js，c = 3 x10 8 ms -2和λmax= 0.7 x 10 -6 m e g（min）= 2.84 x 10 -19 j（or）1.8 eV的结果表明，所有可见光都被那些具有频带隙能量的半径差异少于1.8 ev所吸收的。因此，这些半导体是不透明的。在外部半导体中，受体和供体杂质的存在会产生新的能级受体水平（E A）（P型半导体）和供体水平（E D）（N型半导体），如图所示。这些杂质水平位于材料的带隙内。特定波长的光辐射可能是由于带间隙内的电子杂质水平或到这些杂质水平的结果所吸收的。4.6。电荷注入和辐射重组电子和孔可以以多种方式注入传导和价带中。光入射在材料上和光子的吸收上会产生电子孔对。我们还在P-N二极管中使用外部电池偏置也注入电子和孔。电子和孔将彼此重新组合，而导带中的电子将返回到价带。可以在两个过程中进行此重组过程。它们是（i）辐射过程和（ii）非辐射过程。在辐射过程中，E-H对重组和光子发出。这是光子吸收过程的倒数。电子孔对也可以重组而不会发光。相反，它们可能会发出（i）热量或（ii）光子或（iii）长波长光子与光子一起发出。这样的过程是非辐射过程。当电子和孔被泵入半导体中时，它们通过自发发射过程重组。此过程不需要光子来进行光子发射过程。自发重组率对于电子和光电设备都非常重要。载体注射的类型（i）少数载体注射，如果N >> P和样品大量掺杂的N型重组率与孔密度成正比。因此，重组率与少数载体密度成正比（孔中的孔）（ii）强注射
在2D材料中查看光诱导的量子现象
过去二十年来目睹了对Van-der-Waals（VDW）材料的研究爆炸，这是一类广泛的固体，在该固体中，平面晶体板由VDW部队粘合在一起。通常，这些材料只能将其稀释为几个原子层，甚至可以将其变成单个原子纸，从而意识到其传统散装形式的二维（2D）变体。由于在2000年代初期的单层（1L）的第一次驱动器以来，已经将各种VDW材料隔离并以2D极限进行了隔离和研究，包括金属，宽间隙绝缘子，半导体，半导体，半金属，超级导管，磁性材料，磁性材料，以及更多。[1]中，在这些半金属中，例如石墨烯和2D半导管，通常由VI组VI过渡金属二甲硅烷基（TMDC）代表，在基本凝聚的物理学以及在电子，电子，光电电子技术中以及在基本凝聚的物理学方面创造了令人兴奋的新机会。[2-4]由于光学相互作用和频段结构发生了巨大变化，在从几层到1L极限的过渡中可能发生，因此在2D Light-Matter相互作用和超级超平均光电设备中证明了2D半导体和半米的独特机会。这值得探索其光诱导的物理学，从而导致新型量子现象。2D材料的关键特性之一是增强的电子 - 电子库仑相互作用，其介电筛选和低维度引起。这些相互作用不仅强烈修改平衡频带结构，而且更改了（照片）激发的带构结构。[5]，例如，强烈结合的激子[6]（由绑定的电子和孔组成），即使在室温下，也要赋予2D半导体的光学响应。这些摘录显示出各种各样的物种，具有不同的自旋，[7] Monma，[8]和电荷[9]影响其光 - 肌电相互作用的频谱，动力学和应用。2D材料的另一个属性是它们能够将其堆放到其他2D材料和基板上，几乎没有约束。[10]这些结构中的层间相互作用促进了一种独特的手段，用于设计异质结构属性和功能，而不是组成材料的材料。[11,12]这些属性包括动量依赖性层
静电纺丝技术的进步与创新
纤维因其优异的拉伸性、透气性和高孔隙率而在诸多领域具有广泛的应用前景。人们已经开发出许多方法来使用各种材料来生产合成纤维，其中，静电纺丝是一种广泛使用且有效的生产微纳米级纤维（纤维直径范围从 2 纳米到几微米）的方法[5]。除静电纺丝外，大多数其他传统的纤维生产方法，如湿纺和干纺、拖曳纺丝、凝胶纺丝和三维 (3D) 打印，都仅依靠机械拉伸或剪切应力来拉伸和变细纤维射流；因此，它们通常很难在不导致纤维断裂的情况下生产出纤维直径小于 10 毫米的超薄纤维[6]。静电纺丝利用强静电力将聚合物溶液或熔体拉伸成细射流，最终形成微/纳米纤维沉积。这种现象最早在一个多世纪前被发现和描述 [ 7 ]，但直到 20 世纪初，“静电纺丝”一词才正式提出 [ 8 ]。从那时起，关于这种用途广泛且简单的纤维生产技术的研究一直在显着增长 [ 9 ]。