• 短和长工作距离设计 • 高耦合效率 • 高重复性和稳定性 • 在光栅耦合器锥度处,平面前波与光束近乎准直 • 可以实现超长工作距离 (WD) – 例如高达 >800 μ m • 在 Z 方向(光束传播方向)对垂直方向具有耐受性
10 2020 IEEE 第 70 届电子元件和技术会议 │ 2020 年 6 月 3 日 – 6 月 30 日
在减小移动设备外形尺寸和增加功能集成度方面,晶圆级封装 (WLP) 是一种极具吸引力的封装解决方案,与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出型 WLP (FOWLP) 的进步,与扇入型 WLP 相比,它是一种更优化、更有前景的解决方案,因为它可以在设计更多输入/输出 (I/O) 数量、多芯片、异构集成和三维 (3D) 系统级封装 (SiP) 方面提供更大的灵活性。嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 是一种扇出型 WLP,可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用,因为它有可能以经过验证的制造能力和生产良率发展为各种配置。eWLB 是一种关键的先进封装,因为它具有更高的 I/O 密度、工艺灵活性和集成能力。它有助于在一个封装中垂直和水平地集成多个芯片,而无需使用基板。结构设计和材料选择对工艺良率和长期可靠性的影响越来越重要,因此有必要全面研究影响可靠性的关键设计因素。
Peng, L. (2012)。用于集成电路 3-D 堆叠的晶圆级细间距 Cu-Cu 键合。博士论文,南洋理工大学,新加坡。
Nanonex 推出新型先进 12 英寸全晶圆纳米压印机 NX-2012,可提供 5 纳米以下压印分辨率新泽西州普林斯顿,2023 年 1 月 25 日:
我们的 A300 FOUP(前开式统一舱)是一种环保晶圆隔离舱,可提供卓越的防污染保护。它专为自动或手动处理 300 毫米晶圆而设计。集成晶圆支架可实现精确的晶圆平面性能和可靠的晶圆访问。可选的坚固 ESD 外壳可在容易产生静电荷累积的应用中为晶圆提供额外的保护。
目的基因 sgRNA 数目: 64853 ;阴性对照 sgRNA 数目: 2000 ; sgRNA 大小: 20bp
后减薄是半导体制造中器件制造和先进封装的关键部分。当由于处理困难导致最终晶圆厚度变得非常薄(比如 <100µm)时,载体支撑晶圆减薄就具有吸引力。减薄后处理(沉积、化学机械抛光 [CMP]、键合等)也受益于刚性和热机械稳定的支撑结构。为了实现最终晶圆的非常低的总厚度变化 (TTV),载体晶圆和临时键合材料(通常是粘合剂层)都必须提供足够低的 TTV。载体晶圆还必须具有合适的热膨胀系数 (CTE)。在本文中,我们介绍了一种玻璃载体解决方案和临时键合方法,它们结合起来可实现低 TTV 晶圆减薄。使用直径 150mm 的单晶钽酸锂晶圆进行可行性演示,仅通过晶圆研磨即可减薄 5µm。
台积电 80% 以上的收入来自 300 毫米晶圆制造的芯片/管芯,台积电正在建造的所有新晶圆厂均基于 300 毫米晶圆技术。较新的汽车 MCU 已转向 300 毫米晶圆技术,但仍有许多汽车 MCU 使用 200 毫米晶圆技术。
除了兼容 FIMS 之外,SB300 FOSB 还具有模制晶圆支架,可在 FOSB 的整个使用寿命期间提供精确且永久的晶圆平面定位,从而在竞争中脱颖而出。这些固定的晶圆平面减少了更换侧柱的需要,侧柱不仅难以清洁,而且尺寸不稳定。这种不稳定性可能会导致重复使用的竞争 FOSB 出现设备错误。模制晶圆支架更容易、更高效地清洁,从而创造更好的晶圆环境,同时在行业现在要求的多次重复使用周期中也更具可重复性和可靠性。