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World File Search System晶体管
字母硅神经晶体管基于CMOS负差异电阻（NDR）
抽象以计算机科学为导向和以神经科学为导向的是开发人工通用智能（AGI）的两种通用方法。在这项研究中，使用用于AGI应用的神经科学方法开发了硅神经元晶体管。神经元行为（“加权总和和阈值”功能）基于互补的金属 - 氧化物 - 半导体（CMOS）负差异电阻（NDR）理论。神经元晶体管由UMC 180-nm商业标准CMOS流程实施，这是有益的，可以实现整个神经网络或与同一芯片上的其他CMOS电路集成。神经元tran-sistor由三个输入V G1，V G2和V G3组成，以及一个控制端子，V con，一个负载端子，V B（负载）和驱动程序端子，V B（驱动程序）。每个输入的宽度为1.8 µm，并且输入分别具有1、2和4填充物，即重量比为1：2：4。v B（负载）和V B（驱动器）使神经元晶体管更加类似于真正的生物神经元，与传统的人工神经网络相比，灵敏度的提高且复杂性较小。以10 kHz的最大频率测量神经元MOS晶体管。它的功率消耗极低，为<10-4 µ w，而占地面积为30×15 µm 2。随着过程特征大小的减小，芯片的工作频率可以增加一个数量级，而其功耗和足迹将减少。关键字：人工通用智能（AGI），CMOSFET电路，人工神经网络（ANNS），硅神经晶体管，负差异抵抗（NDR）分类（NDR）分类：集成电路（内存，逻辑，逻辑，模拟，RF，RF，RF，Sensor）
通过堆叠非易失性的van der waals晶体管
1多功能磁光光谱技术中心（上海），纳米光学和高级工具工程研究中心（教育部），材料和电子科学学院材料系，东部中国师范大学，上海，200241年，200241年，200241年，200241 China 3 School of Computer Science and Technology, East China Normal University, Shanghai 200062, China 4 ASIC & System State Key Laboratory, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China 5 Collaborative Innovation Center of Extreme Optics, Shanxi University, Taiyuan, Shanxi 030006, China 6 Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, Fudan University, Shanghai 200433，中国
焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响
AlkotmányU的生态研究中心生态学与植物学研究所。2 - 4，H-2163Vácrátót，匈牙利B森林现场诊断和分类部，pf。132，H-9401 Sporon，匈牙利C植物解剖学系，生物学研究所，EötvösLorándUniversity，PázmányP。Stny。 1/c，H-1117布达佩斯，匈牙利d ostffyasszonyfai u。 60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。 2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。 132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利132，H-9401 Sporon，匈牙利C植物解剖学系，生物学研究所，EötvösLorándUniversity，PázmányP。Stny。1/c，H-1117布达佩斯，匈牙利d ostffyasszonyfai u。60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。 2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。 132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u.15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。13，H-1088布达佩斯，匈牙利
考虑准饱和效应的 COOLMOS 晶体管 SPICE 电气模型
电子邮件：1 s.laafar@gmail.com 摘要 本文讨论了 CoolMOS 功率晶体管的宏建模。正在建立一个能够提供准确结果的新型功率 CoolMOS 晶体管宏模型。它基于将 CoolMOS 功率晶体管细分为本征 MOSFET、JFET、齐纳二极管和电压控制电压源。所有这些组件都包含在一个子电路中，以描述功率 CoolMOS 晶体管的饱和和准饱和等效应。本文将在介绍新的子电路模型的同时清楚地解释这些影响以及参数提取过程。通过将所提出的模型在 PSpice 下的仿真结果与制造商提供的数据表结果以及英飞凌科技提供的模型进行比较，验证了所提出的模型的有效性。我们的模型为直流特性的所有工作区域提供了准确的描述。它给出的输出特性平均误差百分比小于 5.5%。
