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氮化盐和相关的宽带半导体(WBS)近年来一直受到广泛关注。其背后的主要原因是半导体的几个相关的高功率/高频材料参数,例如高分解场和低内在载流子浓度,具有带隙的比例。基于WBS的半导体设备允许在极端条件下运行,例如高温和电场。从IR到深色紫外线的各种波长,使带隙工程以及出色的电子传输特性使氮化物也使电子和光电设备具有吸引力。今天,基于氮化物的设备被广泛用于高性能雷达(主要是3D AESA),电信(LTE-A,5G),电力电子系统,发光二极管和激光器。尽管在过去的二十年中取得了长足的进步,但所有这些设备仍然是发挥其全部潜力的激烈研究的主题[1-4]。在本期特刊中,发表了八篇论文,涵盖了宽带隙半导体设备技术的各个方面,从底物到epi-Egrowth和epi-Growth和emaking topor掺杂,再到HEMTS的新型过程模块,垂直整合的LED和激光二极管,以及基于NWS的纳米固醇。K. Grabianska等。报道了波兰Unipress的最新批量GAN技术进展[5]。已经对两个过程进行了彻底研究,即基本的氨热生长和卤化物蒸气期的外观以及它们的优势,缺点和详细讨论的前景。M. Stepniak等。 [8]。M. Stepniak等。[8]。作者假设在几年内高质量2英寸。真正的散装gan底物将大量提供,但如今,质量制造的主要方法将是HVPE,将AM-GAN晶体作为种子。[6]研究了GAN和Algan/Gan/Gan Hetereostrustures的选择性区域金属有机蒸气(SA-MOVPE)的过程,该过程旨在使用自下而上的建筑进行HEMT技术。获得了出色的生长均匀性,适当的结构预科,并获得了组成梯度的精确控制。讨论了SA-MOVPE过程在使基于GAN的3D纳米和微结构中用于电声,机电和集成的光学设备和系统的应用。K. Sierakowski等。[7]报道了高压在高温下植入后植入后退火的报道。讨论了该过程的热力学,并在两个方面研究了其GAN加工的应用。首先专注于GAN:mg用于P型掺杂,第二位于GAN上:被视为分析掺杂剂扩散机制的案例研究。为了防止gan表面分解,研究了退火过程的不同构造。mg激活超过70%,与与掺杂的gan相似的电性能一起达到了70%。Algan/GAN金属 - 胰蛋白酶高导体高电动晶体管(MISHEMT),其具有低温同育(LTE)生长的单晶ALN GATE介电介质。闸后退火效应

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