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CNFET晶体管优化-IMEC出版物存储库
摘要 - 在本文中，我们提出了一个基于性能，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性之间的折叠式晶体管晶体管（CNT）效果晶体管（CNFET）基于基于5-NM技术节点的静态静态随机访问mem-Ory（SRAM）设计。除了尺寸优化外，还评估并对CNFET SRAM性能改善（包括CNT密度，CNT直径和CNFET频率）在内的物理模型参数进行了评估和优化。优化的CNFET SRAM与基于亚利桑那州立大学的最先进的FinFET SRAM细胞[ASAP 7-nm FinFET预测技术模型（PTM）]库进行了比较。我们发现，与FinFET SRAM细胞相比，所提出的CNFET SRAM细胞的读取，编写EDP和静态功率分别提高了67.6％，71.5％和43.6％，其稳定性稍好。CNT互连都被认为是组成全碳基SRAM（ACS）阵列，该阵列将在本文的第二部分中进行讨论。实现并使用具有铜互连的7 nm FinFET SRAM单元进行比较。
离子门控晶体管：传感和计算集成的推动力
在获取外部数据中必不可少的作用，通过这些智能任务（例如推理，学习和决策）可以完成。随着科学和技术的进步，尽管敏感性，设备大小和传感器的检测模式已得到很大改善，但对外部变化做出响应的方法主要是在被动模式下，也就是说，即，收集大量冗余数据，然后将它们传输到远程计算平台，例如云服务器等云服务器，以进一步处理。[2 - 4]随着智能任务的复杂性增加，被动模式会导致时间延迟和数据传输和处理能源消耗过多，并最终拖延了感觉系统的时间和能量效率。解决这些问题的有效方法之一是使用边缘计算能力开发智能的感官系统，通过这些感官系统可以在终端在本地完成收集数据的分析和处理。[3]
集成的超快全光极化晶体管
由于Dennard缩放1的崩溃，电子电路的时钟速度已经停滞了近二十年，这是近二十年的，这表明，通过缩小晶体管的大小，它们可以更快地操作，同时保持相同的功耗。光学计算可以克服这一障碍2，但是缺乏具有相当强大的非线性相互作用的材料，才能意识到全光开关已经排除了可扩展体系结构的制造。最近，强烈的光结合互动状态中的微腔启用了全光晶体管3，当与嵌入式有机材料一起使用时，即使在室温下也可以在室温下以次秒切换时间4的时间运行，直至单光子级5。然而，垂直腔几何形状可阻止使用片上耦合晶体管的复合电路。在这里，通过利用硅光子技术，我们在微米大小的，完全集成的高指数对比度的微腔中的环境条件下在环境条件下显示了激子 - 孔子凝结。通过耦合两个谐振器并利用种子偏振子凝结，我们证明了超快的全光晶体管作用和串联性。我们的实验发现为可扩展的，紧凑的全光积分逻辑电路开辟了道路，这些逻辑电路可以比电器快速处理两个数量级的光学信号。
INP DHBT分析建模：朝向THZ晶体管
摘要 - INP双极双极晶体管（INP DHBTS）是考虑到Tera-Hertz（THZ）应用的关键技术之一。提高其频率性能是具有挑战性的，并且很大程度上取决于各种参数（制造过程，几何和外延结构）。在本文中，开发了一种新颖的方法来考虑这些参数并预测技术的频率性能。这种方法包括重建小信号模型的S参数矩阵。小型信号模型的元素被识别，并详细描述了它们的评估。 一旦用当前的最新设备功能进行校准，该模型与测量值显示了很好的一致性。 基于此结果，对发射极和基础技术特征进行分析以及垂直结构的优化。 最后，详细介绍了开发THZ晶体管的必要优化。 这项工作为技术改进提供了指南，并为设计以高于THZ的频率运行的晶体管开辟了道路。小型信号模型的元素被识别，并详细描述了它们的评估。一旦用当前的最新设备功能进行校准，该模型与测量值显示了很好的一致性。基于此结果，对发射极和基础技术特征进行分析以及垂直结构的优化。最后，详细介绍了开发THZ晶体管的必要优化。这项工作为技术改进提供了指南，并为设计以高于THZ的频率运行的晶体管开辟了道路。
了解提供能源效率的新型晶体管技术
Royce工程与物理科学研究委员会（EPSRC）资助的工业合作计划（ICP）成功地与Royce材料科学和切削融资设施的专家进行了研究，开发和创新（RD＆I）项目，以真正的合作培训。此案例研究说明了剑桥大学剑桥甘恩设备（CGD）和罗伊斯之间ICP项目的结果。
数字晶体管 TDTA(R1=R2 系列)CA
订购信息 型号 标记 封装代码 TDTA114ECA 14 SOT-23 TDTA124ECA 15 SOT-23 TDTA143ECA 13 SOT-23 TDTA144ECA 16 SOT-23
PDTC123T 系列配备 NPN 电阻的晶体管 - Nexperia
