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World File Search System接触电阻
探索杜邦微电路材料的灵活性和可靠性
杜邦的印刷电子材料包括一系列导电银、碳和氯化银油墨，所有这些油墨的配方都力求在性能和成本之间取得适当的平衡。通过将这些导体与其他印刷电子元件（包括介电油墨）相结合，我们能够形成导电迹线、电容器和电阻器。对于触摸屏和智能玻璃，杜邦细线高分辨率银浆适用于网格线和母线，对 ITO 具有良好的附着力，并且接触电阻低。这种添加剂技术简化了触摸屏和功能性玻璃（如自调光窗）的生产。
使用债券电阻作为半导体功率模块的老化指标
摘要 - 本文调查了电线的使用 - 将接触电阻作为诊断电力电子模块的健康状况的指标。该技术特别致力于监测当模块用开尔文点连接时，在模块连接时，顶部互连（金属化线键）的降解。该指标的一个优点是，可以在线遵循，而不会被当前或电压打扰，以诊断健康状况，并可能通过将功率模块的剩余寿命的预后与终身模型相关联。为此目的，基于在不同条件下的动力循环测试，该指标与常用的指标（即收集器发射器电压VCE表明，第一个对降解更敏感，更易于在线使用，最后应该更适合终身预后。
悬浮的微温度计用于各向异性热传输测量G. de Vito 1，D.M。 Koch 1，G。Raciti1，J.M。Sojo-Gordillo 1，A。Nigro
对微电器设备和有效热电的有效导热的需求不断增长，这增加了对具有极高或极低导热率的新材料的需求[1,2]。二维（2D）薄片，例如石墨烯或六角硼（HBN）在固态材料中最高的导热率中显示出最高的导热率。它们的尺寸与吸引人的电荷和热运输特性相结合，使其成为纳米电子设备的热量管理的良好候选者[3]。尽管最近在纳米技术方面取得了进步，但对纳米结构和低维系统热流的研究仍然是一项艰巨的任务。在这项工作中，我们介绍了旨在在多个方向上测量纳米材料的平面热特性的设备的制造和表征。我们在这里提出了一种旨在在多个方向上测量纳米材料的纳米材料的热能性能的设备的制造和表征[4]。此外，该设备允许同时执行电气和光学测量。这允许空间解决最终的热性能各向异性并校正接触电阻。制造没有与要研究的特定纳米结构有关的元素。最后，我们使用250 nm厚的硅薄片（图1）验证了设备的准确性，该硅层充当参考系统，并提供了探索主要热接触电阻的影响的可能性。我们已经使用拉曼温度计来计算薄片的有效晶格温度，这是膜上施加的温度的函数（图2），我们提取了平均界面界面导热率为2.4∙104𝑊𝑊22。
低温电解技术的电阻，孔隙率和水接触角度
多孔传输层是低温电解装置的重要组成部分，例如质子交换膜水电油夹或阴离子交换膜水电油层。PTL对细胞性能具有显着影响，因为它们的大量电阻会影响欧姆电阻，它们的接触电阻会影响电极性能，并且它们的结构会影响到细胞的液体流动，这可能会导致大规模传播损失。为了提高细胞性能，PTL的优化至关重要。应使用标准化协议来充分比较来自不同机构的PTL。此方法将详细介绍使用四线设置来测量PTL电阻的标准化协议，并将详细介绍使用毛细管流孔径测量PTL的孔隙率和水接触角的过程。
申请注意清洁室材料作为机载分子污染的来源
引入清洁室的每种材料都是空气传播分子污染（AMC）的潜在来源。材料的化学成分，其表面积，其热行为和温度最终通过特定组件确定了引入洁净室环境中的污染水平。那些在关键过程成分上凝结的污染物可能会导致“ AMC缺陷”，例如晶片，不受控制的硼和磷掺杂，蚀刻速率变化，阈值电压移位，晶片和丙键率偏移和高接触率和高接触电阻的变化。随着微电子设备的线路宽度缩小了“ AMC缺陷”已成为一个主要问题，需要在洁净室的设计中考虑。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
关键词列表 - EPE 2023
电容耦合 电容耦合 电容电压平衡 电容器 碳中和 级联 H 桥 共源共栅 CC-CV 充电 混沌抑制 EMI 充电补偿装置 充电调度 充电站 充电 电动汽车充电基础设施 电路 D 类放大器 闭式方程 组合 MMC-LLC 热电联产 公共接地 共模电流 电力电子通信 通勤 补偿 测量组件 压缩机 计算成本 状态监测 传导损耗 共识 基于共识的合作控制 接触电阻 非接触式能量传输 非接触式电源 控制相互作用 电气系统的控制方法 驱动控制 控制策略 控制器基准 控制器 转换比 转换器电路 转换器控制 转换器机器相互作用
研究Ni/Au和Pt/...
1。简介：尤其是氮化物的独特固有特性，尤其是甘恩捕获了未来MM - 波应用的半导体市场[1]。表现出高载体迁移率以及高饱和速度的能力，使基于GAN的设备适合MM - 波动应用[2]。所声称的基于GAN的设备的明显高性能[3] [4]实际上取决于各种因素。这些包括EPI - 层堆栈的质量[5] [6]，以及针对欧米克和肖特基触点实施的质量和金属方案[7] [8]。EPI - 层工程专注于最大程度地减少晶界和外延缺陷，以提高RF性能[6] [9]。另一方面，欧姆金属工程专门集中于降低接触电阻，以兼容高速操作[7] [10]，而不是Schottky接触工程，该联络工程具有特定的目标，可以实现下门
超声焊接的电气组件自动连接到智能纺织品
摘要：不存在一种自动产生电子纹理的合适连接方法。超声焊接可能是一个很好的解决方案，因为它可与无孔焊料一起使用，从而避免了纺织品集成电线的含量。本文介绍了对印刷电路板（PCB）的电子纹理超声焊接的详细过程。目的是了解影响连接的影响因素并确定相应的焊料参数。各种测试方法用于评估样品，例如对微结构的直接光学观察，脱皮的拉伸测试和接触电阻测量。通过降低工作温度和超声时间的时间来增加接触强度。较低的工作温度和减少的超声时间会导致更均匀的金属结构，而缺陷较少，从而改善了样品的机械强度。
全印刷超高响应度 MoS2 纳米片...
二维材料具有独特的光电特性，是可调、高性能光电器件的有希望的候选材料，而这些光电器件对于光学检测和量子通信至关重要。[1–3] 为了实现二维纳米片的可扩展生产，液相剥离 (LPE) 已被广泛探索，但与微机械剥离相比，其电子性能往往会受到影响。[4–6] 在 LPE 中，块状晶体被剥离成几层纳米片，通常使用超声波能量在适当的溶剂和/或稳定剂存在下，然后通过离心选择尺寸。[7] 虽然单个 LPE 纳米片可能表现出很高的光电质量，但基于渗透纳米片薄膜的器件通常会存在纳米片之间较大的接触电阻。 [7–9] 降低片间电阻的一种策略是优化 LPE 工艺，以获得具有较大横向尺寸的高纵横比纳米片，从而减少片间连接的数量和