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World File Search System相变
硅中不寻常的塑性应变诱发相变现象
Si 是最重要的电子材料，对其压力诱导相变 (PT) 已得到广泛研究，而应变诱导的 PT 从未进行过原位研究。本文，我们原位揭示了各种重要的塑性应变诱导 PT 现象。理论上预测了应变诱导 PT 中粒径与屈服强度和压力之间的正霍尔-Petch 效应和逆霍尔-Petch 效应之间的相关性，并通过实验证实了 Si-I → Si-II PT 的相关性。对于 100 nm 粒子，应变诱导的 PT Si-I → Si-II 在压缩和剪切下均在 0.3 GPa 开始，而在静水条件下则在 16.2 GPa 开始。Si-I → Si-III PT 始于 0.6 GPa，但不会在静水压力下发生。微米和 100 nm 粒子的小 Si-II 和 Si-III 区域内的压力比 Si-I 高 ∼ 5 – 7 GPa。对于 100 nm Si，观察到 Si-I → I + II → I + II + III PT 序列，并且在扭转下发现 Si-I、II、III 和 XI 四相共存。在环境压力下保留 Si-II 和单相 Si-III 并获得反向 Si-II → Si-I PT 证明了操纵不同合成路径的可能性。所获得的结果证实了精心设计的基于位错堆积的机制，并且在开发纳米结构材料的经济缺陷诱导合成、表面处理（抛光、车削等）和摩擦方面具有广泛的应用。
CMOS兼容，基于ALSCN的集成电光相变
摘要：集成光子设备的商业生产受所需材料平台的可扩展性的限制。我们探索了一个相对较新的光子构造ALSCN，因为它在电形相移和调制中的使用。其CMOS兼容性可以促进集成光子调节剂的大规模产生，并且与固有的ALN相比，它表现出增强的二阶光学非线性，表明有效调节的可能性。在这里，我们测量了0.80 SC 0.20 N基相位变速器中的电磁效应。我们利用了TM0模式，允许使用R 33电磁系数，并在750 V cm左右证明了V𝜋L。由于电位响应比预期的要小，因此我们讨论了基于ALSCN的光子学的响应减少和未来前景的潜力原因。
观察从连续到离散时间晶体的相变
抽象离散（DTC）和连续的时间晶体（CTC）是新型的动力多体状态，其特征在于稳健的SELSELRIST持续振荡，通过自发破坏ODiscrete或连续的时间翻译而出现。dtc是定期驱动的系统，可振荡于次谐波的外部驱动器，而CTC则是连续驱动和振荡的，并具有与系统固有的频率。在这里，我们探索了一个相变的连续时间晶体到离散的时间晶体。具有特征性振荡的CTC在连续泵送的原子腔系统中制备了频率ωCTC。将泵强度调节ctc的泵强度接近2ΩCTC的CTC导致可靠的锁定OΩCTC锁定至ωDR2，因此DTC出现了。量子多体系统中的这种相变与谐波注射锁定的锁定锁定力和电子振荡器或激光器有关。
智能消防员ppe：相变材料的影响
本文提出了一个自动的低成本和高级射击系统。使用图像处理技术来分析实际时间目标。在体育射击中，传统评分系统需要大量的时间和资源，因此，为了效率和准确性而需要自动化。所提出的系统使用位置的腔室，以免干扰射击者的射击线，从而捕获每个框架。接下来，使用图像处理算法（例如图像形态处理，透视转换和环检测）对影响的影响。与现有昂贵的系统不同，该系统旨在在官方内部环境中进行实际使用，在该官方内部环境中，可以将框架和黑色磁带用作更实惠的解决方案的目标。适用于寻求专业水平准确性的业余狙击手而无需其他设备。该算法分为两个阶段：标准前图用于测试方法，然后将角度应用于鲁棒性。它是使用计算视觉库在Python中开发的，并考虑到实现该项目目的所需的所有补偿。实验结果表明，该自动系统在射击检测和评分呈现之间需要第二秒，效率为98.3％。
