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World File Search System光致发光
半导体铁电结构的一些特性
本文介绍了在 LiNbO 3 和 LiNbO 3 :Fe 衬底上采用水热法在低温下生长的 ZnO 纳米棒组成的半导体铁电结构的特性。通过扫描电子显微镜、光致发光和分光光度法分析了所得结构。给出了 SEM 图像和光谱、吸收光谱、紫外和可见光范围内的光致发光光谱。研究表明，可以与其他方法一起使用水热法合成 Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O 和 C 6 H 12 N 4 来获得 ZnO 纳米棒阵列，作为基于表面活性剂的紫外线辐射传感器的敏感元件。关键词：纳米棒；光致发光；扫描电子显微镜；吸收光谱 PACS：68.37.Hk，78.55.Ap，42.25.Bs，61.46.Km
通过光致发光光谱法阐明金属卤化物钙钛矿中的早期质子辐照效应
塞缪尔·埃里克森（Samuel Erickson），1卡利斯塔·卢姆（Calista Lum），1凯蒂·斯蒂芬斯（Katie Stephens），2 Mritunjaya Parashar，3 Darshpreet Kaur Saini，3 Bibhudutta Rout，3 Cheol Park，4 Timothy J. Peshek，Timothy J. Peshek，5 Lyndsey McMillon，5 Lyndsey McMillon，5材料和生物材料科学与工程，加利福尼亚大学，默塞德分校，默塞德，加利福尼亚州，美国3北德克萨斯大学，美国德克萨斯州登顿市北德克萨斯大学4高级材料和加工分支，NASA LANGLEY研究中心，弗吉尼亚州汉普顿，弗吉尼亚州23681，美国5光伏和电力化学领导人，乔治·艾尔纳·H·格兰德·艾尔纳（John H. *通信：sghosh@ucmerced.edu https://doi.org/10.1016/j.isci.2024.111586
203 CdMnSe 的光电特性...
摘要。所研究的光伏电池半导体结构由 SnO 2 镀膜玻璃和 CdMnSe 薄膜组成。通过检查激光功率和样品温度下 CdMnSe 薄膜表面的光致发光，研究了原生薄膜、空气退火薄膜和经过 CdCl 2 处理的薄膜。在玻璃基板上生长 Cd 1-x Mn x Se（x =0.02）薄膜。根据光电流的动力学衰减确定了脉冲照射下的载流子寿命。在激光辐射影响下对非平衡光电导弛豫曲线的研究证实了两个复合通道的存在——本征和杂质。光电流弛豫通过快速和慢速复合通道发生。与本征跃迁相关的快速弛豫时间 τ = 6 μs，而慢速弛豫时间则归因于杂质激发，τ = 22 μs。研究了Cd1-xMnxSe（x=0.02）薄膜的光致发光光谱，在光致发光研究中观察到两个最大值，它们是由供体-受体复合和Mn原子的中心内跃迁引起的。
光燃料测量设置-IITBNF
光致发光（PL）光谱是材料的强制性表征方法（例如III-V半导体）是一种无接触式的，无损害的，但同时非常有效且有用的实验，以研究材料的电子结构。如果光粒子（光子）的能量大于带隙能量，则可以吸收它，从而从价谱带从价值带到传导带，从而在禁止的能量间隙上升高。在这一点上，电子最终跌落回到价带失去能量作为从材料发出的发光光子。光子激发的过程随后是光子发射称为光致发光。
通过精细...
