机构名称：
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通常，半导体纳米线是通过众所周知的技术来制备的，例如多孔模板中的电化学沉积、化学传输、使用金催化种子的化学气相沉积等[3-5]，这些技术代表了自下而上的技术。在过去的二十年中，已经证明，电化学蚀刻大块半导体晶体可作为纳米结构的一种经济有效的方法[6-8]。此外，通过优化电化学参数可以制备大量垂直于晶体表面的半导体纳米线。通过阳极氧化制备纳米线具有一些优点：蚀刻时间短；阳极氧化在室温下进行；不需要昂贵的设备；电解质用量少等。此外，已经证明了通过“快速电化学蚀刻”InP半导体化合物来经济高效地制备InP纳米线的可能性[9]。使用这种方法，作者在3秒的电化学蚀刻期间制备了长度为2μm的半导体纳米线，蚀刻速率达到约40μm/min。
利用电化学技术对纳米微电子应用的半导体化合物进行工程设计
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