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World File Search System晶体管
单片 3D 集成中高效可扩展的带扩展栅极的 MIV 晶体管（已在 MWSCAS 2023 中接受）
摘要 — 单片 3D 集成已成为满足未来计算需求的有前途的解决方案。金属层间通孔 (MIV) 在单片 3D 集成中形成基板层之间的互连。尽管 MIV 尺寸很小，但面积开销可能成为高效 M3D 集成的主要限制，因此需要加以解决。以前的研究集中于利用 MIV 周围的基板面积来显着降低该面积开销，但却遭受了泄漏和缩放因子增加的影响。在本文中，我们讨论了 MIV 晶体管的实现，它解决了泄漏和缩放问题，并且与以前的研究相比，面积开销也有类似的减少，因此可以有效利用。我们的模拟结果表明，与之前的实现相比，所提出的 MIV 晶体管的漏电流 (ID,leak) 减少了 14 K ×，最大电流 (ID,max) 增加了 58%。此外，使用我们提出的 MIV 晶体管实现的逆变器的性能指标，特别是延迟、斜率和功耗降低了 11.6%，17.与之前的实现相比，在相同的 MIV 面积开销减少的情况下，分别降低了 9% 和 4.5%。索引术语 — 单片 3D IC、垂直集成、片上器件
基于二维 MoTe2 纳米结构的非挥发性光电晶体管
低维材料表现出奇特的物理特性。其中，过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料，例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2，作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体，表现出高效的光吸收率，从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中，M 是由六边形排列的原子组成的薄片，堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住，导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键，导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
2SD1816I 2SD1816 NPN 外延平面硅晶体管
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灵活的现场效应晶体管构建技术，简短的评论
1.1 F-FET结构通常，F-FET由源，排水和门组成。它在绝缘底物上收缩。源和排水量沉积在半导体上，并通过导电电极（通常是金，铜或银）连接到外部电源。FET的门通常在基板的顶部或底部制造，这就是FET结构称为顶部或底部门的原因（图1）。基本上，电荷载体在施加的栅极电压的控制下流过FET。V GS和I DS之间的关系是I DS = µ（WC/2L）（V GS -V T）2，其中I DS是从排水源流到源的电流，C是绝缘体电容，V t是阈值电压，W是通道的差异，L是其长度，L是其长度，Schneider，Schneider等。[1]。
索引 太空中的第一个晶体管
晶体管技术于 1947 年在贝尔实验室发明，并于 1948 年 6 月公开发布，注定要成为早期太空飞行的基本支持组件。晶体管的关键性能特征包括极低功耗、坚固耐用、重量轻和使用寿命长，与太空飞行要求非常匹配，并支持了整个 20 世纪 50 年代至 70 年代航天器和导弹技术的快速发展。这种非凡技术组合的一个历史性例子是 1958 年 1 月成功发射了第一颗美国卫星“探险者 1 号”，它仅使用晶体管电子设备（没有真空管），并且表现超出预期，测量了辐射水平并返回了由此产生的科学数据，这为发现范艾伦辐射带奠定了基础。晶体管博物馆很高兴开设这个新部分，重点介绍晶体管技术对早期航天器和导弹的历史贡献。我们很快就会扩展此部分，所以请经常回来查看。
PEDOT的电气和光学调制：多个神经递质介导的人工突触的基于PSS的电化学晶体管
最近已经以人工突触的形式引入了基于生化信号活性的突触调节的神经形态系统，该系统是人工突触的形式，这些突触是建立组织交织的平台的模型设备。在这方面，生物杂交突触有望适应性神经元积聚。然而，这些系统从两个分子跨言中辅助，因为生物神经回路信号传递通常涉及多个神经调节剂，并且不稳定的电子接线是需要复杂的架构来接口组织的复杂体系结构。此外，尽管新颖的尖峰电路可以作为人工神经元起作用，但它们只能重新创建生物电信号通路，而电化学信号转导需要进行静脉间通信。因此，人工化学介导的突触对于执行记忆/学习计算功能至关重要。，一种电化学神经形态有机装置（eNODE）作为人工突触，在模拟两个神经递质的突触重量调节及其在突触cleft裂中的循环弹性调节及其回收机械时，它克服了电化学和读取干扰。通过将两个独立的神经递质介导的化学信号转换为PEDOT的可逆和不可逆变化：PSS电导，可以复制神经元短期和长期可塑性。通过利用PEDOT的电致色素特性：PSS，引入了一种替代的光学监测策略，该策略有望从复杂的Bio-Hybrid接口中稳定的多边形读数。平台模拟了高阶生物学过程，例如内在遗忘，记忆巩固和神经递质共同调节。这些受脑启发的功能预示着结合峰值（电神经元）和非尖峰（电化学突触）元素的组织综合神经形态系统的发展，从而设想假肢桥梁用于神经工程和再生药物。
2SB1261 PNP 硅外延平面晶体管
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用于高性能有机场效应晶体管的液晶状活性层
摘要 高载流子迁移率和均匀的器件性能对于有机场效应晶体管 (OFET) 的器件和集成电路应用至关重要。然而，仍然需要实现高器件性能且批次间差异较小的策略。本文，我们报告了一种在 N，N'-双十三烷基苝-3，4，9，10-四羧酸二酰亚胺 (PTCDI-C 13 ) 模板上生长的 2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅基乙炔基)蒽二噻吩 (dif-TES-ADT) 薄液晶膜，并通过原子力显微镜和偏振荧光显微镜进行了确认。具有大结晶域的液晶膜可进一步用作 OFET 的载流子传输通道。结果，我们实现了高性能 OFET，饱和载流子迁移率为 1.62 ± 0.26 cm 2 V −1 s −1
顶部接触有机电化学晶体管-NSF-PAR
有机电化学晶体管（OECTS）将离子转换为电信号，这使它们成为广泛的生物电子应用的有前途的候选人。，尽管他们承诺，但仍未完全了解其设备几何形状对性能的影响。在此，将两个不同的设备几何形状（顶部接触和底部接触OECT）根据其接触性，可重复性和开关速度进行比较。表明，底部接触设备的切换时间更快，而其顶部接触式对应器在略有降低的接触抗性和增加的可重复性方面表现出色。讨论了速度和可重复性之间这种权衡的起源，该速度和可重复性之间的权衡为特定应用程序提供了优化指南。
无监督的机器学习应用程序，以识别MOSFET晶体管电离辐射效应的噪声事件的单事件瞬变（集合）
本文介绍了K-均无监督的机器学习算法的新应用，以在电子设备的重合离子辐照实验中识别噪声中的单个事件瞬态（SET）事件的问题。我们通过分析MOSFET晶体管的几种重型离子照射产生的集合事件的实验数据集来探索K-均值算法的性能。分别使用隔离森林和随机森林算法研究了所选特征（平均偏差，偏度和峰度）的数据异常和有效性。结果表明，K均值算法具有很高的能力，可以使用前四个统计矩作为特征从噪声中识别事件，从而允许将这种方法用于现场事件检测和诊断，而无需以前的算法训练或实验数据的预先分析。