XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System增益
1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。
加速蚕豆（Vicia Faba L.）遗传增益的传统和分子育种工具
蚕豆是一种冷季豆科作物，世界各地都种植它作为食物和饲料。尽管过去蚕豆的种植面积有所减少，但由于其高种子蛋白含量和出色的生态服务功能，全球对种植蚕豆的兴趣正在增加。然而，这种作物受到各种生物和非生物胁迫，导致粮食产量不稳定、低产。虽然已经确定了对主要疾病的抗源，例如蚕豆壳针病 ( Ascochyta fabae Speg.)、锈病 ( Uromyces viciae-fabae (Pers.) Schroet.)、巧克力斑病 ( Botrytis fabae Sard.) 和瘿病 ( Physioderma viciae )，但它们的抗性只是部分的，如果没有农艺措施，就无法防止粮食产量损失。需要与宿主植物抗性基因紧密相关的 DNA 标记来增强抗性水平。在非生物胁迫方面取得的进展较少。提出了不同的育种方法，但迄今为止，基于谱系法的品系育种仍是育种计划中的主流做法。尽管如此，种子繁殖系数低、需要在防虫围栏下生长以避免杂交，以及缺乏双单倍体系统和细胞质雄性不育等工具，都阻碍了育种。这降低了育种群体的大小和育种速度，从而降低了捕获有利等位基因的稀有组合的机会。在育种计划中，蚕豆-蚕豆 (vc −) 和除草剂耐受性等 DNA 标记的可用性和使用鼓舞了育种者，并增强了对标记辅助选择的信心。与几种生物和非生物胁迫耐受性密切相关的 QTL 是可用的，它们在育种者友好平台上的验证和转换将增强选择过程。最近，基因组选择和快速育种技术以及基因组学已经触手可及，可以加速蚕豆的遗传增益。基因组资源与其他育种工具、方法和平台的进步将有助于加速育种过程，从而提高该物种的遗传增益。
PGA280 零漂移、高压、可编程增益仪表放大器数据表 (Rev. B)
(GPIO) 提供多种控制和通信功能。SPI 可以扩展以与更多设备通信，仅使用四个 ISO 耦合器即可支持隔离。PGA280 采用 TSSOP- 24 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +105°C。有关所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
肯特和梅德韦生物多样性净增益的临时战略意义指导。
高 1.15 未发布当地自然恢复战略，但在相关规划部门指定的文件中，栖息地类型已被绘制并描述为特定位置内具有当地生态重要性。如果您的项目实现了当地自然恢复战略或替代战略（当当地自然恢复战略尚不可用时）中规定的绘制措施，您应当： • 在基线中将战略重要性记录为低 • 在干预后表中将战略重要性记录为高 • 在用户评论中记录您使用的计划 中 1.10 如果发布了当地自然恢复战略，或栖息地和位置包含在相关规划部门指定的其他战略文件中，则不适用此类别。用户应该： • 解释栖息地类型在特定位置内如何具有生态重要性 • 证明该栖息地在提供与其他具有战略意义的位置的生态联系方面的重要性 • 运用专业判断 低 1 不符合高和中等战略重要性的定义。即使你的项目在计划范围内，如果它没有提供这些计划中概述的具体行动，你应该：• 在基线中将战略意义记录为低• 在干预后表中将战略意义记录为低
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
对Alice 3实验的110 nm技术中增益层的整体CMOS传感器的初步结果
