机构名称：
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在许多可能的不同自旋系统中都可以找到对两个退相干源的抵抗力。分子磁性为设计自旋量子比特提供了一种有吸引力的方法。4,5 在分子自旋量子比特中，自旋通常位于磁性金属离子上，配位化合物的化学设计为合理优化物理性质提供了可能性，使其成为实现相干量子比特的有希望的途径。离子的局部配位通过确定其|0>和|1>态的波函数，强烈影响量子比特特性。与固态方法相比，配位化学提供了极其广泛的可能环境，因此，可以设计具有合适特性的量子比特，使磁性分子比其他有希望的候选者（如金刚石中的NV中心6-8或硅中的磷杂质）更具竞争优势。 2,9 同时，分子自旋量子比特允许量子自旋相干性的可比生存时间 T 2 ，即自旋回波指数衰减的特征时间，通常与自旋 - 自旋弛豫过程相关。3 获得最大
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