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CMOS 兼容碳纳米管阵列转移方法的开发

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CMOS 兼容碳纳米管阵列转移方法的开发

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1 微电子与纳米电子中心（CMNE），电气与电子工程学院，南洋理工大学，50 Nanyang Ave，Singapore 639798，新加坡；chunfei001@e.ntu.edu.sg（CFS）；e190013@ntu.edu.sg（LYXL）；ChongWei@ntu.edu.sg（CWT）；lxhu@ntu.edu.sg（LH）；TanCS@ntu.edu.sg（CST）2 CNRS-NTU-THALES 研究联盟/UMI 3288，研究技术广场，50 Nanyang Ave，Border X Block，第 6 层，新加坡 637553，新加坡；jxwang@ntu.edu.sg（JW）；simon.goh@ntu.edu.sg（SCKG）；Philippe.Coquet@cnrs.fr（PC）； ehongli@ntu.edu.sg (HL) 3 Institut d'Electronique, de Micro Electronique et de Nanotechnologie (IEMN), CNRS UMR 8520-Université de Lille, 59650 Villeneuve d'Ascq, France 4 南洋理工大学机械与航空航天工程学院, 50 Nanyang Ave, Singapore 639798,新加坡 * 通讯地址：EBKTAY@ntu.edu.sg † 两位作者对本手稿的贡献相同。

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