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n-power AI：临床试验设计中的自动样本量和功率分析的专业代理框架
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。它是此预印本版本的版权持有人，该版本发布于2025年2月8日。 https://doi.org/10.1101/2025.02.06.636776 doi：Biorxiv Preprint
在低功率5K-LUT FPGA上使用尖峰神经网络的实时SEMG处理
摘要 - 基于表面肌电图（SEMG）的分析的手动运动的准确建模为开发复杂的假体设备和人机界面的开发提供了令人兴奋的机会，从离散的手势识别转向连续运动跟踪。在这项研究中，我们基于轻量级尖峰神经网络（SNN）和在晶格ICE40-ultraplus FPGA上实施了两种实时SEMG加工的解决方案，特别适用于低功率应用。我们首先评估离散手势识别任务中的性能，考虑到参考Ninapro DB5数据集，并在十二个不同的固定手势的分类中占83.17％的准确性。我们还考虑了连续填充力建模的更具挑战性的问题，在独立的扩展和收缩练习中引用了用于填充跟踪的Hyser数据集。评估表明，高达0.875的相关性与地面真正的力。我们的系统利用了SNN的固有效率，并在活动模式下消散11.31 MW，以进行手势识别分类的44.6 µJ，用于强制建模推理的手势识别分类和1.19 µJ。考虑动态功率消费管理和引入空闲时期，对于这些任务，平均功率下降至1.84兆瓦和3.69兆瓦。
具有再生能量的固定优先实时系统的动态功率管理
能耗是实时嵌入式系统的关键问题。通常，嵌入式设备应采用实时行为，因为任务即应用程序必须在截止日期之前完成其执行。大多数设备（例如传感器节点）在截止日期时不允许任何失败。据说他们是艰难的实时。因此，必须为这些嵌入式系统提供特定的实时操作系统，即使能量限制，也可以保证执行所有任务的可预测行为。首先，确定一组任务是否可以满足其时序要求很重要。最常见的想法是计算每个任务的最差响应时间，并将其与其截止日期进行比较。如果是这样，其次，调度算法应指示如何安排任务。经典的实时调度算法是在线，优先，优先级驱动和非闲置的（也称为工作）。他们根据准备处理的任务列表在频道上做出决定，但忽略将来会到达的任务。任务是根据优先驱动的策略安排的，即，最高优先级执行的现成任务，如果至少一个任务待执行，则处理器永远不会ives。在过去的50年中，已经开发了各种调度算法，以提高受时间限制的系统性能。其中之一是速率单调（RM）。另一个是最早的截止日期（EDF）[1]。尽管RM和EDF
具有软短路故障模式的 SiC 功率 MOSFET 中的栅极损伤积累和离线恢复
摘要 – 本文详细分析了特定类型的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 的短路故障机制，该 MOSFET 具有安全的开路故障类型特征。结果基于广泛的实验测试，包括晶体管的功能和结构特性，专门设计用于实现逐渐退化和逐渐累积的损伤。结果表明，软故障特征与栅极源结构的退化和最终部分短路有关。此外，在退化的组件上观察到由临时离线偏置引起的部分恢复。结果表明，这是一种现实的新选择，可在应用中部署，以提高系统级稳健性和系统级跳转运行模式能力，这在许多可靠性关键领域（例如运输）中非常重要。
DC和开关电源循环之间的IGBT功率模块的热应力分析比较
自数十年以来，PCT基本上是在直流模式下执行的，在DC模式下，仅通过传导损失（Joule效应）获得功率芯片的自加热。如今，此类可靠性测试也在高压下进行切换模式进行，其中通过传导和开关损耗的组合获得加热[3,9,10,11]。 在过去十年中，在切换模式下仅进行了相对少量的测试。 由于在最后一个模式中的应力条件更代表了运行中应用的压力条件，因此应有的应力和降解应与操作条件更好地相关。 无论测试模式如何，目标是评估组件，包装和互连的行为和寿命。 然而，可以根据传导和开关损耗之间的相对重量来修改芯片上的热应力分布。 因此，不仅有必要比较如今，此类可靠性测试也在高压下进行切换模式进行，其中通过传导和开关损耗的组合获得加热[3,9,10,11]。在过去十年中，在切换模式下仅进行了相对少量的测试。由于在最后一个模式中的应力条件更代表了运行中应用的压力条件，因此应有的应力和降解应与操作条件更好地相关。无论测试模式如何，目标是评估组件，包装和互连的行为和寿命。然而，可以根据传导和开关损耗之间的相对重量来修改芯片上的热应力分布。因此，不仅有必要比较
功率SIC MOSFET设备的失败降解相似性提交到短路应力和加速开关条件
2.2。方法论和实验结果，在每个脉冲之间，将重复的短路测试应用于DUT。测试条件为V ds = 600 V，V缓冲区= -5V/+18V和t情况=室温。已经进行了先前的研究[1，3]，以估计平均T SCWT（短路承受时间），约5 µs。找到了这段时间，设置了脉冲宽度的70％T SCWT（3.5 µs）的百分比。因此，防止热失控，然后防止了灾难性的排水量故障模式。SC中的所有测试设备仅显示栅极源降解。图2，第一个短电路事件（＃Cycle1，蓝线）和最后一个（＃Cycle400，红线）中的波形显示。在栅极电流（I G）上观察到的异常效应（电流凸起）可能是由于PCB（印刷板电路）寄生元件引起的电磁干扰以及相关的共同模式电流。
直流微电网功率平衡的经济约束优化：多源电梯系统应用
本文考虑了一种离散时间调度方法，用于实现连续时间直流微电网系统的功率平衡。高阶动力学和电阻网络分别用于对集中式微电网系统的电力存储单元和直流总线进行建模。采用图上的 PH（Port-Hamiltonian）公式来明确描述微电网拓扑。这种建模方法使我们能够推导出一个离散时间模型，该模型可以保持物理系统的功率和能量平衡。接下来，使用所提出的控制模型制定了受约束的经济 MPC（模型预测控制），以有效管理微电网运行。网络建模方法和基于优化的控制的系统组合使我们能够生成适当的功率分布。最后，通过在不同场景下使用真实数值数据对特定直流微电网电梯系统进行仿真和比较结果，验证了所提出方法的优势。
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。