溶液处理的钙钛矿场效应晶体管人工突触
和非结构化数据。[1,2] 在大脑中，信息储存在突触中，突触中有一个裂缝连接两个神经细胞（神经元）。 当输入刺激到达前神经元时，神经递质会从前神经元分泌出来，与后神经元上的受体结合，并调节离子传输通道（图 1a）。[3] 离子通过通道的动态通过激活/停用离子通透性通道的形成（即电导更新）在增强/减弱突触权重方面起着至关重要的作用。[3] 根据突触前刺激，突触权重会暂时维持或持续数分钟、数小时甚至更长时间，并可充当记忆状态。 开发一种通过类似离子的动力学更新电导的人工突触将非常接近地模拟生物突触的行为，并最终可以模拟各种生物神经操作。漂移忆阻器已经成功模拟了具有长期增强 (LTP) 和长期抑制 (LTD) 特性的电导更新，但本质上是随机的 [4] 并且需要额外的扩散元件来模拟离子动力学。[5] 3 端器件结构（例如晶体管）可以调节离子，因此是人工突触的有希望的候选者。[6–13] 电解质门控晶体管无需额外电路即可控制离子。[6,7] 然而，实现电解质门控晶体管的长期可塑性一直具有挑战性，主要是因为器件不稳定性（例如，接触处的寄生电化学反应引起）。[6–8] 铁电场效应晶体管 (FeFET) 提供了一种出色的器件架构，通过控制铁电栅极的极化来编程/擦除非易失性多电导状态，从而控制突触权重。 [9] 铁电栅极已用于调节 FeFET 的电导率，FeFET 采用各种半导体作为沟道材料，包括氧化铟镓锌 (IGZO) [9–11] 、二维材料 [12,13] 和聚合物。[42] 然而，用缺乏离子的半导体材料模拟离子动力学几乎是不可能实现的。因此，需要一种能够传导离子并保持其电子结构的沟道材料。金属卤化物钙钛矿半导体因其独特的离子-电子混合导电特性，是用于人工突触的有前途的材料。[14–16] 高迁移率、大扩散长度和长载流子寿命等显著的电子导电特性使得
基于石墨烯乙酸的杂交超级电容器和液体门控晶体管
超级电容器和晶体管是将来电子设备的两个关键设备，必须结合可移植性，高性能，易于可伸缩性等。与石墨烯相关的材料（GRM）经常被选为这些应用的活性材料，因为它们的独特物理特性可通过化学功能化来调整。最新的GRM中，只有减少的石墨烯（RGO）在温和培养基中显示出足够的多功能性和加工性，使其适合在这两种类型的设备中集成。在这里，提供了RGO的声音替代方案，即石墨烯乙酸（GAA），其物理化学特征具有特定的优势。尤其是，在锌混合超级电容器（ZN-HSC）中使用基于GAA的阴极的最先进的重力电容为≈400f g-1的当前密度为0.05 a g-1。相反，基于GAA的LGT支持SI/SIO 2，在0.1 M NaCl中显示出双极行为，其特征是由DIRAC电压高于100 mV的清晰p掺杂。这种设备在纸张流体中成功实现，从而证明了实时监控的可行性。
锂离子电池阴极的电子特性，以离子门控晶体管构型研究
摘要电子和离子运输控制锂离子电池（LIB）操作。在不同电荷状态下锂离子过渡金属氧化金属（LMOX）阴极中电子传输的操作研究可以评估LIB的健康状况及其性能的优化。我们报告了在离子门控晶体管（IGT）构造中在Operando中控制的不同电荷状态的Lib阴极材料中的Electronic运输。我们考虑了LINI 0.5 MN 0.3 CO 0.2 O 2（NMC532） - 和LIMN 1.5 Ni 0.5 O 4（LNMO）基于常规Lib Cathodes中的配方材料，在有机电解质LP30中运行，并在有机电解质LP30中运行（1M Lipf 6中的LIPF 6中的LIPF 6中：乙烯碳酸烯基碳酸盐：Dimethylyyy基碳酸盐碳酸盐碳酸盐1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：1：V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V/V）NMC532-和基于LNMO的阴极材料被用作转移通道材料，LP30用作离子门控培养基。超出了其对Lib的领域的影响，我们的工作将基于混合离子和电子传输（包括神经形态计算）的新型设备设计。
标题：用于亲密接触的生物粘附性聚合物半导体和晶体管
传感表面与组织之间（4-6）。这要求设备具有柔软、可拉伸的特性，以适应曲线组织表面，同时电传感表面与组织之间具有稳定的粘合性。可拉伸生物电子材料和设备的开发已经取得了进展（7-12）。然而，对于需要电子材料与湿组织表面粘附性的界面粘合（13），成功率仅限于 10
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
分子量对阶梯型共轭聚合物的有机电化学晶体管性能的影响
有机混合离子 - 电子诱导者（OMIEC）是许多（光学）电子和能源收集/存储应用的新兴材料技术。[1]在OMIEC中，离子和电子之间的强耦合可以有效地存储和信号传导。[2]出于这个原因，OMIEC在电色素显示器中发现了应用，[3]发光的电化学细胞，[4]超级电容器/电池，[5] Sensors，[6]热电学，[7]，[7]和执行器，[8]，[8]，仅命名少数。在有机电化学晶体管（OECT）中作为活性通道材料实施时，[9] OMIECS具有创纪录的跨导率，低操作性电压和高电流均匀性。[10]这些属性使OECT成为化学/生物逻辑传感的有前途的技术，[11]医学诊断，[12]大型可打印电路[13]和Neu-Romorphic Computing。[14]