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World File Search System弛豫
通过以参与者为中心的心理教育程序缓解安慰剂响应：一项随机，单盲，全安慰剂研究主要抑郁症和精神病
最先进的固态量子处理器的主要局限性之一是由于表面上的吸附物，界面上的杂质和材料缺陷引起的噪声而引起的量子降压和放松。要使领域迈向全断层量子计算，需要更好地了解这些显微镜噪声源。在这里，我们使用超高的真空包装来研究真空负载，紫外线照射和离子辐照处理对放松和相干时间的影响，以及缓慢的参数频率的频率频率浮动，可调节的超导超导转移速度。所研究的处理不会显着影响弛豫率γ1和回声衰减率γe 2； SS处于最佳位置，除了减少γ1的NE离子轰击。相比之下，通过从紫外线和NH 3处理的芯片表面中去除磁吸附物，可以改善漏噪声参数。此外，我们证明了SF 6离子轰击可用于原位调节量子频率，而在固定后进行了轰炸，而不会在最佳位置影响量子放松和相干时间。
弹性成像：30 年展望
摘要 自 19 世纪末 X 射线成像的发展以来，医学成像领域发展出了一系列令人印象深刻的模式。这些模式可以测量和成像各种物理参数，从吸收系数到自旋-自旋弛豫。然而，在整个 20 世纪的大部分时间里，组织的固有生物力学特性仍然隐藏在传统放射学之外。这种情况在 1990 年左右发生了变化，当时人们证明，具有快速脉冲重复率和高运动灵敏度的医学超声系统可以创建与组织硬度及其剪切波特性相关的图像。从那时起，人们开始在不同模式下大力开发组织弹性特性成像。这些从研究阶段开始，经过临床扫描仪的实施，经过选定诊断任务的广泛临床试验，到政府批准、付款人批准、国际标准声明，再到全球的常规临床实践。本综述涵盖了过去 30 年技术和临床发展的一些主要主题的亮点，并简要指出了未来十年发展中剩下的一些问题。
可偿还空间法案协议
是由于湍流与固体表面的相互作用所致，重要的是要将湍流涡流到一定程度上，并进一步保留那些从转子叶片中脱离的湍流涡流至少至下游叶片，以实现准确的风扇宽带噪声预测。不幸的是，所谓的冲击捕捉方案被发现太扩散了，无法解决和保留这些动荡的涡流，而它们能够比中央方案更好地处理冲击。为了利用中央和前风方法，这种SBIR的工作将采用气体弛豫方法，在这种方法中，放松参数用于最大程度地减少上风方法中固有的数值耗散与亚网格级尺度（SGS）模型之间的差异。作为一项可行性研究，NASA 22-IN FAN噪声源诊断测试（SDT）案例将在I期使用，以证明所提出方法的能力准确预测风扇宽带噪声。因此，进一步完善方法并开发用于II阶段商业化的计算软件工具是有意义的。
![arxiv：2412.05465v1 [cond-mat.supr-con] 2024年12月6日](/simg/d\dde57a37b453ee394b546babfb4ced4f2abcf084.webp)
arxiv：2412.05465v1 [cond-mat.supr-con] 2024年12月6日
我们考虑二维超导体外部的流浪磁场噪声。我们的考虑是由最近的实验激发的，该实验观察到基于钻石氮脱位中心的松弛，在超导临界温度下方的磁场噪声中有所增强。超导状态的标准两流体模型并未捕获这种增强，最近提议解释这种NV弛豫计实验。相反，我们表明微观BCS理论捕获了这种增强，并且与类似的理论和现象相比，被称为Hebel-Schlicter Peak（或相干峰），在材料中核自旋的松弛中观察到。主要区别在于，NV探测样品外的长波长磁噪声，而核自旋探测样品内部的局部超细噪声。因此，NV探测的噪声取决于其高度，并且可以在原始样品中探测超流体相干长度。最后，我们讨论了NVS通过与上述BCS理论的偏差探测非常规超导性的潜在途径。