随着材料科学和纳米技术的最新发展，新材料已与静电纺丝技术相结合，例如导电材料、能量产生材料以及生物相容性和生物活性材料。利用这些新材料功能化的电纺微/纳米纤维不仅保留了超薄纤维的物理优点，例如高长宽比、柔韧性、方向性和高孔隙率，而且还开辟了新颖的纤维和纺织设备配置和应用。例如，压电聚合物的使用使一系列本质上灵活和透明的能量收集器和自供电传感器成为可能[10，11]。用聚合物和金属或陶瓷制成的复合材料纤维在新型传感和光电设备中显示出良好的应用潜力[12，13]。同时，这些新兴应用要求对电纺纤维的形貌和图案进行更精确、更方便和定制化的控制。因此，人们努力改进和调整静电纺丝装置和工作条件，并将纤维纺丝与其他先进加工技术（如 3D 打印和微流体）相结合。本章旨在全面描述静电纺丝的最新创新和技术进步。为了让不熟悉静电纺丝的读者有效地阅读本章，我们在开头简要介绍了静电纺丝的物理原理和基本装置设计，然后讨论了
口头演示
会议1A：全体会议I会议椅：Xiuling Li和Luke Mawst，星期一，星期一，5月13日，2024年5月13日，凡尔赛塔，诺曼底舞厅2楼1 8:15 AM开幕词上午8:30 AM *1A.1 ALN -MOVPE ZLATKO ZLATKO SITAR; NCSU，美国单晶铝氮化铝的直接带隙为6.1 eV，还带来了实现深紫外光电子，极端RF和功率设备的技术机会，此外还可以进行量子相互作用。由于ALN底物实际上没有位错，可以将Movpe同型的表面形态从2D-核的控制到阶梯流增长，甚至逐层生长。生长过程通过全包表面动力学框架进行定量描述，该框架连接输入蒸气过饱和，表面过饱和，表面扩散长度和底物不良方向角度。表面特征的管理对于三元合金和均匀掺杂的生长至关重要。从历史上看，ALN的电导率非常有限，大概是由于DX - 过渡形成受体状态和随后的自我补偿，这对可实现的自由载体浓度施加了严重的上限。然而，最近的结果表明，该过渡代表了从浅层到深层供体状态的平衡热力学转变，该状态可以动力学控制。iii-V复合半导体现在通过各种方式与基于SI的电子设备集成了电信和数据通信的光纤网络中，以扩展集成系统的性能和功能。这些事态发展不仅具有强大的UV光电设备，而且还采用了近乎理想的基于ALN的Schottky二极管，支持高达3 ka/cm 2的电流，并且稳定的操作高达700°C，以高达700°C，证明了ALN作为极端环境电源设备的平台。上午9:15 *1A.2在SOI上集成III-V主动设备的新范式 - 沿左侧选择性Movpe Kei May Lau；香港科学技术大学，香港高性能高频和光子设备由复合半导体主导，复合半导体具有先天波长的灵活性，并可以促进电子的高速运输，并结合了异性结构。除了速度和带宽优势外，通过光子而不是电子发送数据可能会更多的能量
和宽带半导体的纳米技术
氮化盐和相关的宽带半导体（WBS）近年来一直受到广泛关注。其背后的主要原因是半导体的几个相关的高功率/高频材料参数，例如高分解场和低内在载流子浓度，具有带隙的比例。基于WBS的半导体设备允许在极端条件下运行，例如高温和电场。从IR到深色紫外线的各种波长，使带隙工程以及出色的电子传输特性使氮化物也使电子和光电设备具有吸引力。今天，基于氮化物的设备被广泛用于高性能雷达（主要是3D AESA），电信（LTE-A，5G），电力电子系统，发光二极管和激光器。尽管在过去的二十年中取得了长足的进步，但所有这些设备仍然是发挥其全部潜力的激烈研究的主题[1-4]。在本期特刊中，发表了八篇论文，涵盖了宽带隙半导体设备技术的各个方面，从底物到epi-Egrowth和epi-Growth和emaking topor掺杂，再到HEMTS的新型过程模块，垂直整合的LED和激光二极管，以及基于NWS的纳米固醇。K. Grabianska等。报道了波兰Unipress的最新批量GAN技术进展[5]。已经对两个过程进行了彻底研究，即基本的氨热生长和卤化物蒸气期的外观以及它们的优势，缺点和详细讨论的前景。M. Stepniak等。 [8]。M. Stepniak等。[8]。作者假设在几年内高质量2英寸。