我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触,我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs),在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性,与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下,由于杂质和长程库仑散射,迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致,表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
由于其独特的属性和应用程序而产生的利息。此外,它们已在广泛的应用中应用,包括催化,储能和生物医学工程。3,4许多先前的研究报道了Ag 2 O /TiO 2,5 WO 3 /ZnO NC,6个SNO 2 /MGO NCS,在抗菌中使用2 O 3 /ZnO NCS 8中的7中,以及由于其出色的特性而进行的抗癌应用。此外,通过添加另一种材料(石墨烯(GO),氧化石墨烯(RGO)(RGO)和聚合物),可以通过改进的合成过程来增强这些NC的物理化学特性。不同的方法,用于制备和生物医学的应用,以减少氧化石墨烯(RGO)的不同金属氧化物NP,以提高其物理化学特性。9,10,例如水果提取物(凤凰
无论是有意产生声波还是试图减轻不必要的噪音,声音控制都是一个充满挑战和机遇的领域。这项研究探讨了传统织物作为声音发射器和抑制器的作用。当将丝绸织物连接到压电纤维致动器的单股上时,它会发出高达 70 dB 的声音。尽管织物结构复杂,但振动计测量结果显示其行为让人联想到经典的薄板。通过比较织物分析发现,相对于粘性边界层厚度的织物孔径会影响声发射效率。使用两种不同的机制证明了声音抑制。在第一种中,直接声干扰可将声音降低高达 37 dB。第二种依靠压电纤维平息织物振动,将振动波的幅度降低 95%,并将传输的声音衰减高达 75%。有趣的是,这种振动介导的抑制原则上可以无限减少声音。它还可以动态控制织物的声反射率,最高可提高 68%。130 μ m 丝织物的声音发射和抑制效率为服装、交通运输和建筑等各种应用中的声音控制提供了机会。
高效有机发光二极管 (OLED) 通常由多层堆栈组成,包括电荷传输层、电荷和激子阻挡层,以将电荷复合限制在发射层内。本文展示了一种基于热激活延迟荧光的高度简化的单层蓝光 OLED,其发射层简单地夹在由聚合物导电阳极和金属阴极组成的欧姆接触之间。单层 OLED 的外部量子效率为 27.7%,高亮度下滚降很小。内部量子效率接近 1,表明高度简化的无限制层单层 OLED 可以实现最先进的性能,同时大大降低设计、制造和设备分析的复杂性。
摘要:三氧化钼 (MoO 3 ) 是一种重要的过渡金属氧化物 (TMO),由于其在现有技术和新兴技术(包括催化、能源和数据存储、电致变色器件和传感器)中的潜力,在过去几十年中得到了广泛的研究。最近,人们对二维 (2D) 材料的兴趣日益浓厚,与块体材料相比,二维材料通常具有丰富的有趣特性和功能,这导致了对 2D MoO 3 的研究。然而,大面积真正的 2D(单原子层至几原子层厚)MoO 3 尚未实现。在这里,我们展示了一种简单的方法来获得晶圆级单层非晶态 MoO3,该方法使用 2D MoS2 作为起始材料,然后在低至 120°C 的基板温度下进行紫外臭氧氧化。这种简单而有效的过程可产生具有晶圆级同质性的光滑、连续、均匀和稳定的单层氧化物,这通过几种表征技术得到证实,包括原子力显微镜、多种光谱方法和扫描透射电子显微镜。此外,使用亚纳米 MoO3 作为夹在两个金属电极之间的活性层,我们展示了最薄的基于氧化物的非挥发性电阻开关存储器,该存储器具有低压操作和高开/关比。这些结果(可能可扩展到其他 TMO)将使进一步探索亚纳米化学计量 MoO3 成为可能,扩展超薄柔性氧化物材料和器件的前沿。关键词:晶圆级、单层、氧化钼、非晶态、电阻开关存储器
在二维(2D)过渡金属二进制基因元素(TMDS)之间,由于半导体H相和金属1T' - 相之间的自由能差异很小,因此对阶段工程应用进行了预测。同时,源于半导体H-MOTE 2通过MO 6 TE 6纳米线到立方钼的单层中的点缺陷的完整图片尚未报道,这是本研究的主题。在球形和色差校正的高分辨率高分辨率透射电子显微镜和 /或受到高温时,在单层H-MOTE 2中发生的相变的发生相变是由40 - 80 kV电子引发的。我们分析了40 kV和80 kV的电压下的损伤横截面,并将结果与其他TMD的先前发表的值相关联。然后,我们证明了电子束照射提供了一条途径,可以将独立的单层H-MOTE 2转换为一维(1D)MO 6 TE 6纳米线。将实验数据与第一个原理计算的结果相结合,我们通过电子光束诱导的能量转移,原子弹性和吸收吸收的相互作用来解释MOTE 2单层和MO 6 TE 6纳米线的转换。此外,将电子照射产生的效果与在真空中的原位退火产生的效果进行了比较,直到在约1000°C的温度下获得纯钼晶体,对高温固体到固体相变的详细理解可以为2D极限提供该材料的洞察力。
