甲状腺素相变材料(PCM)是一类独特的化合物,其可切换的光学和电子特性促进了微电子和麦克风学中新兴应用的爆炸。任何应用程序的关键是PCM可在大量循环中可靠切换在晶体和无定形状态之间的能力。在微电子记忆的情况下,该问题已经进行了广泛的研究,但当前基于PCM的光学设备的耐力较低。要了解限制PCM的故障机制,专门在微电体设备中耐力,我们开发了一个片上电阻的微型供电平台和一个自动多模式表征系统,以分析光学PCM的循环性能。证明了超过50,000个周期的大区块PCM设备可逆切换。
𝑆𝑈(𝑁𝑁)仪表理论会经历反馈相变[1]。对这种过渡的非扰动研究从许多角度就可以对Yang-Mills理论的动力学有宝贵的见解。例如,一个人可以表征热力学可观察物的行为,这是颜色数量𝑁𝑁[2-4]的函数。早期宇宙中的一阶相变给引力波的烙印(例如参见参考文献。[5 - 8])。这打开了令人兴奋的可能性,即将重力波用作标准模型以外的物理探针的其他探针。除其他应用外,该程序与标准模型的扩展相关,该标准模型提出了HIGGS领域,新的Top-Quark合作伙伴或暗物质候选者的综合性质,例如基于𝑆𝑝(4)仪表理论的候选者,最近在数字上研究了,例如参考。[9 - 13]。要理解由给定理论中相变的引力波的强度,需要对相关可观察物的非扰动计算进行。在此贡献中,我们使用线性对数松弛(LLR)算法[14]在𝑆𝑈(3)Yang-Mills中报告了计算。对于该系统,最近在参考文献中提供了对潜热的高精度计算。[15]。使用与我们在这里讨论的类似方法的计算,但是在参考文献中讨论了靶标𝑆𝑈(4)。[16]。这项工作的一部分已在参考文献中报告。[17],我们将读者推荐给读者进行互补讨论。正在准备更广泛的出版物[18]。本工作的其余部分的结构如下。在教派中。2我们提供了晶格系统的描述,算法的博览会以及对数值实现的讨论。第3节报告了我们的数值发现。最后,我们的结论和未来工作的概述是在本节中给出的。4。
光子拓扑边缘状态表现出强大的操纵光传播的能力。尤其是全dielectric结构是支持拓扑状态的有前途的平台,在该平台中,通常通过具有各向同性结构的工程形状和晶格来获得非平凡的光子带。在这里,我们建议在由各向异性支柱组成的二维(2D)三角光子晶格中操纵拓扑阶段。发现,柱子或单位细胞的旋转伴随着复杂的耦合效应,可以注入自由度,以在琐碎和非平凡的拓扑相之间切换光子带结构。我们进一步制定了一个描述旋转诱导的拓扑跃迁的2D相图,并在电信波长的情况下证明了硅硅的耐极性稳健单向光传播。这项工作提出了一种操纵拓扑阶段和非平凡光子状态的替代方案,该方案有望对片上光操纵进行更有趣的探索。
在本研究中,我们提出了一种新方法,使用自动编码器 (AE)(一种无监督机器学习技术)在极少先验知识的情况下识别一维量子多体系统中的量子相变。AE 的训练是使用通过精确对角化 (ED) 在整个驱动参数范围内获得的约化密度矩阵 (RDM) 数据进行的,因此不需要相图的先验知识。使用此方法,我们通过跟踪 AE 重构损失的变化,成功地检测到了具有多种不同类型相变的广泛模型中的相变,包括拓扑和 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 相变。学习到的 AE 表示用于表征不同量子相背后的物理现象。我们的方法展示了一种研究量子相变的新方法,只需极少的知识和少量所需数据,并生成量子态的压缩表示。
探索物质从原子到宏观尺度的多尺度特性,将实验观察与原子模拟和深度学习计算机视觉技术相结合,以回答原子如何通过缺陷运动重排实现极端固体中的体相转变这一关键问题
在非铁晶准晶体中的非相互作用颗粒在复杂的能量平面中显示出定位 - 偏置和光谱相变,可以通过点隙拓扑来表征。在这里,我们研究了在非铁族准晶体中两个相互作用颗粒的光谱和动力学特征,该颗粒在不稳定的正弦电位中用有效的哈伯德模型与复杂的相位描述,并在没有任何遗传学的情况下揭示了一些有趣的效果。由于粒子相互作用引入的相关跳跃的有效减小,doublon状态,即结合的粒子状态,与单粒子状态相比,光谱和定位 - 偏置转变的阈值要低得多,导致迁移率边缘的出现。值得注意的是,由于Doubleons显示出更长的寿命,因此最初放置在远处的两个粒子倾向于束束并粘在一起,在长期的进化中形成了Doubleon状态,这种现象可以将其称为非Hermitian粒子堆。
在二维(2D)过渡金属二进制基因元素(TMDS)之间,由于半导体H相和金属1T' - 相之间的自由能差异很小,因此对阶段工程应用进行了预测。同时,源于半导体H-MOTE 2通过MO 6 TE 6纳米线到立方钼的单层中的点缺陷的完整图片尚未报道,这是本研究的主题。在球形和色差校正的高分辨率高分辨率透射电子显微镜和 /或受到高温时,在单层H-MOTE 2中发生的相变的发生相变是由40 - 80 kV电子引发的。我们分析了40 kV和80 kV的电压下的损伤横截面,并将结果与其他TMD的先前发表的值相关联。然后,我们证明了电子束照射提供了一条途径,可以将独立的单层H-MOTE 2转换为一维(1D)MO 6 TE 6纳米线。将实验数据与第一个原理计算的结果相结合,我们通过电子光束诱导的能量转移,原子弹性和吸收吸收的相互作用来解释MOTE 2单层和MO 6 TE 6纳米线的转换。此外,将电子照射产生的效果与在真空中的原位退火产生的效果进行了比较,直到在约1000°C的温度下获得纯钼晶体,对高温固体到固体相变的详细理解可以为2D极限提供该材料的洞察力。
