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最终程序_v20241130_1
日期 时间 开始时间 结束时间 轨道 会议室 会议主席 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A1. 混合和熔融键合 1 Veranda I Yong-Fen Hsieh 博士，MA-Tek 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A2. 晶圆处理和特性 Veranda II Suresh Singaram 博士，Evactec 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A3. 新兴技术 Veranda III Kanaya Haruichi 教授，九州大学 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A4. 先进封装 1 RiverFront I Wang Yu-Po 博士，硅品精密工业有限公司 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 TSV 和晶圆级封装 1 RiverFront II Albert Lan，应用材料公司 12/05/2024 09:00 AM 10:30 AM A6。热管理和表征 1 RiverFront III Fusinobu Kazuyoshi 教授，东京工业大学 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B1.混合和熔接 2 Veranda I James Papanu 博士，Tokyo Electron Limited 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B2.互连技术 1 Veranda II 杨成博士，JCET 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B3.热界面材料 Veranda III Senthil Kumar，贺利氏 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B4。先进封装 2 RiverFront I Torseten Wipiejewski 博士，华为 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B5. 装配和制造技术 1 RiverFront II Jing-En Luan，意法半导体新加坡 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B6. 热管理和特性 2 RiverFront III Hardik Kabaria，Vinci4D 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C1. 电气模拟和特性 1 Veranda I Masahiro Aoyagi 教授，熊本大学 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C2. 无线和天线封装设计 Veranda II Chia Chu Lai，矽品精密工业有限公司 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM材料与加工 1 Veranda III Takenori Fujiwara，东丽 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C4. 机械模拟与特性 1 RiverFront I Che Faxing 博士，美光 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C5. TSV 和晶圆级封装 2 RiverFront II Chew Soon Aik，imec 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C6. 热管理和特性 3 RiverFront III Winston Zhang 博士，Novark Technologies 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D1. 电气模拟与特性 2 Veranda I Mihai Dragos Rotaru，IME 新加坡 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D2.互连技术 2 Veranda II Seungbae Park 教授，宾汉姆顿大学 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D3. 材料与加工 2 Veranda III SS Kang，贺利氏新加坡 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D4. 