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热电子晶体管 (HET) 代表了一种令人兴奋的新型半导体技术集成器件,它有望实现超越 SiGe 双极异质晶体管限制的高频电子器件。随着对石墨烯等 2D 材料和新器件架构的探索,热电子晶体管有可能彻底改变现代电子领域的格局。这项研究重点介绍了一种新型热电子晶体管结构,其输出电流密度创下了 800 A cm − 2 的记录,电流增益高达 𝜶,采用可扩展的制造方法制造。该热电子晶体管结构包括湿转移到锗衬底的 2D 六方氮化硼和石墨烯层。这些材料的组合可实现卓越的性能,尤其是在高饱和输出电流密度方面。用于生产热电子晶体管的可扩展制造方案为大规模制造开辟了机会。热电子晶体管技术的这一突破为先进的电子应用带来了希望,可在实用且可制造的设备中提供大电流能力。
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本文中表达的任何观点都是作者的意见,而不是Iza的意见。本系列发表的研究可能包括对政策的看法,但IZA没有任何机构政策立场。IZA研究网络致力于研究完整性的IZA指导原则。IZA劳动经济学研究所是一家独立的经济研究所,在劳动经济学领域进行研究,并就劳动力市场问题提供基于证据的政策建议。在德意志邮政基金会的支持下,伊扎(Iza)拥有世界上最大的经济学家网络,其研究旨在为我们这个时代的全球劳动力市场挑战提供答案。我们的主要目标是在学术研究,决策者和社会之间建造桥梁。IZA讨论论文通常代表初步工作,并被散发以鼓励讨论。引用这种论文应解释其临时特征。可以直接从作者那里获得修订版。
在过去的几年中,低增益雪崩探测器(LGAD)在检测高能电荷颗粒时表现出了出色的性能。但是,由于孔和电子的乘法机制的差异,低穿透性颗粒(例如低能质子或软X射线)的检测性能大大降低。在CNM上设计和制造了LGAD检测器NLGAD的新型设计,以克服这一缺点。在这项工作中介绍了NLGAD概念的定性描述,以及在660 nm和15 keV X射线的可见光下对第一原型的增益响应测量。此外,在这项工作中还评估了对404 nm的增益响应的综述,而先前研究的1064 nm的IR光也为1064 nm。结果表明,NLGAD概念具有检测低穿透性颗粒的潜力。
理论物理部,彼得斯堡核物理研究所,圣彼得堡,俄罗斯b高级研究所,慕尼黑技术大学,德国加尔奇,德国c普林斯顿c普林斯顿生命科学研究所,新泽西州森林生态和森林生态管理瓦格宁根大学和研究集团,荷兰瓦格宁根,环境科学与自然资源管理学院,挪威生命科学大学,Ås,挪威F地球系统中心,美国国家空间研究所,乔西·乔希(Joshi)和坎普斯(Campos)预测和气候研究,美国国家太空研究所,乔希尔和坎波斯,巴西H学院,f ur theoretische Physik,技术大学,德累斯顿大学,德累斯顿,德国,我的I Embenty,Ingenier,Ingenier学院
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Ghatak,M。Brandenbourger,J。VanWezel和C. Coulais,在主动机械超材料中观察到非富尔米特拓扑及其散装 - 边缘的对应关系,Proc。 natl。 学院。 SCI。 美国117,29561(2020)。 [18] W. Wang,X。Wang和G. Ma,拓扑模式的非热形变,自然608,50(2022)。 [19] N. Okuma,K。Kawabata,K。Shiozaki和M. Sato,非炎性皮肤效应的拓扑起源,物理。 修订版 Lett。 124,086801(2020)。 修订版 x 9,041015(2019)。10,394(2014)。[12] L. Zhang等人,《扭曲绕组拓扑的声学非热皮肤效应》,Nat。12,6297(2021)。[13] K. Ding,G。Ma,M。Xiao,Z。Q. Zhang和C. T. Chan,《多个特殊点的出现,合并和拓扑特性及其实验实现》。修订版x 6,021007(2016)。[14] W. Tang,X。Jiang,K。Ding,Y.-X.Xiao,Z.-Q. Zhang,C。T。Chan和G. [15] 物理。 16,747(2020)。 [16] D. Zou,T。Chen,W。He,J。Bao,C。H。Lee,H。Sun和X. 社区。 12,7201(2021)。 [17] A. Ghatak,M。Brandenbourger,J。VanWezel和C. Coulais,在主动机械超材料中观察到非富尔米特拓扑及其散装 - 边缘的对应关系,Proc。 natl。 学院。 SCI。 美国117,29561(2020)。 [18] W. Wang,X。Wang和G. Ma,拓扑模式的非热形变,自然608,50(2022)。 [19] N. Okuma,K。Kawabata,K。Shiozaki和M. Sato,非炎性皮肤效应的拓扑起源,物理。 修订版 Lett。 124,086801(2020)。 修订版 x 9,041015(2019)。Xiao,Z.-Q.Zhang,C。T。Chan和G.[15]物理。16,747(2020)。[16] D. Zou,T。Chen,W。He,J。Bao,C。H。Lee,H。Sun和X.社区。12,7201(2021)。[17] A. 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1 泰国曼谷 10140 泰国国王科技大学吞武里学习学院神经科学研究与创新中心,2 泰国曼谷 10140 泰国国王科技大学吞武里工程学院计算机工程系,3 泰国曼谷 10140 泰国国王科技大学吞武里大数据体验中心,4 泰国曼谷 10140 泰国国王科技大学吞武里工程学院生物工程项目,5 加利福尼亚大学圣地亚哥分校心理学系,加利福尼亚州拉霍亚 92093-1090,6 可持续发展研究与创新中心 (RISC) 幸福科学中心,泰国曼谷 10260,7 加利福尼亚大学圣地亚哥分校神经科学研究生项目和 Kavli 大脑与心智基金会,加利福尼亚州拉霍亚92093-1090
相干技术目前正在深入讨论短距离内的光学互连。本文报告了先前工作的进度,该工作分析了从C-到O带光学方面的好处,以实现数字信号处理。在这里,我们研究了将连贯的方法适应已建立的数据中心互连技术(PSM4)的可行性。这种类似PSM4的实现带来了对激光漂移的弹性大大提高的好处,从而减少或消除了对温度稳定激光器的需求,这通常假定是相干收发器的需求。分析取决于SIGE光子BICMOS技术中相干接收器的先前实验实现的部分模拟参数。此外,我们还利用了有关在20 nm波长窗口上优化O-带2D光栅耦合器在效率和低极化依赖性方面的最新结果。我们将这些耦合器确定为启用类似于PSM4的实现的构建块。©2023作者。代表日本应用物理学会出版,由IOP Publishing Ltd