非线性诱导的拓扑相变为非线性Chern数
首先通过Chern数字表征量子霍尔效应的表征，拓扑提供了指导原理，以实现对疾病的存在免疫的浓缩含量系统的强大特性。散装对应关系保证了拓扑系统中无间隙边界模式的出现，该模式在拓扑系统中表现出非零的拓扑不变性。尽管最近的一些研究表明，拓扑结构可能会扩展到非线性系统，但尚未了解拓扑不变的非线性对应物。在这里，我们提出了基于二维系统中非线性特征值问题的Chern数字的非线性扩展，并显示了超出弱非线性方案以外的散装 - 边界对应关系的存在。具体而言，我们发现非线性诱导的拓扑相变，其中拓扑边缘模式的存在取决于振荡模式的幅度。我们提出和分析了非线性Chern绝缘子的最小模型，该模型在分析上获得了确切的体积溶液。该模型表现出非线性Chern数的幅度依赖性，为此我们确认了块状 - 边界对应关系的非线性扩展。因此，我们的结果揭示了真正非线性拓扑阶段的存在，这些阶段与线性状态脱节。
通过电流诱导相变对范德华磁体磁阻进行巨大调节
有效的磁化控制是磁学和自旋电子学的核心问题1-8。特别是，对于具有非常规功能的自旋电子器件，对范德华 (vdW) 磁体中磁态的多功能操控的需求日益增加9-13。已经实现了通过自旋扭矩对 vdW 磁体进行磁化切换的电控制，但在没有外部磁场的情况下铁磁状态到反铁磁状态之间的电流诱导相变尚未得到证明12,14,15。在这里，我们报道了电流诱导的 vdW 铁磁体 Fe 5 GeTe 2 中的磁相变，从而产生了巨磁电阻。基于磁输运测量和相关理论分析，我们证明该转变是通过平面电流诱导的跨 vdW 间隙电压差在各层中依次发生的。 34 Fe 5 GeTe 2 中磁相的电流可调性为磁性能的电控制开辟了一条道路，扩展了我们将 vdW 磁体用于各种自旋电子器件应用的能力。36
LAFL种子发育和相变的因素
开发是一种链反应，其中一个事件导致另一个事件直到完成生命周期。相变是生命周期中的里程碑事件。叶状cotyledon1（Lec1），ABA nosistive3（ABI3），FUSCA3（FUS3）和LEC2蛋白（同时称为LAFL）是调节种子和其他发育过程的主转录因子（TFS）。自从LAFL基因的最初表征以来，超过三十年的积极研究产生了有关这些TF的大量知识，这些TF在种子降低和发芽中的作用已得到了全面审查。使用遗传和基因组工具的细胞生物学的最新进展允许以较高的参考物种和农作物的较高吞吐量和分辨率在先前具有挑战性的组织中表征LAFL调节网络。在这篇综述中，我们通过整合表观遗传，转录，转录后和蛋白质水平的进步来提供整体观点，以扩大拟南芥种子发育和相变的LAFL网络的时空调节，并简要讨论这些TF网络的进化。
相互作用标量量子场论中相变的量子计算
例如本文研究的量子相变，我们的格模型必须包含大量的位点 L ≫ 1，因此该张量积的因子数量也是 L 。量子计算机为解决这些大型 Fock 空间提供了一种令人鼓舞的方法，因为它们本质上是以量子力学的方式运行的。事实上，目前人们正在大力努力在量子硬件上模拟相对论量子场论。一类特别重要的问题是规范场论的模拟，因为它们在描述基本粒子物理学中起着至关重要的作用。这些理论包含玻色子自由度，因此必须解决相应的无限局部希尔伯特空间。在[1-5]中可以找到一些针对此类问题的理论算法建议，在[6-9]中进行了实际的硬件实现。不幸的是，我们目前可用的设备不仅受到量子比特数量的限制，更重要的是受到量子计算机固有的高噪声水平的限制。虽然利用量子纠错 (QEC) [ 10 – 12 ] 的容错量子计算机将来可能会被证明是可靠的，但目前还无法在近期的量子设备（称为噪声中尺度量子 (NISQ) 硬件）上实现 QEC。