1 产品简介 .......................。。1 1.1 概述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.2 特点 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.3 应用。。。。。。。。。。。。。。。.............1 1.4 快速参考数据。.....................1 2 置顶信息。....................2 3 订购信息 ..............。。。。。。3 4 标记。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 5 极限值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 6 热特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 7 特征。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 8 封装轮廓。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 9 包装信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 10 修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 11 法律信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.1 数据表状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.2 定义。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.3 免责声明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.4 商标。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 12 联系信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 13 目录 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10
区域化学驱动的有机电化学晶体管性能
图 2. p(g2T-TT) 和 pgBTTT 聚合物的截面突出显示 S--O 相互作用（黑色虚线 OHDGLQJ WR SODQDUL]HG GLKHGUDOV EROG UHG ZLWK ș -180°），以及在没有 S--O 的情况下具有扭曲二面角的截面（WHUDFWLRQV EROG EODFN ZLWK ș -156°）。红色虚线方块突出显示 pgBTTT 和 p(g2T-77 *HRPHWULHV ZHUH RSWLPL]HG XVLQJ Ȧ% ;' - * ZKHUH Ȧ Bohr -1
半导体二维聚合物作为有机电化学晶体管活性层
有机电化学晶体管 (OECT) 是一种基于半导体的器件，有望用于生物接口电子、化学传感和神经形态计算等应用。[1–7] OECT 通过将栅极电压电位转换为源极和漏极端子之间的差分电流来工作。[1,8] 在 OECT 架构中，栅极电位通过注入或传输离子和电荷补偿来调节半导体聚合物的氧化还原状态，从而控制有机晶体管通道的体积电导率（图 1 b、c、d）。[9] 由于离子掺杂引起的体积电导率变化可实现有效的离子到电子信号转导。[1,3] 为了满足有效电子传输、离子注入和传输以及高体积电容的需求，需要开发一种称为有机混合离子/电子
观点：分子晶体管作为量子信息应用的替代品
9 美国佛罗里达州奥兰多市中佛罗里达大学物理系 32816 摘要 量子信息科学 (QIS) 的应用通常依赖于量子比特的生成和操纵。尽管如此，仍有一些方法可以设想一种具有连续读出但没有纠缠态的设备。这个简明的观点包括对量子比特的替代方案的讨论，即固态版本的马赫-曾德尔干涉仪，其中局部矩和自旋极化取代了光极化。在此背景下，我们对决定涉及具有大磁各向异性的分子系统的量子信息过程的基本工作原理的数学原理提供了一些见解。基于此类系统的晶体管使得制造不需要纠缠态的逻辑门成为可能。此外，存在一些值得考虑的新方法来解决与量子设备的可扩展性有关的问题，但面临着寻找适合所需功能的材料的挑战，这些材料类似于 QIS 设备所寻求的功能。