真正的散装gan底物将大量提供，但如今，质量制造的主要方法将是HVPE，将AM-GAN晶体作为种子。[6]研究了GAN和Algan/Gan/Gan Hetereostrustures的选择性区域金属有机蒸气（SA-MOVPE）的过程，该过程旨在使用自下而上的建筑进行HEMT技术。获得了出色的生长均匀性，适当的结构预科，并获得了组成梯度的精确控制。讨论了SA-MOVPE过程在使基于GAN的3D纳米和微结构中用于电声，机电和集成的光学设备和系统的应用。K. Sierakowski等。[7]报道了高压在高温下植入后植入后退火的报道。讨论了该过程的热力学，并在两个方面研究了其GAN加工的应用。首先专注于GAN：mg用于P型掺杂，第二位于GAN上：被视为分析掺杂剂扩散机制的案例研究。为了防止gan表面分解，研究了退火过程的不同构造。mg激活超过70％，与与掺杂的gan相似的电性能一起达到了70％。Algan/GAN金属 - 胰蛋白酶高导体高电动晶体管（MISHEMT），其具有低温同育（LTE）生长的单晶ALN GATE介电介质。闸后退火效应
纳米材料和生物结构的消化杂志卷。 19，第1号，1月至2024年3月，第1页。 151 - 160制造，表征和EFF
B物理系，乔夫大学科学学院框：2014年，沙特阿拉伯萨卡卡州，c p粒子实验室，辐射物理部，国家辐射研究与技术中心（NCRRT），埃及原子能局（EAEA），埃及，埃及，埃及成功制备了柔性ppy/cuo nanocomposite，由polypyrole（ppy）组成的柔性PPY/CUO NANOCompose（PPY）（PPY）（PPY）（PPY）（ppy）。PPY和PPY/CUO的结构分析是由EDX，SEM，TEM和FTIR技术进行的，该技术提供了PPY/CUO纳米复合膜的成功捏造。theppy/cuO纳米复合材料的EDX分析揭示了与C，Cu，N和O元素相对应的特征峰，重量百分比分别为47.46％，9.05％，19.08％和24.41％。获得的结果提供了证实，PPY/CUO纳米复合膜不会表现出任何杂质成分的存在。FTIR注意到，PPY光谱的所有峰值也显示在PPY/CUO纳米复合膜的光谱中，峰值略有变化，其中这些变化随着CuO纳米颗粒内容的增加而增加。这项研究的发现表明PPY/CUO之间存在相互作用。此外，还采用了SEM来阐明（PPY）和PPY/CUO的形态。SEM证明氧化铜（CUO）均匀分布在纳米复合膜中。使用Tauc的关系，PPY和PPY/CUO膜的带隙和Urbach Energy。被确定。同时，CUO的存在导致PPY的带隙从3.42 eV减少到3.35 eV，3.32 eV和3.30 eV。将不同浓度（2.5％，5％和10％）添加到PPY中增加了PPY的URBACH尾巴，从而相应地导致能量值1.08 eV，1.11 eV和1.13 eV。因此，将CuO掺入PPY/CUO复合膜中诱导结构和光学修饰，从而使这些膜适合于光电设备中的利用。（2023年10月31日收到； 2024年1月19日接受）关键字：纳米复合膜，带盖，灭绝系数，光电系数1。简介聚合物纳米复合材料提供了许多功能，使它们具有很高的吸引力，适合多种用途[1,2]。将纳米颗粒整合到聚合物基质中会导致材料的增强，从而改善了其机械性能，例如刚度和韧性[3，4]。因此，将纳米颗粒掺入复合材料会导致抗冲击力增强，断裂韧性和抗疲劳性。因此，纳米复合材料对需要出色强度和持久性能的结构应用具有有利的特征[5,6]。聚合物纳米复合材料的机械，热，电和表面特性增加，有助于其各种特征和应用范围[7，8]。这些技术用于多个行业，例如汽车，航空航天，电子和纺织品[9]。
基于AI的车辆网络朝6G和IoT