是由此动机,引起了人们对新2D半导体进行光催化水分裂的关注。对于完全光催化的水分裂,2D半导体应具有合适的带边缘对准,以满足光催化水分裂的带结构需求,包括带隙大于1.23 eV,并相对于v h + vh + vh +较高的势值(vbm)和最小值(cbm),并导致距离较高(CBM)(CBM)。 v oh - /o 2 = - 5.67 eV)。7 - 10此外,要考虑pH值范围为0到14,2D半导体光催化剂的带隙应大于2.0 eV,以确保光催化水分的还原反应。11 - 14此外,足够大的过电势和强大的可见光光吸收对于确保足够的驱动能量和相对较高的太阳能转化效率也至关重要。基于上述,全面的2D
在21世纪,面对气候变化的必要性变得紧迫,从而引起了个人的不利心理影响。气候变化焦虑的特征是对与气候变化有关的环境灾难的持续担忧,已成为一种值得注意的现象。为了衡量这一现象,研究人员引入了气候变化焦虑量表(CCAS),这是一种由22个项目组成的自我管理仪器。这项研究检查了意大利版22项CCA的心理测量特性,涉及189名大学生。利用确认因子分析(CFA),对意大利版本的CCAS的因子结构进行了审查。可靠性是通过Cronbach的alpha衡量的,而并发有效性是通过正面和负面影响时间表(PANAS)和偏见的健康问卷-4(PHQ-4)建立的。CCA表现出适合四因素模型(认知情绪障碍,功能障碍,气候变化经验和行为参与的经验)的足够。也证实了PANAS和PHQ-4的同时有效性。意大利语版本的CCA被认为是评估气候变化焦虑的可靠工具,即使在意大利语环境中,也为面对环境问题而言,为增强福祉的研究和干预措施提供了有希望的前景。
过渡金属二盐元化(TMDS)的单层表现出许多具有不同结构,对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法,这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导;最近提出,通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性,但尚未实现7,8。在这里,我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明(Mote 2)。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环,并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起,以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外,这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形(2H)相。在这种情况下,如图有趣的是,实验研究报道了另一种分层晶体结构,即单斜(1T')相。1a,每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成,并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同,单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性,在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度,以及在低维度中的强烈激子效应,使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里,在每个层中,丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位,沿y轴14的晶格失真(图1b)。与半导体2H相不同,半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性,预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争,共存和合作,以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用,例如记忆设备,可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止,通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变(参考5),通过元素取代18和激光照射19。但是,这些相变仅在几层或
网状芯的渗透性对于各种应用都很重要,包括两相传热。然而,人们对单层、独立式网状芯(两侧都有液气界面)的渗透性的理解有限。本文提出了一种新颖且更简单的方法来确定独立芯的渗透性并将其应用于代表性网格。该方法包括通过升高来修改毛细管压力,并同时测量渗透性以确定渗透性-毛细管压力关系。当应用于经过表面清洁的平纹铜网时,发现渗透性随着去离子水的毛细管压力的增加而降低。本文提出了一种维度分析,以将此数据推广到具有类似编织和流体的其他网格尺寸。基于达西定律与测量数据拟合的解析函数的结合,对网格在应用中的行为进行了建模,并根据获得的毛细管压力-渗透率关系进行了参数研究,以研究液体在不同驱动压力、输送长度和液体粘度下通过网格的表观速度。这项研究为网格芯的输送特性提供了宝贵的见解,并可能应用于电子冷却、电化学设备和流体净化技术等领域。