机构名称：
¥ 1.0
摘要：薄膜硅锂（TFLN）是一个有前途的电磁光（EO）光子平台，具有高调制带宽，低驱动电压和低光学损耗。然而，已知TFLN中的EO调制可以在长时间尺度上放松。取而代之的是，热通加热器通常用于稳定的偏置，但是加热器会带来交叉言论，高功率和低带宽的挑战。在这里，我们表征了TFLN调节剂的低频（1 MHz至1 MHz）EO响应，研究EO松弛的根本原因，并展示了改善偏置稳定性的方法。我们表明，与弛豫相关的效果可以增强我们设备中跨越1KHz至20kHz的频带的EO调制 - 这是一个反直觉的结果，可以混淆TFLN调制器中半波电压（Vπ）的测量。我们还表明，通过控制LN金属界面和退火，可以通过10 4倍的速度减慢EO放松，从而为寿命稳定的EO偏置提供了进步。这种强大的EO偏置将使跨言，功率和偏置带宽至关重要的TFLN设备的应用，例如量子设备，高密度集成光子学和通信。
在薄膜锂调节剂中的电响应响应放松
主要关键词
相关文件推荐
