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硅光子学产业的快速发展有望带来非电子技术前所未有的制造经济。除了大批量生产的潜力之外，硅光子学还为大规模光子处理架构开辟了可能性，而这在光纤或 III-V 族平台中是无法想象的 [1、2、3]。所有光子系统都需要光源。由于硅具有间接带隙，因此在室温下不易发光。因此，硅光子学的大部分研究都使用与光纤耦合的片上外部光源。使用外部光源会带来光纤封装和光纤到芯片插入损耗的巨大负担。人们已经投入了大量研究来开发用于硅光子的集成光源 [4]。每种方法都有优点和缺点。这些方法包括稀土元素掺杂（低亮度）、III-V 量子阱的晶圆键合 [ 5 ]（非单片集成步骤）、III-V 量子点的外延生长 [ 6 ]（专门的外延步骤）和锗的带隙工程 [ 7 ]（低屈服应变工程）。所有这些方法
硅钨中心的微环谐振器耦合光致发光
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