机械模拟与特性 2 RiverFront I Chiang Kuo Ning 教授，国立清华大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E1. 装配与制造技术 2 Veranda I Mark Shaw，意法半导体 意大利 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E2. 晶圆处理与特性 2 Veranda II Toh Chin Hock 博士，苹果 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM材料与加工 3 Veranda III 金成东教授，首尔国立科技大学 2024 年 12 月 6 日上午 9:00 上午 10:20 E4。机械仿真和特性 3 RiverFront I Sasi Kumar Tippabhotla，IME，新加坡 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E5. 质量、可靠性和故障分析 1 RiverFront II Jeff Suhling 教授，奥本大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E6. 硅中介层和加工 RiverFront III Prayudi Lianto 博士，应用材料公司 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F1. 汽车和功率器件封装 Veranda I Tang Gongyue 博士，IME 新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F2.质量、可靠性和故障分析 2 Veranda II Xue Ming，英飞凌 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F3. 材料与加工 4 Veranda III Alvin Lee 博士，Brewer Science 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F4. 先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟与特性 3 RiverFront II Bruce Kim 教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6.热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2. 晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料和加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4.智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，应用材料 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G5. TSV 和晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G6. 嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Dr Masahisa Fujino，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H3.材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片与封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H6. 基板上的倒装芯片与扇出 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真和特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research
利用玻璃解决方案应对下一代包装和物联网
电子封装领域出现了新的要求。对移动通信和传感器解决方案的需求不断增长，这些解决方案可以解决物联网 (IoT) 问题，这带来了有趣的新挑战。射频应用力求转向更高的频段，扇出技术正被用作解决互连需求的有效方法，并且人们不断寻找更具成本效益的解决方案来应对棘手的封装挑战。玻璃提供了大量机会来满足这些需求。作为绝缘体，玻璃的电损耗低，特别是在高频下。相对较高的刚度和调整热膨胀系数的能力有助于优化玻璃芯基板的翘曲，并利用 TGV 和载体应用管理键合堆栈。玻璃成型工艺允许以面板形式以及厚度低至 100 µ m 的晶圆形式成型，从而有机会优化或消除当前的抛光类型的制造方法，并以经济高效的方式应对封装挑战。随着行业采用玻璃解决方案，下游工艺（如玻璃处理和通孔/表面金属化）取得了重大进展。特别令人感兴趣的是利用面板制造工具集和工艺来实现行业所需的成本结构的能力。我们将提供最新的电气、热和机械性能和可靠性演示，并描述利用玻璃实现下一代产品目标的领域。
线性量子光学的稳健 W 状态编码
