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World File Search System品质因数
基于单晶 LiNbO3 的宽带 BAW 滤波器 ...
摘要—大带宽体声波 (BAW) 滤波器是第五代 (5G) 通信系统的迫切需求。在这项研究中，我们在多层氧化物薄膜上制备了 43 ◦ Y 切割铌酸锂 (LN) 单晶薄膜，并成功实现了带氧化物布拉格反射器 (BR) 的体声波滤波器。介绍了滤波器的设计方法和制造工艺。利用原子力显微镜 (AFM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 来表征薄膜的质量。结果证明了将单晶薄膜转移到多层氧化物上的可行性，这对于限制声能是有效的。该谐振器的有效机电耦合系数为 14.6%，品质因数 (FOM) 为 32.94。该滤波器尺寸紧凑，为600 μ m×400 μ m，在中心频率为3.128 GHz时相对带宽为10.3%，有望应用于5G系统。
用于比较光谱的标准伽马射线光谱...
在国际原子能机构的主持下，人们已经开展了创建标准光谱（国际原子能机构 Gl 测试光谱）和进行比对的工作 [9, 10]。Sanderson 和 Decker [11] 以及 Sanderson [12] 也使用标准光谱评估了软件系统。美国国家标准协会 (ANSI) 就如何测试 γ 射线光谱程序提出了建议 [13, 14]，国际电工委员会 [15] 也给出了建议。在每种情况下，人们都对结果的可变性提出了严重担忧，并且这些人工生成的测试光谱的一些特性受到了批评，无论是否合理（Gilmore 和 Hemingway [16] 在概述中对此进行了讨论）。另一个问题是产生一个单一的品质因数来比较软件的可能性 [17]。
铌酸锂基谐振传感器的激光微加工及其在医疗设备中的应用
摘要：本文介绍了一种铌酸锂 (LiNbO 3 ) 材料的微加工工艺，用于快速制作医疗器械应用的谐振传感器原型设计。采用激光微加工制造铌酸锂材料样品。使用扫描电子显微镜对表面进行定性目视检查。使用光学表面轮廓仪定量研究表面粗糙度。通过激光微加工可实现 0.526 µ m 的表面粗糙度。在不同工作环境和不同操作模式下检查了激光微加工传感器的性能。该传感器在真空中的品质因数 (Q 因数) 为 646；在空气中的 Q 因数为 222。建模和实验结果之间的良好匹配表明，激光微加工传感器具有用作谐振生物传感器的巨大潜力。
用于亚波长限制的双耦合长程混合表面等离子体极化波导
摘要：本文提出了一种基于双SPP耦合用于亚波长限制的长距离混合波导。混合波导由金属基圆柱形混合波导和银纳米线组成。波导结构中存在两个耦合区，增强了模式耦合。强模式耦合使波导既表现出较小的有效模式面积（0.01），又表现出极长的传输长度（700 μm），波导的品质因数（FOM）可高达4000。此外，波导的横截面积仅为500nm×500nm，允许在亚波长范围内进行光学操作，有助于提高光电器件的小型化。混合波导的优异特性使其在光电集成系统中具有潜在的应用价值。
利用哈密顿量产生相干性
我们通过引入和研究汉密尔顿量的相干性生成能力，探索通过幺正演化产生量子相干性的方法。这个量被定义为汉密尔顿量可以实现的最大相干性导数。通过采用相干性的相对熵作为我们的品质因数，我们在汉密尔顿量的有界希尔伯特-施密特范数约束下评估最大相干性生成能力。我们的研究为汉密尔顿量和量子态提供了闭式表达式，在这些条件下可以产生最大的相干性导数。具体来说，对于量子比特系统，我们针对任何给定的汉密尔顿量全面解决了这个问题，确定了导致汉密尔顿量引起的最大相干性导数的量子态。我们的研究能够精确识别出量子相干性得到最佳增强的条件，为操纵和控制量子系统中的量子相干性提供了有价值的见解。
