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World File Search System单层
双轴菌株调节单层WS2
单层二硫化钨（1L-WS 2）是一种直接带隙原子层的半导体材料，单层金属二核苷元素（1L-TMDS）中具有应变可调节光学和光电特性。在这里，我们演示了从柔性聚碳酸酯十字形底物转移的剥落的1L-WS 2薄片中的双轴应变上的上转化光致发光（UPL）。当将双轴菌株应用于1L-WS 2时，从0增加到0.51％时，可以观察到，UPL峰位置的红移最高为60 nm/％菌株，而UPL强度则表现为指数级增长，上升能量差异从-303到-303至-120 MEV。双轴应变下1L-WS 2的UPL的测得的功率依赖性揭示了一个光子涉及多音量介导的上转换机制。所展示的结果为推进基于TMD的光学上转换设备提供了新的机会，以实现未来的灵活光子学和光电子学。
单层量子近似优化算法干涉测量与热分布采样的联系
量子近似优化算法 (QAOA) 最初是为了在量子计算机上寻找组合优化问题的近似解而提出的。然而，该算法也引起了人们对采样目的的兴趣，因为在合理的复杂性假设下，理论上证明了算法的一层已经设计出了一种超出经典计算机模拟范围的概率分布。在这方面，最近的一项研究还表明，在通用伊辛模型中，这种全局概率分布类似于纯粹但类似热的分布，其温度取决于自旋模型的内部相关性。在这项工作中，通过对该算法的干涉解释，我们扩展了单层 QAOA 生成的本征态振幅和玻尔兹曼分布的理论推导。我们还从实际和基本角度回顾了这种行为的含义。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
使用开尔文探针力显微镜阐明纳米级单层 MoS2 中的压电性和应变
摘要：应变工程改变了原子级薄过渡金属二硫化物光学和电子性质。二维材料中高度不均匀的应变分布很容易实现，从而能够控制纳米级的性质；然而，探测纳米级应变的方法仍然具有挑战性。在这项工作中，我们通过开尔文探针力显微镜和静电门控表征非均匀应变单层 MoS 2，将应变的贡献与其他静电效应隔离开来，并能够测量长度小于 100 纳米的二维应变张量的所有分量。这些方法的组合用于计算由压电效应产生的静电势的空间分布，提供了一种表征非均匀应变和压电性的强大方法，可以扩展到各种二维材料。关键词：二维材料、过渡金属二硫化物、应变、压电性、开尔文探针力显微镜
通过铁掺杂的碳化硅石墨烯单层吸附布洛芬：DFT探索药物输送见解
通过执行密度功能理论（DFT）计算来研究非甾体类抗炎药的吸附，提供了抽象的药物输送见解。布洛芬（IBU），由铁掺杂的碳化硅（FSIC）石墨烯单层。在这方面，优化了IBU，SIC和FSIC的单个模型以获得其稳定的几何形状和特征，其中为增强的FSIC石墨烯单层发现了出色的成就，可用于原始的SIC石墨烯单层，以与IBU物质相互作用。随后，通过重新调整Bimolecular模型来获得IBU@SIC和IBU@FSIC复合物，并以-1.44 kcal/kcal/kcal/kcal/kcal/mol和-43.14 kcal/mol/mol/mol，相应地，对IBU的相互作用和SIC和SIC和FSIC的单层相互作用的形成进行了研究。此外，还发现了铁掺杂区域在管理FSIC和IBU对应物之间的相互作用方面的显着作用。o…fe相互作用在IBU@FSIC复合物中的存在得到了分子（QTAIM）分析中原子量子理论的结果肯定。电子分子轨道结果表明，与SIC石墨烯单层相比，FSIC石墨烯单层较软，可以更好地参与与IBU物质的相互作用。比较了态度（DOS）图（DOS）图和能量差距（GAP）距离的距离（GAP）的距离（GAP）的距离（GAP）距离与单一石墨烯单层与复杂状态的边界分子水平的距离相比，FSIC比SIC更容易IBU检测IBU检测。作为最后的说明，在该领域进一步研究后，发现了IBU@FSIC复合物的适用性，可作为拟议的药物输送平台工作。
单层WSE2带有双轴应变调谐的上传感器的光致发光
摘要：机械应变可用于调整单层过渡金属二核苷（1L-TMD）的光学特性。在这里，从1l-wse 2薄片的上转换光致发光（UPL）用通过十字形弯曲和压痕法诱导的双轴应变调节。发现，随着施加的双轴应变从0％增加到0.51％，UPL的峰位置被大约24 nm红移。同时，对于在-157 MeV至-37 MeV之间的宽范围内的上转换能量差，UPL强度指数增加。在三种不同的激发波长为784 nm，800 nm和820 nm处的1L-WSE 2中，UPL发射在1L-WSE 2中观察到的线性和肌功率依赖性表示多音辅助的一photon photon UpConversion发射过程。1L-TMDS的应变依赖性UPL发射的结果铺平了光子上转换应用和光电设备进步的独特途径。