摘要:在这项工作中,我们探索了镓作为一种有效的相变材料在热管理应用中的热性能。将镓制造的散热器的热存储和散热与传统的相变散热器进行了比较。比较结果显示,由于高密度、热导率和熔化潜热,相变过程中的温度可能降低 50 倍(80 K 对 1.5 K)。镓在瞬时加热时会产生浅热梯度,从而产生近乎等温的过程。使用集中总和参数的计算估计能够提供简单的模型来预测结果。基于镓的相变装置兼具体积小、整个装置温降小、制造和设计简单以及高能量存储应用等特点。DOI:10.1061/(ASCE)AS.1943-5525.0001150。本作品根据知识共享署名 4.0 国际许可证条款提供,https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ 。
研究拓扑问题的主要动机是对拓扑顺序侵害环境的保护。在这项工作中,我们研究了与电磁环境耦合的拓扑发射器阵列。光子发射极耦合会在发射器之间产生非局部相互作用。使用周期性的边界条件为环境诱导的相互作用的所有范围,保留了发射极阵列固有的手性对称性。这种手性对称性保护了哈密顿量,并在林德布拉德操作员中诱导了平等。拓扑相变发生在与发射极阵列的能谱宽度相关的临界光子发射极耦合处。有趣的是,临界点非试图改变边缘状态的耗散速率,从而产生耗散性拓扑相变。在受保护的拓扑阶段,边缘状态从环境诱导的耗散范围内,用于弱光子发射极耦合。然而,强耦合可在发射极间距处的窗口带来稳健的无耗散状态。我们的工作显示了通过电磁环境操纵拓扑量子物质的潜力。
过渡金属二盐元化(TMDS)的单层表现出许多具有不同结构,对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法,这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导;最近提出,通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性,但尚未实现7,8。在这里,我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明(Mote 2)。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环,并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起,以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外,这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形(2H)相。在这种情况下,如图有趣的是,实验研究报道了另一种分层晶体结构,即单斜(1T')相。1a,每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成,并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同,单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性,在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度,以及在低维度中的强烈激子效应,使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里,在每个层中,丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位,沿y轴14的晶格失真(图1b)。与半导体2H相不同,半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性,预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争,共存和合作,以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用,例如记忆设备,可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止,通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变(参考5),通过元素取代18和激光照射19。但是,这些相变仅在几层或