机构名称：
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在二维（2D）过渡金属二进制基因元素（TMDS）之间，由于半导体H相和金属1T' - 相之间的自由能差异很小，因此对阶段工程应用进行了预测。同时，源于半导体H-MOTE 2通过MO 6 TE 6纳米线到立方钼的单层中的点缺陷的完整图片尚未报道，这是本研究的主题。在球形和色差校正的高分辨率高分辨率透射电子显微镜和 /或受到高温时，在单层H-MOTE 2中发生的相变的发生相变是由40 - 80 kV电子引发的。我们分析了40 kV和80 kV的电压下的损伤横截面，并将结果与其他TMD的先前发表的值相关联。然后，我们证明了电子束照射提供了一条途径，可以将独立的单层H-MOTE 2转换为一维（1D）MO 6 TE 6纳米线。将实验数据与第一个原理计算的结果相结合，我们通过电子光束诱导的能量转移，原子弹性和吸收吸收的相互作用来解释MOTE 2单层和MO 6 TE 6纳米线的转换。此外，将电子照射产生的效果与在真空中的原位退火产生的效果进行了比较，直到在约1000°C的温度下获得纯钼晶体，对高温固体到固体相变的详细理解可以为2D极限提供该材料的洞察力。
通过电子照射和退火刺激的单层MOTE2中的相变
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