能源与生物制品研究所 - EBRI 塑料废物、化学回收、循环经济、催化热解、可持续性、生物质、人工智能、氢、膜、燃料电池、生物燃料、非均相催化、膜、水处理、废水、化学工程、二氧化碳转化、清洁能源、绿色催化、可持续塑料、生物加工、废物价值化、微生物学、生物能源、气化、生物炭、封存、热存储;热升级;生物热;可再生热能、机械工程、热能、加热和冷却、空调、热泵、平台化学、水相、催化、催化剂开发(合成、特性和测试)、纳米材料、低碳燃料、先进燃烧、排放、发动机性能 请参阅能源与生物制品研究所 - EBRI 的列表,项目在这里
摘要。我们考虑由传统供应商,绿色供应商和制造商组成的绿色供应链。我们研究了供应商原材料价格的最佳策略,以及制造商的生产和绿色原材料订购。特别是我们考虑了三种价格竞争模型:传统供应商领导的模型,绿色供应商领导的模型和NASH游戏模型。结果表明,绿色供应商的占主导地位,绿色材料价格的可能性越高,高于传统材料价格。此外,制造商的产品绿色水平是绿色供应商领导的模型下最低的,并且是传统供应商主导的模型下的最高水平。我们还发现,随着制造商的产量不确定性提高,传统和绿色原材料的价格均相对于制造商的产品绿色水平降低。此外,随着客户的绿色偏好增加,绿色原材料的价格上涨,传统原材料的价格下降,产品绿色水平也会提高。
先进材料的物理化学和热性能 光谱方法的热物理方面(成分、介电、声学、机械)。 功能电陶瓷材料:电介质、弛豫体、铁电体和多铁性材料。 四方钨青铜 (TTB) 和钙钛矿相关陶瓷的结构特性。 材料中的动态过程:模拟电介质偶极子的热诱导弛豫。 基本动力学和非均相过程动力学:等转化、高级线性增量程序、用于区分动力学模型的复杂动力学方法、主图。 复杂无机前体和有机(液晶、染料)化合物的热稳定性。 表面科学:薄膜和多孔材料。 用于获得软材料薄膜的激光辅助技术及其在生命科学中的应用。 科学贡献
● 生物物理化学基础研究 ● 分子动力学模拟 ● 机械化学 ● 软物质的平衡和非平衡统计力学 ● 生物聚合物/大分子的结构和动力学 ● 材料化学和非均相催化 ● 有机大分子——材料和生物医学中的设计、合成和应用 ● 离散超分子集合的自组装形成及其功能应用研究 ● 用于选择性吸附和封存污染物/危险物质的工程介孔聚合物 ● 用于生物医药的功能纳米结构的制造 ● 用于靶向治疗的新型分子实体的设计、合成和开发 ● 药物发现中的生物正交化学 ● 计算催化和小分子活化 ● 新型有机和过渡金属催化体系和人工金属酶的计算机设计 ● 用于研究生物分子金属相互作用的荧光光谱。
参数 最小值 最大值 单位 VDD1,VDD2 电源电压 2 – 0.5 6.5 V VINP,VINN 模拟输入电压 GND1 – 6 6.5 V VOUTP,VOUTN 模拟输出电压 GND2 – 0.5 VDD2 + 0.5 3 VI IN 除电源引脚外任何引脚的输入电流 – 10 10 mA TJ 结温 150 °CT STG 存储温度 – 65 150 °C 注:1. 超出绝对最大额定值下所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值,并不保证器件在这些条件下或任何其他超出建议工作条件的条件下能够正常运行。长时间暴露于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。 2. 所有电压值均相对于本地接地端子(GND1 或 GND2),并且为峰值电压值。 3. 最大电压不得超过 6.5 V。7.2 ESD 额定值 值 单位
缺乏对金属 - 触发器界面处等离子体介导的电荷转移的详细机械理解,严重限制了有效的光伏和光催化装置的设计。与直接的金属到 - 触发器界面电荷转移相比,由金属中等离子体衰变产生的热电子产生的热电子的间接转移的相对贡献是相对的贡献。在这里,当对共振激发时,我们证明了从金纳米棒到氧化钛壳的总体电子转移效率为44±3%。我们证明,其中一半源自通过激发等离子的直接界面电荷转移。我们能够通过多模式的频率分辨方法来区分直接和间接途径,通过单粒子散射光谱和具有可变泵波长的时间分辨瞬态吸收光谱测量均相等离子体线宽。我们的结果表明,直接等离子体诱导的电荷转移途径是提高热载体提取效率的一种有希望的方法,该方法主要通过非特异性加热而导致的金属内在衰减。
电源电压范围,V CC (参见注 1)−0.6 V 至 7 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。电源电压范围,V PP (参见注 1)-0.6 V 至 14 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入电压范围(见注 1),除 A9 外的所有输入 -0.6 V 至 V CC + 1 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。A9 -0.6V 至 13V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输出电压范围,相对于 V SS (见注 1) -0.6 V 至 V CC + 1 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围('27C040-_ _JL 和 '27PC040-_ _FML)0 °C 至 70 °C。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围(’27C040-_ _JE 和’27PC040 _ _ FME)− 40 °C 至 85 °C。。..........存储温度范围,T stg −65 ° C 至 125 ° C ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............‡ 超出“绝对最大额定值”所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是应力额定值,并不暗示设备在这些或“建议工作条件”所列以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间暴露于绝对最大额定条件可能会影响设备的可靠性。注 1:所有电压值均相对于 GND。
† 超出“绝对最大额定值”所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值,并不暗示器件在这些或“建议工作条件”所列以外的任何其他条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。注意事项: 1.所有电压值(除为测量 IOS 而指定的差分电压和 VCC 外)均相对于网络 GND。2.差分电压为 IN+ 相对于 IN–。3.输出与 VCC 短路可能会导致过热并最终损坏。4.最大功率耗散是 TJ(max)、θ JA 和 TA 的函数。在任何允许环境温度下的最大允许功率耗散为 PD = (TJ(max) – TA)/θ JA。在绝对最大 TJ 150°C 下运行会影响可靠性。5.封装热阻抗根据 JESD 51-7 计算。6.最大功率耗散是 TJ(max)、θ JC 和 TC 的函数。在任何允许外壳温度下的最大允许功率耗散为 PD = (TJ(max) – TC)/θ JC。在绝对最大 TJ 150°C 下运行会影响可靠性。7.封装热阻抗按照 MIL-STD-883 计算。
参数 最小值 最大值 单位 VDDP、VDDL 逻辑侧电源电压 2 –0.5 6.0 V VISO OUT、VISO IN 总线侧电源电压 2 –0.5 6.0 VVI 逻辑侧输入电压(TXD) –0.5 VDDL + 0.5 3 VV BUS 总线引脚(CANH、CANL)上的电压,参考 GND2 –42 42 VV BUS_DIFF 总线引脚(CANH – CANL)上的差分电压 –42 42 VIO RXD 引脚上的输出电流 –20 20 mA TJ 结温 –40 150 °CT STG 存储温度 – 65 150 °C 注:1. 超出绝对最大额定值所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值,并不保证器件在这些条件下或超出建议工作条件任何其他条件下能够正常运行。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。2. 所有电压值均相对于本地接地端子(GNDP1/GND1 或 GNDP2/GND2),且为峰值电压值。3. 最大电压不得超过 6V。7.2 ESD 额定值 值 单位