会议1A：全体会议I会议椅：Xiuling Li和Luke Mawst，星期一，星期一，5月13日，2024年5月13日，凡尔赛塔，诺曼底舞厅2楼1 8:15 AM开幕词上午8:30 AM *1A.1 ALN -MOVPE ZLATKO ZLATKO SITAR; NCSU，美国单晶铝氮化铝的直接带隙为6.1 eV，还带来了实现深紫外光电子，极端RF和功率设备的技术机会，此外还可以进行量子相互作用。由于ALN底物实际上没有位错，可以将Movpe同型的表面形态从2D-核的控制到阶梯流增长，甚至逐层生长。生长过程通过全包表面动力学框架进行定量描述，该框架连接输入蒸气过饱和，表面过饱和，表面扩散长度和底物不良方向角度。表面特征的管理对于三元合金和均匀掺杂的生长至关重要。从历史上看，ALN的电导率非常有限，大概是由于DX - 过渡形成受体状态和随后的自我补偿，这对可实现的自由载体浓度施加了严重的上限。然而，最近的结果表明，该过渡代表了从浅层到深层供体状态的平衡热力学转变，该状态可以动力学控制。iii-V复合半导体现在通过各种方式与基于SI的电子设备集成了电信和数据通信的光纤网络中，以扩展集成系统的性能和功能。这些事态发展不仅具有强大的UV光电设备，而且还采用了近乎理想的基于ALN的Schottky二极管，支持高达3 ka/cm 2的电流，并且稳定的操作高达700°C，以高达700°C，证明了ALN作为极端环境电源设备的平台。上午9:15 *1A.2在SOI上集成III-V主动设备的新范式 - 沿左侧选择性Movpe Kei May Lau；香港科学技术大学，香港高性能高频和光子设备由复合半导体主导，复合半导体具有先天波长的灵活性，并可以促进电子的高速运输，并结合了异性结构。除了速度和带宽优势外，通过光子而不是电子发送数据可能会更多的能量