机构名称：
¥ 1.0
曝光 f.2。套刻精度大于1.5纳米且小于（优于）等于或小于4.0纳米的压印光刻设备。 f.2.压印光刻设备 3B993.f.2 具有 1.5 纳米或以上、4 纳米或以下（或更好）的重叠精度。导出至实体列表脚注5时
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