近年来，在下一代高性能硅顶点设计中，单层活性像素传感器（MAP）已成为混合检测器的有效替代品，以及用于高能物理（HEP）实验和其他研究领域的高能物理（HEP）实验和其他研究领域（如医学成像和空间应用）的跟踪探测器。此操作是LHC运行的Alice 3实验的飞行探测器的技术之一。地图的主要特征之一是，它们可以使用商业CMOS流程进行成本效益实施，而无需昂贵的互连。在这种情况下，完全耗尽的单片活性像素传感器（FD-MAP）代表最先进的检测器技术，因为它们具有通过漂移来收取电荷的优势，从而使比像素矩阵的快速且均匀的响应能够。Arcadia项目尤其是通过创新的传感器设计开发FD-MAP，该设计利用背面偏置电压充分耗尽了传感器并提高了电荷收集效率和时机性能。最近的发展已经解决了在地图中引入增益层的可能性。借助Signal乘法，可以达到较高的信号与噪声比，从而将其转化为相对于没有增益的标准地图的较低功率消耗。这种特殊性使这些设备对空间应用非常有吸引力，而低功耗是非常需要的。将提出实验室测量，以及在PS，CERN进行的测试光束的初步结果。这项工作说明了具有额外增益层的整体CMOS传感器的第一个表征，这是基于与LFOUNDRY合作开发的标准110 nm CMOS技术，用于Arcadia Project的第三次运行。得出结论，将指出正在进行的研发的未来观点和下一步。
采用 GaN 技术的高度集成、极高增益 20 瓦 X 波段 SSPA
摘要。本文介绍了在 X 波段工作的高度集成固态功率放大器 (SSPA) 的设计和开发。最后的放大级采用 GaN 技术实现。据作者所知，这是高功率放大器中首次采用垂直方向放置最后的放大级，这可以显著缩小器件的占用空间，同时保持高输出功率和 PAE。该器件使用通过 SPI 接口控制的定制 BIAS ASIC 对整个 RF 链进行全数字控制，确保 SSPA 的高灵活性和稳定性。SSPA 的工作频率范围为 8.025–8.4 GHz，输入功率范围为 –20 dBm 至 0 dBm，输出功率为 20 瓦，功率附加效率 (PAE) 高达 35%。虽然所介绍的 SSPA 的主要应用是地球观测 (EO)，但它也可以用于地面部分，例如雷达应用。
高粒度定时探测器低增益雪崩探测器原型的辐射硬度特性
摘要：高粒度定时探测器（HGTD）是ATLAS二期升级的重要组成部分，用于应对极高的堆积密度（平均每个束流团穿越的相互作用次数可达200次）。利用径迹的精确定时信息（σt～30ps），可以在“四维”空间进行径迹到顶点的关联。传感器选用低增益雪崩探测器（LGAD）技术，可提供所需的定时分辨率和良好的信噪比。日本滨松光子学株式会社（HPK）已生产出厚度为35 μm和50 μm的LGAD，中国科学技术大学也与中国科学院微电子研究所（IME）合作开发并生产了50 μm LGAD样机。为评估抗辐照性能，传感器在JSI反应堆设施中接受中子辐照，并在中国科学技术大学进行测试。在室温（20 ℃ ）或−30 ℃ 下，通过I-V和C-V测量表征辐照对增益层和本体的影响。提取了击穿电压和耗尽电压，并将其表示为通量函数。受体去除模型的最终拟合得出HPK-1.2、HPK-3.2和USTC-1.1-W8的c因子分别为3.06×10 −16 cm −2、3.89×10 −16 cm −2和4.12×10 −16 cm −2，表明HPK-1.2传感器具有最耐辐照的增益层。采用一种新颖的分析方法进一步利用数据得到c因子与初始掺杂浓度之间的关系。关键词：LGAD；HGTD；定时探测器；硅探测器中图分类号：TL814文献标识码：A
光学频率梳子在增益开关的半导体纳米仪中带有光学注入
摘要 - 在这封信中，我们通过光学注射增益开关（GS）半导体纳米仪（SNLS）来研究光频梳（OFC）的产生。使用速率方程进行了计算，其中包括percell腔体增强的自发发射因子F和发射偶联因子β。在分析中，评估了F的影响，以改变主和从纳米剂之间的注射强度和频率不吻。通常，由于在广泛的参数空间上进行光学注射，可以实现注射锁定区域，其中生成的OFC具有宽10 dB的频率跨度（F 10），高载体与噪声比（CNR）和窄线路。此外，通过提高注入强度，可以进一步增强F 10和CNR。此外，F 10和CNR分别随着f的增加而减小和增加。这些新颖的发现是基于光子整合电路中光学注射的GS SNL的简单和紧凑源OFC来源的开发。