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
临床场强度的辐射阻尼
以前的作品描述了各种实验中的RD，其中12,16-24个包括弛豫和磁化转移（MT）测量，灌注MRI，光谱法等。值得注意的是，RD不仅在自由进动过程中（有或没有信号检测），而且在RF传输过程中也存在。7,25，RD更难表征，并且可能会在脉冲过程中干扰所需的磁化轨迹，从而改变有效的翻盖角θeff。在长时间的低功率脉冲中，持续时间较高，持续时间为几毫秒。已经提出了各种技术来缓解，抑制甚至利用26 Rd，包括减少有助于信号的样品区域，21个小型翻盖角脉冲序列到平衡RD，27个线圈，可切换Q，28或主动电子反馈。29大多数方法都依赖梯度脉冲来最大程度地减少相干横向磁性化。16,20,30–32如果不适用（例如，在RF脉冲期间），则需要替代解决方案。获得7,25种获得RD不敏感的RF脉冲的方法基于观察价，33个复合脉冲和梯度优化，7或最佳控制理论。34
基于电磁感应透明介质的量子纠缠产生
摘要：量子纠缠是保证量子通信绝对安全的重要因素。本文系统研究了基于电磁诱导透明（EIT）效应产生光场间的连续变量纠缠或双模压缩。本文提出了一种新方案，通过在EIT系统中引入双光子失谐来增强相干态光探测场和耦合场之间的纠缠度。与传统方案相比，该方案利用基态弛豫（布居衰减或失相）率来产生纠缠或双模压缩，从而给系统带来更多的过剩涨落或噪声，效率更高。此外，在给定光学深度下，可以在较宽的耦合Rabi频率和双光子失谐范围内实现最大纠缠度，表明该方案稳健且灵活。值得注意的是，虽然 EIT 是微扰极限下的效应，即探测场比耦合场弱得多并被视为微扰，但存在探测场与耦合场强度的最佳比率以实现最大纠缠。我们提出的方案可以推进基于连续变量的量子技术，并可能在利用压缩光的量子通信中得到应用。
在薄膜锂调节剂中的电响应响应放松
摘要：薄膜硅锂（TFLN）是一个有前途的电磁光（EO）光子平台，具有高调制带宽，低驱动电压和低光学损耗。然而，已知TFLN中的EO调制可以在长时间尺度上放松。取而代之的是，热通加热器通常用于稳定的偏置，但是加热器会带来交叉言论，高功率和低带宽的挑战。在这里，我们表征了TFLN调节剂的低频（1 MHz至1 MHz）EO响应，研究EO松弛的根本原因，并展示了改善偏置稳定性的方法。我们表明，与弛豫相关的效果可以增强我们设备中跨越1KHz至20kHz的频带的EO调制 - 这是一个反直觉的结果，可以混淆TFLN调制器中半波电压（Vπ）的测量。我们还表明，通过控制LN金属界面和退火，可以通过10 4倍的速度减慢EO放松，从而为寿命稳定的EO偏置提供了进步。这种强大的EO偏置将使跨言，功率和偏置带宽至关重要的TFLN设备的应用，例如量子设备，高密度集成光子学和通信。
化学科学 - EDGE 文章 - RSC 出版
在许多可能的不同自旋系统中都可以找到对两个退相干源的抵抗力。分子磁性为设计自旋量子比特提供了一种有吸引力的方法。4,5 在分子自旋量子比特中，自旋通常位于磁性金属离子上，配位化合物的化学设计为合理优化物理性质提供了可能性，使其成为实现相干量子比特的有希望的途径。离子的局部配位通过确定其|0>和|1>态的波函数，强烈影响量子比特特性。与固态方法相比，配位化学提供了极其广泛的可能环境，因此，可以设计具有合适特性的量子比特，使磁性分子比其他有希望的候选者（如金刚石中的NV中心6-8或硅中的磷杂质）更具竞争优势。 2,9 同时，分子自旋量子比特允许量子自旋相干性的可比生存时间 T 2 ，即自旋回波指数衰减的特征时间，通常与自旋 - 自旋弛豫过程相关。3 获得最大