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World File Search System晶体管
光门传感静电场效应热晶体管
摘要：固体中热传输的动态调整在科学上吸引了电子设备中热传输控制的广泛应用。在这项工作中，我们演示了一个热晶体管，该设备可以使用外部控制来调节热流，该设备通过拓扑表面状态在拓扑绝缘体（TI）中实现。通过使用沉积在Ti膜上的薄电介质层的光控来实现热传输的调整。使用微拉曼温度法测量栅极依赖性导热率。在室温下，晶体管的开/关比为2.8，可以通过光门传感进行连续，重复地以数十秒钟的速度切换，并且通过电控速度更快。这样的热晶体管具有较大的开/关比和快速切换时间，为未来电子系统中的主动热管理和控制提供了智能热设备的可能性。关键字：热晶体管，热开关，静电门，拓扑绝缘子
GaN 功率晶体管的栅极驱动配置
在半桥应用中对交叉传导的灵敏度增加 这两种影响都可以通过使用负栅极驱动电压来减轻。但这种方法也有缺点，因为负栅极驱动会导致反向（第三象限）操作中的电压降增加，从而导致死区期间的传导损耗更高。因此，最佳栅极驱动始终取决于基本应用条件（硬/软开关、功率等级、开关电压、频率等）。本白皮书简要概述了 GIT 和 SGT 产品系列的推荐栅极驱动概念。多功能标准驱动器（RC 接口）可以轻松适应这两种技术。本文档还提供了基本的栅极驱动器尺寸指南和一些典型的应用示例。
基于有机光电突触晶体管的储池计算网络
图 1 有机光电突触器件 . (a) 人类视网膜和大脑系统示意图 ; (b) 储池计算结构 ; (c) 提拉法制备有机薄膜示意图 ; (d) C 8 -BTBT 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (e) PDIF-CN 2 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (f) C 8 -BTBT 薄膜的 AFM 图像 ( 标 尺 : 1.6 μm); (g) PDIF-CN 2 薄膜的 AFM 图像 ( 标尺 : 1.6 μm); (h) 具有非对称金属电极的有机光电突触晶体管器件结构 ; (i) 器件 配置为光感知型突触 ; (j) 器件配置为计算型晶体管 ( 网络版彩图 ) Figure 1 Organic optoelectronic synaptic devices. (a) The schematic diagram of human retina and brain system. (b) The architecture of a reservoir computing. (c) The preparation of organic thin films by dip coating method. (d) The optical microscope image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 100 μm. (e) The optical microscope image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 100 μm. (f) The AFM image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 1.6 μm. (g) The AFM image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 1.6 μm. (h) The schematic diagram of organic optoelectronic synaptic transistor with asymmetric metal electrodes. (i) The device is configured as a light-aware synapse. (j) The device is configured as a computational transistor (color online).
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
基于石墨烯乙酸的杂交超级电容器和液体门控晶体管
超级电容器和晶体管是将来电子设备的两个关键设备，必须结合可移植性，高性能，易于可伸缩性等。与石墨烯相关的材料（GRM）经常被选为这些应用的活性材料，因为它们的独特物理特性可通过化学功能化来调整。最新的GRM中，只有减少的石墨烯（RGO）在温和培养基中显示出足够的多功能性和加工性，使其适合在这两种类型的设备中集成。在这里，提供了RGO的声音替代方案，即石墨烯乙酸（GAA），其物理化学特征具有特定的优势。尤其是，在锌混合超级电容器（ZN-HSC）中使用基于GAA的阴极的最先进的重力电容为≈400f g-1的当前密度为0.05 a g-1。相反，基于GAA的LGT支持SI/SIO 2，在0.1 M NaCl中显示出双极行为，其特征是由DIRAC电压高于100 mV的清晰p掺杂。这种设备在纸张流体中成功实现，从而证明了实时监控的可行性。
低功耗软晶体管引发电子革命
自20世纪40年代问世以来，晶体管就不断改变着我们的生活。作为逻辑门和集成电路（芯片）的核心元件，晶体管无疑在推动计算机、智能手机、平板显示器、物联网乃至所有电子或电气系统的发展方面发挥着无与伦比的作用。过去几十年来，主流晶体管通常由硅材料和金属氧化物等无机半导体制成，有利于实现高迁移率、快速开关速度和优异的稳定性。因此，硅晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管被广泛应用于电子应用。然而，尽管这些晶体管的制造规模要小得多以满足摩尔定律的预测，但它们却非常坚硬，并且几乎接近速度和功耗的基本极限。由于未来对具有机械灵活性/坚固性和低功耗的晶体管的需求，功能材料、设备配置和集成处理技术的创新以促进从刚性设备到柔软、耐用和生物相容性的设备的演变势在必行。1
集成的超快全光极化晶体管
由于Dennard缩放1的崩溃，电子电路的时钟速度已经停滞了近二十年，这是近二十年的，这表明，通过缩小晶体管的大小，它们可以更快地操作，同时保持相同的功耗。光学计算可以克服这一障碍2，但是缺乏具有相当强大的非线性相互作用的材料，才能意识到全光开关已经排除了可扩展体系结构的制造。最近，强烈的光结合互动状态中的微腔启用了全光晶体管3，当与嵌入式有机材料一起使用时，即使在室温下也可以在室温下以次秒切换时间4的时间运行，直至单光子级5。然而，垂直腔几何形状可阻止使用片上耦合晶体管的复合电路。在这里，通过利用硅光子技术，我们在微米大小的，完全集成的高指数对比度的微腔中的环境条件下在环境条件下显示了激子 - 孔子凝结。通过耦合两个谐振器并利用种子偏振子凝结，我们证明了超快的全光晶体管作用和串联性。我们的实验发现为可扩展的，紧凑的全光积分逻辑电路开辟了道路，这些逻辑电路可以比电器快速处理两个数量级的光学信号。
FMMT591 PNP 硅外延平面晶体管
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温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
石墨烯晶体管的全面研究和设计
摘要：石墨烯以其出色的电气，光学和机械性能而闻名，在下一代电子产品的领域中占据了中心地位。在本文中，我们对石墨烯场现场效应晶体管的综合制造过程进行了彻底的研究。重新确定了在确定设备性能时的关键角色石墨烯质量发挥作用，我们探索了许多技术和计量方法，以评估和确保石墨烯层的卓越质量。此外，我们深入研究了掺杂石墨烯的复杂细微差别，并检查了其对电子特性的影响。我们发现了这些掺杂剂对电荷载体浓度，带隙和整体设备性能的变革性影响。通过合并石墨烯场现场效应晶体管制造和分析的这些关键方面，本研究为旨在优化基于石墨烯电子设备的性能的研究人员和工程师提供了整体理解。