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垂直 SiGe 纳米线中堆叠 Si 量子点的可控形成
摘要：我们展示了在 SiGe 纳米线内制造垂直堆叠 Si 量子点 (QD) 的能力，QD 直径最小为 2 纳米。这些 QD 是在 Si/SiGe 异质结构柱的高温干氧化过程中形成的，在此过程中 Ge 扩散沿着柱的侧壁使用并封装 Si 层。持续氧化会产生 QD，其尺寸取决于氧化时间。观察到封装 Si QD 的富 Ge 壳的形成，分子动力学和密度泛函理论证实该配置在热力学上是有利的。Si 点/SiGe 柱的 II 型能带排列表明 Si QD 上可以实现电荷捕获，电子能量损失谱表明，即使是最小的 Si QD 也能保持至少 200 meV 的导带偏移。我们的方法与当前的 Si 基制造工艺兼容，为实现 Si QD 设备提供了一条新途径。关键词：Si 量子点、Si/SiGe 柱、高温氧化、垂直堆叠 QD
CVD Bernal 堆叠双层石墨烯中的可调 1/f 噪声...
摘要：低频噪声是几乎所有电子系统中限制性能的关键因素。凭借其极高的电子迁移率等优异特性，石墨烯在未来的低噪声电子应用方面具有很高的潜力。本文，我们对基于化学气相沉积 Bernal 堆叠双层石墨烯的双栅极石墨烯晶体管中的低频噪声进行了实验分析。制备的双栅极双层石墨烯晶体管分别采用原子层沉积的 Al 2 O 3 和 HfSiO 作为顶栅极和背栅极电介质。结果揭示了明显的 M 形栅极相关噪声行为，可以用定量电荷噪声模型很好地描述。在室温下，10 Hz 下的最小面积归一化噪声谱密度低至约 3 × 10 − 10 μ m 2 · Hz − 1，远低于之前报道的石墨烯器件的最佳结果。此外，在 20 K 温度下，观察到的噪声水平进一步降低了 10 倍以上。同时，噪声谱密度幅度可以在 20 K 时通过双栅极电压调整超过 2 个数量级。关键词：Bernal 堆叠双层石墨烯，双栅极晶体管，1/f 噪声，电荷噪声模型，低温■引言
基于非线性特征提取和堆叠集成学习的混合EEG-fNIRS脑机接口
a 哈尔滨工业大学计算机科学与技术学院，哈尔滨，中国 b LINEACT CESI，里昂 69100，法国 c 埃法特大学电气与计算机工程系，吉达 22332，沙特阿拉伯 d Persistent Systems Limited，那格浦尔，印度 e AGH 科技大学生物控制论与生物医学工程系，克拉科夫，波兰 f 克拉科夫理工大学计算机科学与电信学院计算机科学系，华沙 24，31-155，克拉科夫，波兰 g 波兰科学院理论与应用信息学研究所，Ba ł tycka 5，44-100，格利维采，波兰 h EIAS 数据科学实验室，苏丹王子大学计算机与信息科学学院，利雅得 11586，沙特阿拉伯 i 梅努菲亚大学理学院数学与计算机科学系，32511，埃及j 埃及梅努菲亚大学计算机与信息学院信息技术系
四个周期垂直堆叠的SIGE/SI CHANNEN FINFET制造及其电特性
摘要：在本文中，为了解决sige通道鳍片效果晶体管（FinFET）的外延厚度极限和高界面陷阱密度，提出了四个周期的SIGE/SI CHANNEL FINFET。高晶体质量的四个周期堆叠的SIGE/SI多层外延，每个SIGE层的厚度小于10 nm的厚度在Si基板上实现，而没有任何结构缺陷影响，通过优化其外延的生长过程。同时，SIGE层的GE原子分数非常均匀，其SIGE/SI接口很清晰。然后，通过优化其偏置电压和O 2流量，可以通过HBR/O 2/He等离子体实现堆叠的SIGE/SI FIN的垂直文件。引入了四个周期垂直堆叠的SIGE/SI FIN结构后，其FinFET设备在与常规SIGE FINFET相同的制造过程中成功制造。与传统的SIGE通道芬法特（Sige Channel FinFet）相比，它可以达到更好的驱动电流I，子阈值斜率（SS）和I ON /I OFF比率电性能，其SIGE通道的鳍高度几乎等于四个周期的SIGE /SIGE /SIGE /SI频道中的SIGE总厚度。这可能归因于四个周期堆叠的SIGE/SI FIN结构具有较大的有效通道宽度（W EFF），并且在整个制造过程中可以保持质量和表面界面性能更好。此外，首先打开堆叠的SIGE/SI通道的Si通道也可能对其更好的电气性能有所贡献。这个四个周期垂直堆叠的SIGE/SI Channel FinFet设备已被证明是未来技术节点的实用候选人。
通过联合稀疏性的堆叠深度嵌入回归进行脑电图特征选择
在脑机接口 (BCI) 领域，选择高效且稳健的特征对于人工智能 (AI) 辅助临床诊断非常有吸引力。在本研究中，我们基于嵌入式特征选择模型，以逐层方式构建堆叠深度结构进行特征选择。其良好的性能由堆叠广义原理保证，即添加到原始特征中的随机投影可以帮助我们以堆叠方式连续打开原始特征空间中存在的流形结构。有了这样的好处，原始输入特征空间变得更加线性可分。我们使用波恩大学提供的癫痫脑电图数据来评估我们的模型。基于脑电图数据，我们构建了三个分类任务。在每个任务中，我们使用不同的特征选择模型来选择特征，然后使用两个分类器根据所选特征进行分类。我们的实验结果表明，我们的新结构选择的特征对分类器更有意义且更有帮助，因此比基准模型产生更好的性能。