错误检测和纠正是任何可扩展量子计算架构的必要先决条件。鉴于量子系统中不可避免地存在不必要的物理噪声，并且错误容易随着计算的进行而扩散，计算结果可能会受到严重破坏。无论选择哪种物理实现，这一观察结果都适用。在光子量子信息处理的背景下，人们对包括玻色子采样在内的被动线性光学量子计算产生了浓厚的兴趣，因为这种模型通过快速、主动控制消除了前馈的极具挑战性的要求。也就是说，这些系统在定义上是被动的。在通常情况下，错误检测和纠正技术本质上是主动的，这使得它们与该模型不兼容，这引起人们的怀疑，即物理错误过程可能是一个难以逾越的障碍。这里我们探索了一种基于光子量子比特 W 状态编码的光子误差检测技术，该技术完全是被动的、基于后选择的，并且与这些近期感兴趣的光子架构兼容。我们表明，这种 W 状态冗余编码技术能够通过简单的扇出式操作抑制光子量子比特上的失相噪声，该操作由光学傅里叶变换网络实现，现在可以轻松实现。该协议有效地将失相噪声映射到预兆故障，在理想的无噪声极限下故障概率为零。我们在单个光子量子比特通过嘈杂通信或量子存储通道的背景下提出我们的方案，该方案尚未推广到更一般的全量子计算背景。
可重构大规模神经形态系统的分层网络连接和分区
我们提出了一种高效且可扩展的分区方法，用于将具有局部密集和全局稀疏连接的大规模神经网络模型映射到可重构的神经形态硬件上。计算效率的可扩展性，即实际计算所花费的时间，在超大型网络中仍然是一个巨大的挑战。大多数分区算法还难以解决网络工作负载的可扩展性问题，即寻找全局最优分区并有效地映射到硬件上。由于通信被视为此类分布式处理中最耗能和最耗时的部分，因此分区框架针对计算平衡、内存高效的并行处理进行了优化，目标是低延迟执行和密集的突触存储，并尽量减少跨各个计算核心的路由。我们展示了高度可扩展且高效的分区，用于连接感知和分层地址事件路由资源优化的映射，与随机平衡分配相比，递归地显着减少了总通信量。我们展示了我们在具有不同稀疏度和扇出度的合成网络、小世界网络、前馈网络和果蝇大脑半脑连接组重建方面的成果。我们的方法和实际结果的结合表明，这是一条有希望扩展到超大规模网络和可扩展硬件感知分区的途径。
先进封装季度市场监测 2022 年第 1 季度
封装行业动态：2021 年顶级参与者的收入 2021 年对于先进封装来说是丰收的一年，ASE 继续主导市场收入，其次是 Amkor。英特尔保持第三的位置，其次是长电科技和台积电。Yole 的季度先进封装监测器提供了 2021 年收入和同比增长排名前 30 位的外包半导体组装和测试 (OSAT) 公司。与 2020 年相比，2021 年的同比收入增长更大，增长最快的 OSAT 主要是中国的。先进封装 (AP) 市场的总收入在 2021 年达到 321 亿美元，预计将录得 10% 的复合年增长率 (CAGR)，到 2027 年达到 572 亿美元。5G、汽车信息娱乐/高级驾驶辅助系统 (ADAS)、人工智能 (AI)、数据中心和可穿戴应用的大趋势继续推动 AP 向前发展。在此监测器中，显示了主要先进封装类型的季度数据更新，包括倒装芯片芯片级封装 (FCCSP)、倒装芯片球栅阵列 (FCBGA)、晶圆级芯片级封装 (WLCSP)/扇入、扇出封装、3D 堆叠封装和系统级封装 (SiP)。
替代 FCBGA 封装解决方案评估
摘要 有 2 种潜在的替代封装解决方案被提出来用味之素增层膜 (ABF) 基板取代倒装芯片球栅阵列 (FCBGA)。第一种是无 ABF 解决方案，即采用基于层压板的预浸料的倒装芯片规模封装 (FCCSP)。FCCSP 是一种成熟的封装解决方案，有多种预浸料材料可供选择以匹配原始 ABF 特性。FCCSP 的重点 FCBGA 尺寸为 10 mm x 10 mm 至 21 mm x 21 mm，基板层数从 1+2+1L 到 2+2+2L。应用涵盖内存控制器、Wi-Fi 处理器和 DTV SoC。另一种封装解决方案是扇出型球栅阵列 (FOBGA)，其目标是具有高 ABF 层数的更大 FCBGA。FCBGA 的重点最大封装尺寸和层数分别为 55 mm x 55 mm 和 6+2+6L。潜在的应用是需要极高电气性能的 CPU、AI 加速器和网络交换机。FOBGA 的设计理念是重新分配 FO 芯片上的信号凸点位置，并使 ABF 基板层容纳更多的 I/O 信号，以进一步减少 ABF 基板的层数。进行封装信号完整性 (SI) 和电源完整性 (PI) 分析以验证所提出的封装解决方案的电气性能。最后，我们提出了 FOBGA 的设计指南，以减轻由于基板层减少而导致的性能下降。关键词扇出球栅阵列 (FOBGA)、信号完整性 (SI)、电源完整性 (PI)、串扰、电源传输网络 (PDN)。
数字集成电路的综合和优化策略的开发和评估