碳点（CDS）是一类低成本碳纳米材料的通用名称，最初在2004年报告，1个具有平均粒径低于10 nm的光致发光（PL）特性。2，由于其易于且廉价的合成，低毒性，6个高（水性）溶解度，光电特性，可轻松的修饰和稳定性，这种碳质材料对从生物成像到传感器，光电子的许多应用都具有吸引力，其含量为3-6。7当前生产CD的合成方法包括自上而下和自下而上的方法，这些方法通常提供各种大小的聚集石墨烯样层和较大的结构多样性，包括SP 2 / SP 3碳网络和以不同比率的氧气富官能组。结果，根据合成，CD的光致发光特性在量子产率上大大变化，从<1％到95％。在过去的十年中，已经报道了光激发波长依赖性和独立发射。8–11 CD的实验和理论研究表明，光致发光主要源于涉及SP 2碳的杂交轨道的π-π*过渡。
2D Ruddlesden – Popper Perovskites的激子工程通过协同调整内部和层间结构
为高性能选择应用设计二维卤化物钙钛矿需要深入了解控制其兴奋性行为的结构 - 陶艺关系。然而，尚未开发出由A位点和间隔阳离子进行修饰的内部和层间结构的设计。在这里，我们使用压力来协同调整内部和层间结构，并发现结构调制，从而改善了光电子的性能。在施加的压力下，（Ba）2（ga）Pb 2 I 7表现出72倍的光致发光和光电导率增长10倍。基于观察到的结构变化，我们引入了一个结构描述符χ，该结构描述χ描述了内部和间层间特性，并在χ和光致发光量子量产率之间建立了一般的定量关系：较小的χ与最小化的捕获激子的激子以及来自自由激子的最小生效发射。根据此原理构建，我们设计了一个钙钛矿（CMA）2（FA）Pb 2 I 7，该7 7具有较小的χ和令人印象深刻的光致发光量子产率为59.3％。
低伴侣钙钛矿与四烯的偶联用于单线裂变太阳能电池应用
a b s t r a c t实施单线裂变材料是提高太阳能电池效率的有效策略，而无需引入实质性的复杂性或成本。在这项研究中，我们探讨了包括四烯的双层系统中的单元激激裂裂变过程的可能性，该过程是基于铅（PB）和TIN（PB）和TIN（SN）的混合物（CH 3 NH 3 NH 3 NH 3 nH 3 nH 3 nH 3 X x Pb 1- i 3）。我们首先合成了一系列解决方案的低频带gap ch 3 nh 3 nh 3 x pb 1 -x i 3 perovskites（0 然后，我们将热蒸发的四烯耦合为有机分子三重敏敏化剂，三重态能量为≈1.3eV，ch 3 nh 3 nh 3 nh 3 x x pb 1 -x i 3 perovskites（0 我们的发现表明，从四烯烯到钙钛矿没有明显的能量转移，这是由四烯烯在钙钛矿的激发扫描中的负贡献所证明的，并且当与四烯交织时，钙钛矿峰的磁场光致发光响应没有磁场光致发光响应。 这些结果为开发基于钙钛矿的单线嵌入太阳能电池提供了宝贵的见解。然后，我们将热蒸发的四烯耦合为有机分子三重敏敏化剂，三重态能量为≈1.3eV，ch 3 nh 3 nh 3 nh 3 x x pb 1 -x i 3 perovskites（0 我们的发现表明，从四烯烯到钙钛矿没有明显的能量转移，这是由四烯烯在钙钛矿的激发扫描中的负贡献所证明的，并且当与四烯交织时，钙钛矿峰的磁场光致发光响应没有磁场光致发光响应。 这些结果为开发基于钙钛矿的单线嵌入太阳能电池提供了宝贵的见解。我们的发现表明，从四烯烯到钙钛矿没有明显的能量转移，这是由四烯烯在钙钛矿的激发扫描中的负贡献所证明的，并且当与四烯交织时，钙钛矿峰的磁场光致发光响应没有磁场光致发光响应。这些结果为开发基于钙钛矿的单线嵌入太阳能电池提供了宝贵的见解。
对绝对光致发光量子产率测量的实验室间比较，用三个商业整合球体设置转换磷光剂
摘要：分散在液体和固体矩阵和发光粉末中的散射发光材料与基本研究和行业越来越相关。示例是各种矩阵中不同组合物的发光纳米和微粒以及磷酸盐，或在能量转换，固态照明，医学诊断和安全条形码的陶瓷中纳入陶瓷。表征这些材料性能的关键参数是光发光/荧光量子产率（φF），即每个吸收光子的发射光子的数量。为了识别和量化散射样品绝对测量的不确定性来源，通过以下相同的测量方案进行了实验室和行业的三个实验室的实验室间比较（ILC）。因此，使用两种类型的商业独立的集成球体设置，具有不同的照明和检测几何形状，用于测量透明和散射染料溶液和固体磷光剂的φf，即YAG：CE Optoceramics，用于不同的表面粗糙度，用作蓝光的转换材料，用作蓝光的转换材料。特别重点是测量几何形状的影响，用于确定样品吸收的入射激发光的光子数量以及样品特异性表面粗糙度的光子数量。虽然液体样品的φf值匹配仪器之间，但具有不同空白的光学辅酶的测量结果显示出实质性差异。■简介ILC结果强调了测量几何形状，样品位置和空白的重要性，以用于散射YAG的可靠数据：CE OptoCeramics，空白的光学特性占不确定性超过20％的不确定性。
双激子中单光子的级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ，56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ，P1 和 P2 的提取线宽，绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e，P1 和 P2 的光子发射积分计数随着