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半导体技术 ITRS 路线图
半导体技术 ITRS 路线图 Alan Allan Intel 公司 亚利桑那州钱德勒 四十年来，半导体行业一直以其产品的快速改进而著称。表 1 列出了改进趋势的主要类别，并给出了每种趋势的示例。这些趋势中的大多数主要源于该行业能够成倍地减少用于制造集成电路的最小特征尺寸。当然，最常被引用的趋势是集成度，这通常用摩尔定律来表达。（即每块芯片的元件数量每 24 个月翻一番）。对社会来说，最重要的趋势是每功能成本的下降，这通过计算机、电子通信和消费电子产品的普及显著提高了生产力和生活质量。表 1 - 通过特征缩放实现的 IC 改进趋势趋势示例
基于超表面的硅基量子搜索器......
摘要：光学模拟计算相较于传统数字计算具有并行计算、速度快、能耗低的天然优势。目前，片上光学模拟计算领域的研究主要集中在经典数学运算上，尽管量子计算具有诸多优势，但基于超表面的片上量子模拟器件尚未被展示。本文基于绝缘体上硅（SOI）平台，设计了一种特征尺寸为60×20 µm 2 的片上量子搜索器。利用经典波模拟基于叠加原理和干涉效应的量子搜索算法，同时结合片上超表面实现调制能力。当入射波聚焦在标记位置时，即可找到标记项，这与量子搜索算法的效率完全相同。所提出的片上量子搜索器有利于基于波的信号处理系统的小型化和集成化。
第一部分：直接墨水书写
本文是一系列文章中的第一篇，这些文章全面讨论了微尺度增材制造工艺的最新进展，并提出了解决阻碍其可扩展性的挑战的解决方案。本文探讨了一类称为直接墨水写入/喷射工艺的增材制造技术，研究人员已使用这些技术制造具有不同几何自由度的微尺度部件。本文通过分析材料约束、几何约束和特征尺寸分辨率限制，确定了使用这些工艺进行高通量 3D 微加工的关键挑战！和吞吐量限制。虽然其中一些挑战可以通过新颖的精密工程方法克服，但还有其他几个挑战需要对材料系统、工艺参数和关键部件有深入的了解。本文确定了这些挑战并提出了消除这些挑战的潜在方法，目标是在高吞吐量下制造真正的 3D 部件。!!!
IET 功能安全 EMC 指南
电子复杂性不断增加，看不到尽头，自生噪声水平不断增加，而硅集成电路的特征尺寸不断缩小，使其发出更多噪声，同时更容易受到噪声的影响。电子设备在安全相关应用中的使用确实正在迅速增长，而且（再次）看不到尽头。我们已经到了这样的地步，即在涉及安全性方面，基于测试的常规电磁兼容性 (EMC) 方法完全不够用，正如当前媒体对“电子油门”故障的汽车的关注所表明的那样。所有这些趋势的必然结果是，如果没有新的电磁兼容性 (EMC) 工程方法，将对一般人造成不受控制的安全风险，并且对采用电子技术的制造商和服务提供商造成不受控制的财务风险，如图 1 所示。
增材制造 - 金属 AM
据称，金属 AM 系统专为大批量生产而设计。它包括一个直径 315 毫米、高 400 毫米的构建包络，配备双 1 千瓦激光器操作。为了实现卓越的部件间一致性，Velo3D 报告称，Sapphire 的集成原位工艺计量技术可实现闭环熔池控制，据称这是同类产品中的首创。据称，该系统能够构建复杂的几何形状，并允许设计悬垂度低至五度而无需支撑，以及高达 40 毫米的大型无支撑内径。据报道，最小特征尺寸和壁厚低于 250 微米。为了最大限度地提高生产率，Sapphire 系统包含一个模块，可实现自动切换，无需操作员参与，15 分钟内即可开始新的打印。
采用生物可吸收氨基酸基树脂进行 3D 多光子纳米光刻