数字集成电路的综合与优化策略是十分重要的课题。近年来，人们对这一领域的兴趣日益浓厚，因为它在当前技术革命的各个领域都具有实用性。计算机辅助设计 (CAD) 技术为高效、成功地设计大规模高性能电路提供了方法，可用于从汽车到生物医学信号处理等广泛的应用领域。设计复杂性的急剧增加使得开发自动化技术势在必行，以便在更短的时间内获得足够的结果。因此，需要开发更智能的策略来减少设计过程中的人机交互。人机交互既费时又容易出错。策略必须克服面积时序、能耗和可测试性等多项挑战。可测试性对于减少测试时间非常重要，而测试时间是设计过程中成本最高的部分。本论文重点开发和评估了数字集成电路的几种综合和优化策略，比较了流程中不同选择对主要设计指标（即功率、面积和时序）的影响。目标是开发一种能够以最小的复杂性和时间最小化指标的流程。此外，还验证和评估了开发的策略，展示了关键参数如何影响结果以及如何调整流程以获得更好的结果。这些策略应用于混合信号 ASIC 设计以评估结果。该项目从稳定且可扩展的基本综合流程开始，并从该流程开始，探索可能的进一步策略。开发这些流程变体的主要领域是时钟门控、不同单元库的引入以及流程中不同的优化序列。通过引入克隆技术或相关参数的变化（例如最大扇出、最小带宽和最大级数），探索了时钟门控。各种类型的单元库、低漏电和低规模都用于研究具有较少限制电源模型的设计或具有较少时序问题的设计。已经制定了管理
汽车 eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）FOWLP 的板级可靠性
随着芯片尺寸的缩小，晶圆级封装 (WLP) 正成为一种有吸引力的封装技术，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出晶圆级封装 (FOWLP) 设计的进步，这种先进技术已被证明是一种比扇入 WLP 更理想、更有前景的解决方案，因为它具有更大的设计灵活性，具有更多的输入/输出 (I/O) 和更好的热性能。此外，与倒装芯片封装相比，FOWLP 具有更短、更简单的互连，具有卓越的高频性能。eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）是一种 FOWLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用。它还可能发展成各种配置，并基于超过 8 年的大批量生产，具有经过验证的产量和制造经验。本文讨论了 eWLB 在汽车应用中的强大板级可靠性性能方面的最新进展。将回顾一项实验设计 (DOE) 研究，该研究通过实验结果证明了改进的板内温度循环 (TCoB) 性能。我们计划进行多项 DOE 研究，并准备了测试载体，变量包括焊料材料、阻焊层开口/再分布层 (RDL) 设计的铜焊盘尺寸、铜 (Cu) RDL 厚度和凸块下金属化 (UBM) 以及印刷电路板 (PCB) 上的铜焊盘设计 (NSMD、SMD)。通过这些参数研究和 TCoB 可靠性测试，测试载体通过了 1000 次温度循环 (TC)。菊花链测试载体用于在行业标准测试条件下测试 TCoB 可靠性性能。
一个低温CMOS芯片，用于生成多个Qubits的控制信号
问题1 - 5。但是，有用的量子计算机将需要大量的高保真量子台和控制界面6 - 14，该界面6 - 14通过经典（通常在室温下）和量子（通常在低温温度下）域之间传递信号（图1a）。与经典处理器不同，量子cir-cuits无法粉丝和扇出数据15、16，因此面临着重要的输入 - 输出瓶颈17。尤其是，量子计算机中的每个量子都由外部电路7、9、18单独控制，这为量子系统19增加了噪声和热量。蛮力的方法来管理这些信号（VIA）每量子的使用单个组件的使用 - 限制了这些系统的缩放潜力16。最近的最新实验说明了这种挑战，该实验需要大约200个宽带电缆，45个笨重的微波循环器和室温电子设备来控制53吨的室温（参考20）。在本文中，我们报告了一种基于芯片的低温含量金属 - 氧化物 - 氧化剂（CMOS）界面系统，该系统可以生成100 mk时多个Qubits的控制脉冲。我们的方法是基于具有超低功率分离并实现量子及其对照电路之间紧密整合的CMO芯片。我们的体系结构不需要控制系统和Qubits在同一基础21上的整体整合，也不需要从室温（或4 K）到每个量子11、13的单个电气连接。相反，我们的体系结构利用芯片到芯片互连22来管理输入 - 输出瓶颈，并有可能与各种基于半导体的Qubit平台相兼容，包括基于Majorana零模式（MZMS）23，Electron Spins 24或Gatemon 24或Gatemon设备25。
基于 chiplet 的架构简介
本文讨论了影响先进半导体封装领域的三大趋势。本文的首要关注点是异构集成。该术语的现代版本对不同的人有不同的含义，但在本文中，异构集成被定义为由多个芯片构建的分解式片上系统 (SoC) 架构。这种设计方法类似于系统级封装 (SiP)，不同之处在于不是在单个基板上集成多个裸片（包括 3D 堆叠），而是在单个基板上集成以芯片形式存在的多个知识产权 (IP)。第二个主要趋势涉及利用硅通孔 (TSV) 和高密度扇出重分布层 (RDL) 的新硅制造技术。这些进步正在推动更多硅进入以层压板为主的半导体封装领域，尤其是当高带宽和外形尺寸成为设计的关键属性时。这种趋势带来了新的设计和验证挑战，大多数封装工程师并不熟悉，因为它们通常不是基于层压板的设计的一个方面。最后，在生态系统方面，我们看到所有大型半导体代工厂现在都提供自己的先进封装版本。在许多方面，这为封装社区带来了一股清新的气息，因为使用新的方式为封装设计团队提供参考流程和工艺设计套件 (PDK) 等资产。电子设计自动化 (EDA) 公司目前正在与许多领先的代工厂和外包半导体组装和测试供应商 (OSATS) 合作，开发多芯片封装参考流程和封装组装设计套件 (PADK)。这种额外的基础设施极大地造福了封装设计社区。