单元2：牛顿的古典力学法律；相空间动力学，稳定性分析；中央力量运动；两体碰撞，散射在实验室和质量框架中；刚体动力学，惯性张量的力矩，非惯性框架和伪型；变分原理，拉格朗日和哈密顿的形式主义和运动方程；泊松支架和规范转换；对称，不变性和保护法，环状坐标；周期性运动，小振荡和正常模式；相对论，洛伦兹转化，相对论运动学和质量能量等效的特殊理论。单元3：电磁理论静电：高斯定律及其应用；拉普拉斯和泊松方程，边界价值问题；磁静态：生物武器定律，安培定理，电磁诱导；麦克斯韦（Maxwell）的方程式和线性各向同性介质中的方程式；界面的字段上的边界条件；标量和矢量电势；仪表不变性；自由空间，介电和导体中的电磁波；反射和折射，极化，菲涅尔定律，干扰，连贯性和衍射；等离子体的分散关系； Maxwell方程的Loentz不变性；传输线和波导指南；带电颗粒在静态和均匀电磁场中的动力学；移动电荷，偶极子和智障电位的辐射。单元4：量子力学波粒对偶性；坐标和动量表示中的波函数；换向者和海森堡的不确定性原则；矩阵表示；狄拉克的胸罩和样式法； Schroedinger方程（时间依赖性和时间无关）；特征值问题，例如粒子中的盒子，谐波振荡器等。;穿过障碍；运动中心的运动；轨道角动量，角动量代数，自旋；添加角动量；氢原子，自旋 - 轨道耦合，精细结构；时间独立的扰动理论和应用；变分方法； WKB近似；时间依赖的扰动理论和费米的黄金法则；选择规则；半古典辐射理论；散射，相移，部分波，天生近似的基本理论；相同的粒子，保利的排除原理，自旋统计量连接；相对论量子力学：klein gordon和dirac方程。单元5：热力学及其后果的热力学和统计物理定律；热力学潜力，麦克斯韦关系；化学潜力，平衡；相空间，微染色；微型典型，规范和宏大的合奏和分区功能；自由能和热力学量的连接；一阶相变；经典和量子统计，理想的费米和玻色气体；详细的平衡原则；黑体辐射和普朗克的分销法； Bose-Einstein凝结；随机步行和布朗运动；介绍非平衡过程；扩散方程。单元6：电子设备半导体设备物理，包括二极管，连接，晶体管，现场效应设备，HOMO和HETEROJUNTICT设备，设备结构，设备特性，频率依赖性和应用；光电设备，包括太阳能电池，光电探测器和LED；高频设备，包括
vitree-7月7日-2024-Session-syllabus.pdf
单元2：牛顿的古典力学法律；相空间动力学，稳定性分析；中央力量运动；两体碰撞，散射在实验室和质量框架中；刚体动力学，惯性张量的力矩，非惯性框架和伪型；变分原理，拉格朗日和哈密顿的形式主义和运动方程；泊松支架和规范转换；对称，不变性和保护法，环状坐标；周期性运动，小振荡和正常模式；相对论，洛伦兹转化，相对论运动学和质量能量等效的特殊理论。单元3：电磁理论静电：高斯定律及其应用；拉普拉斯和泊松方程，边界价值问题；磁静态：生物武器定律，安培定理，电磁诱导；麦克斯韦（Maxwell）的方程式和线性各向同性介质中的方程式；界面的字段上的边界条件；标量和矢量电势；仪表不变性；自由空间，介电和导体中的电磁波；反射和折射，极化，菲涅尔定律，干扰，连贯性和衍射；等离子体的分散关系； Maxwell方程的Loentz不变性；传输线和波导指南；带电颗粒在静态和均匀电磁场中的动力学；移动电荷，偶极子和智障电位的辐射。单元4：量子力学波粒对偶性；坐标和动量表示中的波函数；换向者和海森堡的不确定性原则；矩阵表示；狄拉克的胸罩和样式法； Schroedinger方程（时间依赖性和时间无关）；特征值问题，例如粒子中的盒子，谐波振荡器等。;穿过障碍；运动中心的运动；轨道角动量，角动量代数，自旋；添加角动量；氢原子，自旋 - 轨道耦合，精细结构；时间独立的扰动理论和应用；变分方法； WKB近似；时间依赖的扰动理论和费米的黄金法则；选择规则；半古典辐射理论；散射，相移，部分波，天生近似的基本理论；相同的粒子，保利的排除原理，自旋统计量连接；相对论量子力学：klein gordon和dirac方程。单元5：热力学及其后果的热力学和统计物理定律；热力学潜力，麦克斯韦关系；化学潜力，平衡；相空间，微染色；微型典型，规范和宏大的合奏和分区功能；自由能和热力学量的连接；一阶和二阶过渡；经典和量子统计，理想的费米和玻色气体；详细的平衡原则；黑体辐射和普朗克的分销法； Bose-Einstein凝结；随机步行和布朗运动；介绍非平衡过程；扩散方程。单元6：电子设备半导体设备物理，包括二极管，连接，晶体管，现场效应设备，HOMO和HETEROJUNTICT设备，设备结构，设备特性，频率依赖性和应用；光电设备，包括太阳能电池，光电探测器和LED；高频设备，包括