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摘要：集成光子设备的商业生产受所需材料平台的可扩展性的限制。我们探索了一个相对较新的光子构造ALSCN，因为它在电形相移和调制中的使用。其CMOS兼容性可以促进集成光子调节剂的大规模产生，并且与固有的ALN相比，它表现出增强的二阶光学非线性，表明有效调节的可能性。在这里，我们测量了0.80 SC 0.20 N基相位变速器中的电磁效应。我们利用了TM0模式，允许使用R 33电磁系数，并在750 V cm左右证明了V𝜋L。由于电位响应比预期的要小，因此我们讨论了基于ALSCN的光子学的响应减少和未来前景的潜力原因。
CMOS兼容，基于ALSCN的集成电光相变
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