用于电动汽车充电站的双向三级堆叠中性点钳位变换器
摘要 由电池和其他储能设备（ESD）（例如超级电容器）供电的电动汽车（EV）有望在更可持续的未来发展中发挥重要作用。在此背景下，充电站（CS）应该成为电池充电的主要能源，并且严重依赖电力电子转换器。本文分析了一种用于 CS 应用的双向单相三级堆叠中性点钳位（3L-SNPC）转换器，该转换器可以根据电流流向充当整流器或逆变器。此外，得出的分析可以轻松扩展到三相版本的开发。考虑到 CS 能够整合公用电网和可再生能源，因此可以以高功率因数和降低电流谐波含量的方式吸收或向交流电网注入能量。双向拓扑的主要优点是，每个支路和中性点上都有三级电压波形，而与电动汽车电流互感器中使用的典型两级结构相比，滤波要求有所降低；所有半导体上的电压应力等于总直流链路电压的一半；在任何操作模式下，功率因数几乎为 1；直流链路电容器两端的电压是平衡的。本文介绍了功率和控制级的详细设计，并详细讨论了实验室原型的实验结果。
64 128 3D堆叠的Spad图像传感器，用于低光...
摘要：在许多领域，诸如安全监视，夜间自动驾驶，荒野救援和环境监测等许多领域的急需需求都有急需的需求。SPAD设备的出色性能为它们在低光成像中的应用中带来了巨大的潜力。本文介绍了专为低光成像设计的64（行）×128（列）SPAD图像传感器。芯片利用了三维堆叠结构和微卷技术，再加上紧凑的门控像素电路，设计了厚山墙MOS晶体管，从而进一步增强了Spad的光敏性。可配置的数字控制电路允许调整曝光时间，从而使传感器适应不同的照明条件。芯片表现出非常低的黑噪声水平，平均DCR为41.5 cps，在2.4 V多余的偏置电压下。此外，它采用了专门为SPAD图像传感器开发的脱氧算法，在6×10 - 4 Lux照明条件下实现了两维灰度成像，表现出出色的低光成像功能。本文设计的芯片充分利用了SPAD图像传感器的性能优势，并且对需要低光成像功能的各个领域的应用有望。
通过NH -π堆叠取消拉链碳纳米管捆绑包，以增强电气和热传输
摘要：单壁碳纳米管（SWCNTS）的捆绑显着破坏了它们的出色热和电性能。意识到稳定，均匀和表面活性剂 - 在溶剂和复合材料中的swcnt散发体长期以来一直被视为一个关键挑战。在这里，我们报告了含胺的芳香族和环己烷分子，这些分子是环氧固化的常见链扩展器（CES），可用于有效分散CNT。我们实现了CE溶剂中SWCNT的单管级分散，这是通过强性手性吸收和光致发光发射所证明的。SWCNT-CE分散体在环境条件下保持稳定数月。The excellent dispersibility and stability are attributed to the formation of an n-type charge-transfer complex through the NH − π interaction between the amine group of CEs and the delocalized π bond of SWCNTs, which is con fi rmed by the negative Seebeck coe ffi cient of the CE-functionalized SWCNT fi lms, the red shift of the G band in the Raman spectra, and the NH X射线光电子光谱中的−π峰。CES的高配置显着改善了宏观CNT组件的电气和热传输。通过HNO 3的功能修改后，在80.8％的光透射率下，CE分散的SWCNT薄膜的板电阻达到161Ω平方-1。CES交联CNT和环氧分子，在CNT/环氧纳米复合材料中形成了声子传输的途径。基于CE的NH-π相互作用为SWCNT在方便而可扩展的过程中的有效和稳定分散提供了新的范式。与原始环氧树脂相比，CE -CNT-环氧复合材料的热导率增强了1850％，这是CNT/Epoxy纳米复合材料迄今据报道的最高增强。关键字：碳纳米管，分散，电荷转移，热界面材料，透明电极，功能化■简介
适用于储能系统的高达 1500V 的可堆叠电池管理单元参考设计
对于电池数量非常多的系统，BQ78706 设备可以串联堆叠以监控电池单元。此设计使用四个 BQ78706 设备来监控最多 52 个电池单元。BQ78706 监控串联的 13 个电池单元，并将 13 个堆叠顶部电压作为接地。每个 BQ78706 设备之间需要隔离才能进行通信。此设计在两个 BQ78706 设备之间使用电容隔离菊花链，在板外 BMU 或 BCU 之间使用变压器隔离菊花链。BMU 设计为支持正向和反向通信方向。从底部 BQ78706 到顶部 BQ78706 的通信方向为北（正向）。从顶部 BQ78706 到底部 BQ78706 的通信方向为南（反向）。图 2-4 显示了 BMU 的环形通信。