XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System接触电阻
单层石墨烯场效应晶体管 (FET) 的直接偏置和频率相关小信号模型提取
摘要 — 我们提出了一种基于电荷准静态模型的显式小信号石墨烯场效应晶体管 (GFET) 参数提取程序。通过对 300 nm 器件进行高频（高达 18 GHz）晶圆上测量，精确验证了小信号参数对栅极电压和频率的依赖性。与其他只关注少数参数的工作不同，这些参数是同时研究的。首次将有效的程序应用于 GFET，以从 Y 参数中去除接触电阻和栅极电阻。使用这些方法可以得到提取小信号模型参数的简单方程，这对于射频电路设计非常有用。此外，我们首次展示了本征 GFET 非互易电容模型与栅极电压和频率的实验验证。还给出了测量的单位增益和最大振荡频率以及电流和功率增益与栅极电压依赖性的精确模型。
钼低电阻薄膜电阻
要了解接触电阻的起源，我们对层边界附近的电流分布进行了建模。由于在室温下，NBN的the the the the the the the the the the the the the接触面积的模拟3（a）。建模表明，几乎所有电流都从层的重叠开始时大约10 nm的距离转移到MO。因此，MO接触垫的电阻有助于总电阻。根据图从图中的图中获得的𝑅2（a），多余的电阻为1.3 - 1.5正方形。在我们的样品电流和潜在接触中位于侧面（图1A，B，D，E）。因此，我们在接触板中模拟了90°转动的电流流量，如图3（b）。对各个长度的条进行的仿真表明，两个方形的接触垫贡献了2.7𝑅（图。3（d））比𝑅0的实验值大，可以通过建模的结构和实际样品之间的相应性不确定来解释。
与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。
ES8020电池内部电阻测试仪
可充电电池的通用电池内部阻力测试仪：电池内部电阻测试仪，用于测量可充电电池的内部电阻，电压和温度，例如铅酸电池和锂电池，以判断电池的健康状况。电容ESR参数的仪表（仅供参考）。此仪器使用AC 4末端测试方法来测量电池的内部电阻，该方法可以测量正确的测量值，而不会受到测试线，端子和电池电极之间的接触电阻的影响。同时，它还具有数据存储，数据访问，警报，自动关闭等功能。整个机器都是高级且美丽，范围广泛，高分辨率，方便的操作，易于携带，准确，可靠，稳定的性能，强大的抗干扰能力。这是一种必不可少的工具，用于电池生产，电池安装，设备生产，设备维护和其他场景。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
AlN/AlGaN/AlN量子阱通道HEMT
我们对基于 Al x Ga 1 x N 量子阱通道的 AlN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的电气特性进行了成分依赖性研究，其中 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58。这种超宽带隙异质结构是下一代射频和电力电子器件的候选材料。使用选择性再生长的 n 型 GaN 欧姆接触会导致接触电阻随通道中 Al 含量的增加而增加。DC HEMT 器件特性表明，对于 x ¼ 0.25、0.44 和 0.58，最大漏极电流密度分别从 280 mA/mm 逐渐降低到 30 mA/mm 再到 1.7 mA/mm。与此同时，这三个 HEMT 的阈值电压 (幅度) 同时从 5.2 V 降低到 4.9 V 再到 2.4 V。这一关于 Al 组分 x 对晶体管特性影响的系统实验研究为在 AlN 上设计用于高电压和高温极端电子器件的 AlGaN 通道 HEMT 提供了宝贵的见解。
电线键合可靠性评估
1.1.1。球键故障球键故障是微电子包装中最常见的故障模式[2]。通常是由于热老化引起的金属间生长。来自金属间层中的微裂纹并削弱了键[3]。球键合AU，Cu，Ag基线到Al金属化形成热老化的金属间化合物（铝制）。[4]在不同的金属超声波或热音线键中有限的界面IMC形成会增加键强度。但是，过度的IMC形成可能导致债券的性能下降。IMC的厚度增加会产生较高的电阻，从而导致流动流动时较高的热量产生。这会产生乘数效应，因为由于电阻率升高而引起的加热促进了粘合界面中其他IMC的形成[5]。imcs的形成以及界面处的相关空隙和裂纹决定键的强度和可靠性。IMC的形成对粘结强度有益，但是它们的过度生长可以增加键和接触电阻的脆性，从而导致键失败[6]。
所有关于界面的信息：在高质量H-BN单层二酰亚胺界面处的残留污染物是否会导致电荷捕获？
为了表征有机sem iConductor中的内在电荷传输过程，必须最小化外部效应（例如接触电阻，非理想的污染物和外部污染物）的外在效应的影响。[1–3]半导体介电界面对于电荷传输至关重要，因为陷阱和表面粗糙可以阻止有效的电荷转移。[4,5]虽然表面粗糙度易于表征，例如，使用原子力显微镜（AFM）及其来源很容易识别，但[6]对于电活动陷阱而言，这是高度无琐的。此类陷阱通常与有机场效应晶体管（OFET）中使用的介电的影响有关，因为介电常数和其他内在特性会影响电荷转运。[4,5,7-10]为了减少半导体 - 二元界面处的捕获（例如，水和其他固有或外在陷阱），典型的是，表面是由于使用自组装单层（SAMS）而被钝化的。[11]最近还用本质上惰性的六角硼（H-BN）用作介电，其目标是实现无陷阱界面。[12–14]
在 600°C 下老化长达 1500 小时后，p 型 4H-SiC 上仍能保持稳定可靠的欧姆接触
研究了 Ti 3 SiC 2 基欧姆接触在 p 型 4H-SiC (0001) 4° 偏心衬底上的高温稳定性和可靠性。该接触由高温（900°C 至 1200°C）退火的 Ti 100-x Al x 合金生长而成。室温和高温（高达 600°C）下的特定接触电阻 (SCR) 在 10 -4 -10 -5 Ω.cm 2 范围内。计算出该组样品的肖特基势垒高度为 0.71 至 0.85 eV。在 600°C 下老化 1500 小时后，当 Al 含量 x < 80 at% 时，SCR 非常稳定。这与这些接触的化学和物理稳定性有关，其中老化后 4H-SiC/Ti 3 SiC 2 界面上的残余应力减小，因此 Ti 3 SiC 2 相得以保留。然而，在 x = 80 at% 的情况下，Ti 3 SiC 2 相消失，长时间老化后接触不再具有欧姆性。所得结果表明，Ti 3 SiC 2 /4H- SiC 系统在高温下具有热力学稳定性，因此可以成为高功率和高温电子应用的良好候选材料，具有很高的潜力。