机构名称：
¥ 1.0
摘要 - 与平面，沟槽和双层建筑的不同商业SIC Power MOSFET上进行了加速陆生中子辐照。结果用于计算海平面上的故障横截面和时间（拟合）率。增强的门和排水泄漏，这些设备在暴露期间没有表现出破坏性故障。特别是，对于平面和沟槽栅极MOSFET观察到了不同的机制，第一个显示部分闸门破裂，其中主要是漏极和栅极之间的泄漏路径，类似于以前在重离子上观察到的，而第二个则显示出完整的栅极破裂。讨论了有关不同技术的观察到的故障机制和射线后栅极应力（猪）测试。
陆地中子对SIC VD- ...
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