XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System栅极
适用于低功耗应用的堆叠介电三材料圆柱形栅极 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流建模
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较，获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低，可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管，并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐，以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗，并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比，所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善，这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
环绕栅极无结渐变通道MOSFET（SJLGC MOSFET）的模拟/Rf和稳定性研究
摘要：本文利用ATLAS TCAD器件模拟器从模拟、RF性能的角度探讨了环绕栅极无结渐变通道 (SJLGC) MOSFET 的潜在优势。系统地研究了横向渐变通道对电位、电场、载流子速度、通道能带的影响。本研究主要强调了 SJLGC MOSFET 的优越性能，表现出更高的漏极电流 (ID )、跨导 (gm )、截止频率 (f T )、最大振荡频率 (f max )、临界频率 (f K )。由于通道渐变的影响，SJLGC MOSFET 的漏极电流提高了 10.03%。SJLGC MOSFET 的 f T、f max 和 f K 分别提高了 45%、29% 和 18%，表现出更好的 RF 性能。 SJLGC MOSFET 相对于 SJL MOSFET 的优势进一步得到阐明，其固有电压增益 (gm / g ds ) 提高了 74%，表明其在亚阈值区域具有更好的应用。但在亚阈值区域，SJLGC MOSFET 的跨导产生因子小于 SJL MOSFET。由于较低的栅极间电容 (C GG ) 的影响，SJLGC MOSFET 的固有栅极延迟 (ζ D ) 与 SJL MOSFET 相比较小，表明其数字开关应用更好。模拟结果表明，SJLGC MOSFET 可以成为下一代 RF 电路的有力竞争者，该电路涵盖了 RF 频谱中的广泛工作频率。
栅极金属功函数对无结 (JL) 纳米线 GAA MOSFET 性能的影响
进一步扩展工作，以匹配 nMOS 和 pMOS 的阈值电压，从而实现反相电路。阈值电压匹配是通过校准金属功函数和器件沟道长度来匹配阈值电压来实现的。计算了不同栅极长度匹配的阈值电压，其中 nMOS 为 60nm，而 pMOS 为 47nm。nMOS 的功函数值为 4.3eV，pMOS 为 4.461eV。此时的阈值电压几乎
使用同时吸收栅极吸收的最佳量子映射
摘要 - 在实现量子误差校正（QEC）之后，Quantum计算机专注于嘈杂的中间尺度量子（NISQ）应用。与需要QEC的众所周知的量子算法（例如Shor's或Grover的算法）相比，NISQ应用具有不同的结构和属性，可以利用编译。编译的关键步骤是将程序中的Qubits映射到给定量子计算机上的物理Qubit，这已被证明是一个难题。在本文中，我们提出了OLSQ-GA，这是一种最佳的量子映射器，具有同时交换闸门吸收期间的关键特征，我们表明这是NISQ应用程序非常有效的优化技术。与其他最先进的方法相比，量子近似优化算法（QAOA）是一个重要的NISQ应用，OLSQ-GA可将深度降低高达50.0％，将深度降低100％，这转化为55.9％的法律改善。OLSQ-GA的溶液最优性是通过精确的SMT公式实现的。为了获得更好的可伸缩性，我们以初始映射或交替匹配的形式增强了方法，从而使OLSQ-GA加快了272倍的速度，而没有最佳损失。
高性能，透明溶液处理的有机场效应晶体管，具有低k弹性栅极介电和液晶晶体晶体的半导体：承诺和挑战
“刚刚接受的”手稿已被同行评审并接受出版。它们是在技术编辑之前在线发布的，格式化以进行出版和作者证明。美国化学学会提供了“刚刚接受的”，作为研究界的服务，以加快接受后的科学材料的传播。“刚刚接受的”手稿以PDF格式完整出现，并带有HTML摘要。“刚刚接受的”手稿已被完全审查，但不应被视为官方版本的记录。它们是由数字对象标识符（DOI®）提及的。“刚接受”是提供给作者的可选服务。因此，“刚刚接受的”网站可能不包含所有将在期刊上发表的文章。在用技术编辑和格式化手稿后，它将从“刚刚接受的”网站中删除，并作为ASAP文章出版。请注意，技术编辑可能会对可能影响内容的手稿文本和/或图形进行较小的更改，以及适用于期刊有关的所有法律免责声明和道德准则。acs不能对使用这些“仅接受”手稿中包含的信息产生的错误或后果负责。
辐射敏感 MOSFET 受到各种正栅极偏压的照射
摘要 对辐射敏感的金属氧化物半导体场效应晶体管 (RADFET) 经 110 Gy(H 2 O) 伽马射线辐照。在不同正栅极偏压下辐照过程中的阈值电压 VT 结果表明，VT 随栅极偏压的增加而增加。辐照过程中的阈值电压偏移 Δ VT 拟合得很好。分析了辐射过程中固定陷阱 (FT) 和开关陷阱 (ST) 对 Δ VT 的贡献。结果表明，FT 的贡献明显高于 ST。提出了一个描述阈值电压偏移及其分量对栅极偏压依赖性的函数，该函数与实验值非常吻合。研究了辐照后 RADFET 在室温下无栅极偏压的退火情况。阈值电压的恢复（称为衰减）会随着辐射期间施加的栅极偏压而略有增加。 Δ VT 表现出与固定状态引起的阈值电压分量 Δ V ft 相同的变化，而由于开关陷阱引起的阈值电压分量 Δ V st 没有变化。