摘要：我们证明，新设计的含有聚合用乙烯基反应基团的氨基酸磷二酰胺树脂 (APdA) 可用于通过 3D 多光子光刻制造亚 100 纳米结构。我们使用原子力和单分子荧光显微镜定量分析了纳米结构的特征尺寸、杨氏模量和功能化。我们的结果表明，由缬氨酸或丙氨酸组成的聚合物主链赋予单体疏水性，将聚合物纳米结构在水环境中的膨胀限制在 8% 以内。尽管膨胀很小，但实验表明，在干燥和潮湿条件下，杨氏模量变化高达 10 倍。为了增强基于 APdA 的结构的多功能性，我们加入了生物素功能化并将其用于固定细胞外囊泡。因此，这些发现凸显了基于 APdA 的纳米光刻光刻胶在生物医学和纳米技术应用方面的潜力。
完美匹配的印刷材料 - Nanoscribe
IPX光树脂是专为Nanoscribe Quantum X系统设计的。这个经过业界验证的平台既提供基于2PP的最高精度3D打印，也提供创新的双光子灰度光刻（2GL®），用于2.5D结构化地形的微加工。为了充分利用Quantum X系统的性能、精度和打印速度，IPX系列已针对不同的特征尺寸、质量和工艺进行开发。IPX-S非常适合使用2GL®打印具有微米精度的中观结构，而IPX-Q针对相同规模和类型的结构进行了优化，但使用2PP。IPX-M专为高通量宏观打印而设计，单次打印量高达30立方厘米。IPX-Clear在可见光谱范围内具有出色的透射率，是打印高精度微光学元件的理想选择。
化合物半导体光刻热点的形成机理及控制
关键词：光刻热点、GaAs 蚀刻、SiN 沉积、工艺集成 摘要 光刻技术能否持续对精细几何图形进行图案化，主要挑战之一是整个晶圆和加工场内的最佳焦点存在差异。晶圆图案化侧的这些差异通常是可以理解的，可以很好地表征，并且在选择和优化焦点设置时可以进行校正。然而，晶圆背面的意外和变化的畸形会影响曝光过程中的场平衡（由于基板高度差异而导致的焦点偏移）。这会导致存在污染的地方图案分辨率较差。这些缺陷通常被称为“热点”。在本研究中，研究并表征了一种具有可重复双重像差的故障模式。结果表明，由于一种由 Si x N y 沉积和 GaAs 湿法蚀刻组成的新型集成缺陷模式，形成了意想不到的背面台面。然后，这些台面在金属互连光刻过程中产生热点，导致产量损失 1% 或更多。本研究证明了检测、表征和最小化图案化畸变对于持续改进器件、提高产量和降低化合物半导体制造成本的重要性。引言光刻是半导体行业中不可或缺的技术，是蚀刻、沉积和离子注入的前身[1-4]。保持正确且一致的聚焦和剂量控制对于确保侧壁角度和特征尺寸以满足器件功能和可靠性需求至关重要[2]。因此，先进的光刻技术对于实现器件性能和提高半导体行业的芯片产量至关重要[5]。使用浸没式光刻、双重或多重图案化、分辨率增强技术等创新方法，可以在阿贝衍射极限的几分之一处对器件特征进行图案化[1,6-8]。除了实现更密集的图案化和更小的特征尺寸外，稳健的光刻部署还面临着许多实际挑战[5,9-11]。其中一个挑战是
增材制造 - 金属 AM
据称，Sapphire 激光粉末床熔融 (LPBF) 金属 AM 系统专为大批量生产而设计。它包括一个直径 315 毫米、高 400 毫米的构建包络，配备双 1 kW 激光器操作。为了实现卓越的部件间一致性，Velo3D 报告称，Sapphire 的集成原位工艺计量技术可实现闭环熔池控制，据称这是同类产品中的首创。据称，该系统能够构建复杂的几何形状，并允许设计出无支撑的悬垂度低至五度，以及高达 40 毫米的大型无支撑内径。据报道，最小特征尺寸和壁厚低于 250 µm。为了最大限度地提高生产率，Sapphire 系统包含一个可实现自动切换的模块，使新的打印能够在 15 分钟内无需操作员参与即可开始。