根据我们当前的现实，有必要找出能够让我们从现有技术中提取有用信息的技术。例如，可以应用不同形式的“错误缓解”技术来对抗噪声。这些技术目前正在研究中，已经设计出几种方法来解决量子计算机中一些最常见的重大错误源，包括读出（RO）误差[13-16]，也称为测量误差，以及由两量子比特门（如受控非（CNOT）门）引起的退相干[17-19]。更直接的解决方案是实现混合量子-经典算法，从而将量子方面降低到适当平衡其优缺点的水平。另一方面，我们将看到存在这样一种情况，其中哈密顿量的基态是可分解的，用于计算量子相变的经典和量子算法都受益于由此产生的简化。经典地，希尔伯特空间的张量积不再是问题，因为这个问题可以在本地解决。在量子方面，纠缠门的数量以及相关耦合的范围都大大减少。这使得量子电路实际上可以在当今的硬件上实现，即使对于较大的晶格尺寸 L 也是如此。在玻色子场论的情况下，还必须考虑无限局部希尔伯特。虽然我们在调用基于量子比特的架构时总是可以截断这个希尔伯特空间，该架构根据离散变量 (DV) 量子计算运行，用玻色子本身来模拟这些玻色子模式可能更自然。这是在连续变量 (CV) 量子计算中实现的。除了能够访问整个希尔伯特空间外，CV 量子计算机还可以利用更耐退相干的光学元件和状态，并可以使用现有技术有效操纵 [20]。与目前的量子比特设备（如超导芯片或离子阱量子计算机）不同，这种设备未来也可以在室温下通过实验实现 [21]。然而，通用量子计算所需的非高斯门的实现目前尚无定论。
通过纳米复合相变量提高太阳能光伏系统效率
摘要：太阳能电池板中电子组件的有效冷却对于优化其性能和寿命至关重要。这项研究研究了相变材料（PCM），尤其是纳米复合材料的利用，以增强太阳能电池板中的电子冷却。纳米复合PCM具有独特的热性能和可扩展性，使其成为降低温度波动并提高整体系统效率的有吸引力的候选者。通过实验验证和仿真研究，本研究探讨了太阳能电池板中基于纳米复合PCM的冷却系统的设计，集成和优化。在提高电子组件的可靠性，提高能量产量和延长系统寿命方面，该方法的有效性得到了证明。这项研究通过提供了利用创新的PCM解决方案用于电子冷却应用的洞察力，从而有助于太阳能电池板技术的发展。
用UV飞秒激光脉冲强烈激发Si和GE的相变动力学
半导体的飞秒激光处理已演变为成熟的高精度制造技术，从而实现了广泛的应用。最初大多数研究都采用了近乎红外波长的脉冲，但由于不同的激发条件，由于较短的光学渗透深度，因此使用紫外线激光脉冲的兴趣正在不断增加，从而导致分辨率提高。在这种情况下，为了理解和最终控制复杂的相变途径，需要对这种脉冲触发的相变的时间动力学进行基础研究。在这里，我们报告了一项详细的时间分辨研究，以使用单个400 nm，100 fs激光脉冲在中等和高激发方向进行辐照后，晶体硅和锗的相变动力学。为此，我们采用了FS分辨的光学显微镜，探头波长为800 nm，以研究辐照表面的反射率演变，范围从100 fs到20 ns，范围为100 fs。在中等激发的情况下，数据揭示了激光诱导的过程的整个序列，从产生自由电子等离子体，非热融化，消融和半透明消融层的膨胀层的扩展。在峰值流体的激发时超过30倍消融阈值，观察到异常的瞬态高反射率态，这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。 此外，在中度的辐射后，两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。超过30倍消融阈值，观察到异常的瞬态高反射率态，这可能表明了后坐压力诱导的液体 - 液相相变。此外，在中度的辐射后，两种材料形成了70 nm厚的无定形表面层。总体而言，我们的结果提供了有关FS-Pulse激发在近绿色波长范围内两种材料的最终状态的相关信息。