真空密封硅光子 MEMS 可调环形谐振器，具有对耦合和相位的独立控制
摘要：环形谐振器是硅光子学中滤波器、光延迟线或传感器的重要元件。然而，目前工厂中还没有低功耗的可重构环形谐振器。我们展示了一种使用低功耗微机电 (MEMS) 驱动独立调节往返相位和耦合的加/减环形谐振器。在波长为 1540 nm 且最大电压为 40 V 的情况下，移相器提供 0.15 nm 的谐振波长调谐，而可调耦合器可以将直通端口处的光学谐振消光比从 0 调节到 30 dB。光学谐振显示出 29 000 的被动品质因数，通过驱动可以增加到近 50 000。MEMS 环在晶圆级上单独真空密封，能够可靠且长期地保护免受环境影响。我们循环机械致动器超过 4 × 10 9
用途广泛的新型静电可调电容器
本文提出了一种适用于宽频率范围的新型静电可调电容器。针对其应用，提出了完整的设计规则来设计 0.01 pF – 2.05 pF 范围内的可变电容器。根据所需的电容值，设计的电容器占用 0.03 mm 2 – 1.12 mm 2 的空间，与相关已发表的文献相比非常小。使用浮动技术来获得高品质因数。所提出的电容器的品质因数在 1.28G 至 2.78GHz 的频率范围内在 45 到 100 之间，并且可调电容器的可调谐范围为 374%。在提出完整的设计规则和相关方程后，所提出的电容器用于带有螺旋电感器的放大器电路中，并评估了所提出的电容器的性能并将其与其他电容器进行了比较。使用 COMSOL Multiphysics 进行模拟。
InP（001）衬底上的长波长 InAs/InAlGaAs 量子点微盘激光器
在本信中，我们介绍了基于五叠自组装 InAs/InAlGaAs 量子点作为活性介质的长波长微盘激光器，这些量子点通过固体源分子束外延在 InP（001）衬底上生长。直径为 8.4 lm 的量子点微盘激光器在脉冲光泵浦条件下在室温下工作。实现了 1.6 lm 的多波长激光发射，低激光阈值为 30 lm W，品质因数为 1336。通过收集到的近场强度分布的“S”形 L-L 曲线、线宽变窄效应和强散斑图案验证了激光行为。所展示的具有低阈值和超紧凑占地面积的长波长激光器可以在集成气体检测和高度局部化的无标记生物和生化传感中找到潜在的应用。
VLSI 设计 (R20A0419)
第一单元简介：集成电路技术简介——摩尔定律、微电子演进、制造：NMOS、CMOS（n 阱、p 阱、双管）MOS 晶体管的基本电气特性：I DS - V DS 关系、MOS 晶体管阈值电压-V T 、品质因数-ω 0 、跨导- gm 、g ds ；传输晶体管、NMOS 反相器、由另一个 NMOS 反相器驱动的 NMOS 反相器的上拉与下拉比（Z=4:1）、各种上拉、CMOS 反相器的分析和设计。第二单元 VLSI 电路设计流程：VLSI 设计流程（Y 图）、MOS 层、棒图、设计规则和布局、基于 Lambda(λ) 的导线、触点和晶体管设计规则、NMOS 和 CMOS 反相器和门的布局图 MOS 电路的缩放、缩放的局限性
基于 VDVTA 和 OTA 的 CMOS 实现的全电子可调一阶全通滤波器，在低电源电压 ± 0.85 V 下具有最佳线性度
本文介绍了一种新型一阶全通滤波器配置。所提出的全通滤波器配置采用两种配置，即基于 VDVTA 和 OTA 的一阶全通滤波器配置。所提出的第一种配置采用单个 VDVTA 和一个接地电容器，而所提出的第二种配置采用两个 OTA 和一个接地电容器。所提出的两种配置都是完全电子可调的，其品质因数不依赖于可调极点频率范围。所报告的配置具有较低的主动和被动灵敏度，并且功耗较低，电源电压非常低，±0.85 V，偏置电压为±0.50 V。使用 0.18 µm CMOS 技术工艺参数验证了所提出的 VDVTA 和两个基于 OTA 的一阶全通滤波器配置的 PSPICE 模拟。