基于标准单元的栅极尺寸和晶体管堆叠的抗辐射效率
近年来，晶体管技术的进步使得人们能够设计出越来越复杂的集成电路。随着在降低功耗和提高性能方面取得的巨大成就，在考虑深度扩展技术时也面临着新的挑战。明显的工艺变异性、老化和辐射效应是经常出现的设计挑战，其重要性也日益增加 [1-5]。集成电路越来越容易受到单个高能粒子撞击的影响，可能会产生破坏性或非破坏性的影响。当粒子撞击触发 CMOS 电路中固有的 PNPN 结构中的寄生晶体管时，就会发生单粒子闩锁 (SEL)，这可能会产生破坏性影响 [6]。当高能粒子从顺序逻辑元件撞击晶体管的敏感区域并沉积足够的电荷以扰乱电路时，单粒子翻转 (SEU) 会以位翻转的形式出现。此外，组合逻辑电路容易受到单粒子瞬态 (SET) 效应的影响，这种效应表现为粒子与处于关断状态的晶体管漏极电极相互作用产生的寄生瞬态电流。这并不是单粒子效应 (SEE) 的详尽列表 [7]。辐射加固设计 (RHBD) 技术已经开发出来，用于应对不同辐射条件下电子电路的辐射效应
通过用氨基硅烷改性栅极氧化物实现电子掺杂并提高 n 通道多晶 OFET 性能
自组装单分子膜 (SAM) 广泛应用于有机场效应晶体管，以改变栅极氧化物的表面能、表面粗糙度、薄膜生长动力学和电表面电位，从而控制器件的工作电压。本研究使用 n 型多晶小分子半导体材料 N,N′-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺 (PTCDI-C8)，比较了氨基官能化的 SAM 分子与纯烷基硅烷 SAMS 对有机场效应晶体管电性能的影响。为了了解氨基对电子的影响，系统地研究了含氨基官能团的数量和 SAM 分子长度的影响。虽然之前已经研究过氨基官能化的 SAM 材料，但这项研究首次能够揭示用极性氨基硅烷材料处理栅极氧化物时发生的掺杂效应的性质。通过对分子水平上的界面进行全面的理论研究，我们发现观察到的阈值电压偏移是由自由电荷引起的，这些自由电荷被 PTCDI-C8 吸引，并在那里被质子化的氨基硅烷稳定下来。这种吸引力和电压偏移可以通过改变氨基硅烷中性端链的长度来系统地调整。
焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响
AlkotmányU的生态研究中心生态学与植物学研究所。2 - 4，H-2163Vácrátót，匈牙利B森林现场诊断和分类部，pf。132，H-9401 Sporon，匈牙利C植物解剖学系，生物学研究所，EötvösLorándUniversity，PázmányP。Stny。 1/c，H-1117布达佩斯，匈牙利d ostffyasszonyfai u。 60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。 2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。 132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利132，H-9401 Sporon，匈牙利C植物解剖学系，生物学研究所，EötvösLorándUniversity，PázmányP。Stny。1/c，H-1117布达佩斯，匈牙利d ostffyasszonyfai u。60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。 2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。 132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利60，H-9600Sárvár，匈牙利E系，兽医大学，PF。2，H-1400布达佩斯，匈牙利F森林和森林保护研究所，pf。132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。 1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。 3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u. 15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。 137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。 13，H-1088布达佩斯，匈牙利132，H-9401 Sporlon，匈牙利G Bem J. U。1/d，H-2066Szár，匈牙利H Zichy P. U。3/1, H-2040 Budaörs, Hungary i Biodiversity & Macroecology Group, Department of Biological, Geological and Environmental Sciences, Alma Mater Studiorum – University of Bologna, via Irnerio 42, 40126 Bologna, Italy j Plant Protection Institute, Centre for Agricultural Research, Herman O. u.15，H-1022布达佩斯，匈牙利K Damjanich J. U。137，H-1154布达佩斯，匈牙利L部，匈牙利自然历史博物馆，巴罗斯U。13，H-1088布达佩斯，匈牙利
JOC3120R 系列直流输入、2.5A、栅极驱动器光耦合器
焊接温度 Tsol 260 °C 4 注1. 50% 占空比，1ms PW 注2. ≤1μs PW，300pps 注3. AC 1 分钟，RH = 40 ~ 60% 注4. 10 秒