通过电子照射和退火刺激的单层MOTE2中的相变
在二维（2D）过渡金属二进制基因元素（TMDS）之间，由于半导体H相和金属1T' - 相之间的自由能差异很小，因此对阶段工程应用进行了预测。同时，源于半导体H-MOTE 2通过MO 6 TE 6纳米线到立方钼的单层中的点缺陷的完整图片尚未报道，这是本研究的主题。在球形和色差校正的高分辨率高分辨率透射电子显微镜和 /或受到高温时，在单层H-MOTE 2中发生的相变的发生相变是由40 - 80 kV电子引发的。我们分析了40 kV和80 kV的电压下的损伤横截面，并将结果与其他TMD的先前发表的值相关联。然后，我们证明了电子束照射提供了一条途径，可以将独立的单层H-MOTE 2转换为一维（1D）MO 6 TE 6纳米线。将实验数据与第一个原理计算的结果相结合，我们通过电子光束诱导的能量转移，原子弹性和吸收吸收的相互作用来解释MOTE 2单层和MO 6 TE 6纳米线的转换。此外，将电子照射产生的效果与在真空中的原位退火产生的效果进行了比较，直到在约1000°C的温度下获得纯钼晶体，对高温固体到固体相变的详细理解可以为2D极限提供该材料的洞察力。
作为阳极材料探索1T和1H相的铁砷氧化物单层
*相应的作者： - pparida@iitp.ac..1摘要这项理论研究深入研究了两个六角形铁杆菌单层的结构，电子和电化学特性，1T-法和1H-FEAS，重点介绍其质地元素电池的潜在阳极材料。先前的研究强调了在室温下1T-雌激素的铁磁性质。我们的计算表明，这两个阶段都具有自旋偏振电子带结构的金属行为。电化学研究表明，1T-五叶单层对液离子的离子电导率比1H-FEAS期更好，这归因于0.38 eV的较低的激活屏障。此特征表明充电速度更快。两个富阶段均表现出可比的理论能力（372mahg⁻。），表现优于商业石墨阳极。最大LI原子吸附的平均开路电压为1H-FEAS为0.61 V，1T-FEAS的平均开路电压为0.61 V。在这两个阶段上LI原子的最大吸附上的体积膨胀也非常小于商业使用的阳极材料（例如石墨）。此外，Li原子上的吸附到1H-五叶中可以引起从铁磁性到抗铁磁性的显着过渡，对电子带结构的影响很小。相比之下，1T-FEAS的原始状态仍然不受LI吸附的影响。总而言之，1T-FEAS和1H-FEAS单层作为锂离子电池的有前途的阳极材料的潜力，为LI吸附后的电化学性能和相变行为提供了宝贵的见解。关键字：铁砷化铁，2D物质，阳极材料，扩散屏障，自旋极化。
二维MSI2N4（M = GE，SN和PB）单层
摘要MOSI 2 N 4和WSI 2 N 4的二维（2D）分层晶体的最新增长引起了人们对其出色的特性和潜在应用的重大兴趣。这一发展为新的和大型的2D材料铺平了道路，其一般公式为MA 2 Z 4。在这方面，由这个令人兴奋的家族驱动的，我们提出了M si 2 N 4（M = GE，SN和PB）单层的两个结构阶段（1T - 和1H-），并通过使用第一个Principles方法研究了它们的结构，振动，机械，电子和光学特性。这两个阶段具有相似的凝聚力，而1T结构在能量上比其1H对应物更有利。对声子光谱和从头算分子动力学模拟的分析表明，除1H -GESI 2 N 4外，所有建议的单层即使在高温下也是动态稳定的。通过计算其弹性常数（C IJ），平面刚度（Y 2D），泊松比（ν）和最终的拉伸应变（UTS）来检查所提出晶体的弹性稳定性和机械性能。值得注意的是，所考虑的系统表现出突出的机械特征，例如实质的内部刚度和高UTS。计算出的电子带结构表明，1T - 和1H-M SI 2 N 4纳米片是宽频段间隙的半导体，其能带间隙从可见光到光谱的紫外线范围跨度，适用于高强度的纳米电源设备的应用。最后，对光学性质的分析表明，设计的系统具有各向同性光谱，并且取决于系统的类型，紫外线的鲁棒吸收和可见光（尤其是在1H -PBSI 2 N 4 4 Monolayer中）。我们的研究不仅向2D MA 2 Z 4晶体的家族介绍了新成员，而且还揭示了他们有趣的物理特性，并建议他们作为多种纳米力学和光电应用的有前途的候选人。