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关键词：光刻热点、GaAs 蚀刻、SiN 沉积、工艺集成 摘要 光刻技术能否持续对精细几何图形进行图案化，主要挑战之一是整个晶圆和加工场内的最佳焦点存在差异。晶圆图案化侧的这些差异通常是可以理解的，可以很好地表征，并且在选择和优化焦点设置时可以进行校正。然而，晶圆背面的意外和变化的畸形会影响曝光过程中的场平衡（由于基板高度差异而导致的焦点偏移）。这会导致存在污染的地方图案分辨率较差。这些缺陷通常被称为“热点”。在本研究中，研究并表征了一种具有可重复双重像差的故障模式。结果表明，由于一种由 Si x N y 沉积和 GaAs 湿法蚀刻组成的新型集成缺陷模式，形成了意想不到的背面台面。然后，这些台面在金属互连光刻过程中产生热点，导致产量损失 1% 或更多。本研究证明了检测、表征和最小化图案化畸变对于持续改进器件、提高产量和降低化合物半导体制造成本的重要性。引言光刻是半导体行业中不可或缺的技术，是蚀刻、沉积和离子注入的前身[1-4]。保持正确且一致的聚焦和剂量控制对于确保侧壁角度和特征尺寸以满足器件功能和可靠性需求至关重要[2]。因此，先进的光刻技术对于实现器件性能和提高半导体行业的芯片产量至关重要[5]。使用浸没式光刻、双重或多重图案化、分辨率增强技术等创新方法，可以在阿贝衍射极限的几分之一处对器件特征进行图案化[1,6-8]。除了实现更密集的图案化和更小的特征尺寸外，稳健的光刻部署还面临着许多实际挑战[5,9-11]。其中一个挑战是
化合物半导体光刻热点的形成机理及控制
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