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World File Search System半导体器件
制造功率器件必不可少的先进离子注入技术
如果没有汽车、智能手机、电脑等各种产品中所包含的半导体，我们的日常生活就无法实现。另一方面，随着电动汽车（EV）的普及，未来用电量肯定会持续增加。我们需要的是高效利用电力。其中的关键是功率器件（功率半导体）。近年来，作为实现高效利用电力的下一代功率器件材料，碳化硅（SiC）备受关注。住友电工集团旗下的日新离子设备株式会社从 1970 年代开始推动半导体制造工序中不可或缺的离子注入技术的开发，并向市场推出了一流的设备。随着SiC功率器件受到关注，该公司开发了符合社会和市场需求的新型离子注入机，并获得了多方好评。但是，用于SiC功率器件制造的离子注入技术尚未成熟。正在进行产品开发，以实现进一步的发展。通过广泛使用SiC功率器件减少温室气体排放将极大地帮助实现碳中和社会。本期介绍业界第一台专为SiC功率器件设计的离子注入机的开发历史和创新性。
微电子与 VLSI 设计 - IISc，YRM 班加罗尔
1. 集成电路设计：低功耗电子器件、集成电力电子器件、毫米波和太赫兹电子器件/MMIC、通信和传感用射频集成电路、神经形态硬件等。2. 基于电荷（纳米电子学）以及自旋（自旋电子学）的器件3. 纳米材料和纳米器件科学4. 微/纳电子应用新型材料的生长5. 能源（材料和器件）：无机和有机半导体光伏电池、能量收集器等6. 计算纳米电子学7. 光子学、神经形态和量子技术的材料和器件8. 纳米机械传感器和系统、NEM 与微电子集成、RF-NEM 等9. 宽带隙和其他功率半导体器件
半导体制造及封装技术
[2025 年 1 月 20 日至 31 日，16:00 至 20:00] ▪ 半导体制造 - 制造半导体器件（如集成电路 (IC)）的过程 ▪ CMOS 制造 ▪ 晶体生长和清洗 ▪ 热氧化和后端技术 ▪ 光刻和蚀刻 ▪ 扩散和离子注入 ▪ 沉积和蚀刻（PVD、CVD、PECVD） ▪ 半导体键合、封装和测试 - 保护半导体器件并将其连接到外部环境的过程 ▪ 组装和包装 ▪ 半导体封装中使用的材料，如陶瓷和塑料 ▪ 用于连接组件的引线键合或倒装芯片键合技术 ▪ 测试封装设备以确保其符合性能规范
集成电路设计与技术（ICICDT）
范围和主题 我们诚征原创论文，介绍与半导体电路、设计、器件、技术和工艺相关的设计技术边界，包括但不限于以下领域：• 先进材料和加工技术• 功率半导体技术和电路• 先进封装、横向和垂直（2.5D 和 3D）集成• 复合半导体、2D 材料• 数字电路、低功耗存储器件和电路• RF/模拟、混合信号、ESD 保护器件和电路• 制造、产量和测试设计• 片上系统 (SoC) 和系统级封装 (SiP) 设计集成• 新兴技术、电路和应用（MEMS、存储器、物联网、自动驾驶汽车、机器学习、人工智能）
