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与...相匹配的小型企业规模标准表 - SBA
规模标准大部分以百万美元（以“$”开头）或员工人数（不带“$”）表示。规模标准是企业的最大规模，同时仍符合联邦政府计划的小型企业标准。大部分规模标准是企业的平均年收入或平均雇员人数。如何计算企业的平均年收入和平均雇员人数，可分别参见 13 CFR § 121.104 和 13 CFR § 121.106。
无密封性的可靠性：商用气相沉积...
• 密封封装价格昂贵（定制）、笨重、占用大量空间 • 传统保形涂层的介电常数会严重影响射频电路性能（不能直接应用于有源元件） • 高频射频和微波设备仅与密封封装兼容或根本没有保护 • 没有可行的替代方案来替代密封封装 • 关键问题：– 射频兼容性 – 环境保护 – 成本效益 – 可扩展性
评估和提高气相传感器的可靠性...
Sharad Vikram 1、Ashley Collier-Oxandale 2、Michael Ostertag 1、Massimiliano Menarini 1、Camron Chermak 1、Sanjoy Dasgupta 1、Tajana Rosing 1、Michael Hannigan 2 和 William G. Griswold 1
相基团过渡金属二分法晶体
Lai，Z V.，Hu，Z。，... Welsh，H。（2021）。 混乱的1T'-相元组VIB传输晶体。 物质性质，20，1113-1120。 https://dx.do.org/10Lai，Z V.，Hu，Z。，... Welsh，H。（2021）。混乱的1T'-相元组VIB传输晶体。物质性质，20，1113-1120。https://dx.do.org/10https://dx.do.org/10
趋化运动诱导的相分离
积极移动的颗粒的集体可以自发地分成稀释和致密的相 - 一种令人着迷的现象，称为运动性诱导的相分离（MIPS）。mips对于无方向性偏置的随机移动颗粒进行了充分研究。然而，许多形式的活性物质表现出集体趋化性，沿着化学梯度的定向运动可以产生，该化学梯度可以产生自己。在这里，使用理论和模拟，我们证明了集体趋化性与MIPS强烈竞争 - 在某些情况下，会阻止或完全抑制相位分离，或者在其他情况下，产生了根本性的新动态不稳定性。我们建立了描述这项竞争的原则，从而有助于揭示和阐明执行趋化性的活性物质系统的丰富物理学，从细胞到机器人。
高度有序的相超分子材料
高效的长距离能量传输对于光电和光收集设备至关重要。尽管有机分子的自组装纳米纤维表现出较长的激子扩散长度，但将这些纳米纤维排列成具有相似性质的大型有序域的薄膜仍然是一个挑战。本文展示了如何用离散长度的寡二甲基硅氧烷（o DMS）侧链对 C3 对称羰基桥接三芳胺三酰胺 (CBT) 进行功能化，从而形成完全覆盖的表面，其中排列的域最大可达 125 × 70 μ m 2，可在其中进行长距离激子传输。域内的纳米级形貌由高度有序的纳米纤维组成，纳米纤维在柔软的非晶态 o DMS 基质内具有离散的柱间距。o DMS 可防止 CBT 纤维捆绑，从而减少 CBT 柱内的缺陷数量。因此，这些柱具有高度的相干性，导致激子扩散长度为几百纳米，激子扩散率（≈ 0.05 cm 2 s − 1）与结晶四苯并菲相当。这些发现代表了通过使用 o DMS 功能化实现高度对齐的纳米纤维完全覆盖表面的下一步。
物质的手性对称高阶拓扑相
高阶拓扑能带理论扩展了物质拓扑相的分类，涵盖了绝缘体[1-13]、半金属[13-18]和超导体[19-31]。它推广了拓扑相的体边界对应性，使得d维n阶拓扑相仅在其(d-n)维边界上具有受保护的特性，例如无带隙态或分数电荷。目前，已知有两种互补机制可产生高阶拓扑相（HOTP）：（1）由于某些 Wannier 中心配置引起的角诱导填充异常[2, 5, 9, 32, 33]，以及（2）边界局域质量域的存在[2, 3, 6 – 8, 34, 35]。这两种机制分别导致了角电荷的分数量子化和角处单个间隙态的存在。在一阶拓扑系统中，还存在保护每个边界上的多个状态的相。这发生在奇数维度的手性对称系统（十重分类中的 AIII 类[36 – 38]）中。例如，在一维系统中，此类相由一个 Z 拓扑变量（称为绕组数 [ 39 , 40 ]）来识别，它将哈密顿量的同伦类归类在第一个同伦群 π 1 [ U ( N )] 内，并对应于每个边界上简并零能态的数量。相反，应用于手性一维系统的 Wannier 中心方法仅根据电偶极矩（由 Wannier 中心的位置给出）是否量化为 0 或 e/ 2 产生 Z 2 分类。因此，从这个意义上说，Wannier 中心方法的范围相对于绕组数的范围较小；它将所有具有偶数绕组数的一维手性对称系统标记为平凡的。观察到 AIII 类 1D 系统具有比 Wannier 中心图提供的更完整的 Z 分类，这表明，类似地，AIII 类 HOTP 可能存在更完整的分类。例如，考虑堆叠 N 个拓扑四极子绝缘体 [1]。如果它们以手性对称方式耦合，则整个系统在每个角将具有 N 个零能态。然而，没有已知的拓扑四极子绝缘体 [2]。
反应性气相添加剂使 γ-Mg 不稳定 ...
摘要：硼氢化镁（Mg(BH 4 ) 2 ）具有较高的氢重量/体积容量和脱氢可逆性，是一种很有前途的材料基储氢材料。目前，缓慢的脱氢动力学和中间体聚硼烷的形成阻碍了它在清洁能源技术中的应用。本研究介绍了一种改变 Mg(BH 4 ) 2 物理化学性质的新方法，该方法涉及在气相中添加反应性分子。该过程使得研究一类用于材料基储氢的新型添加剂分子成为可能。研究了四种具有不同亲电性程度的分子（BBr 3 、Al 2 (CH 3 ) 6 、TiCl 4 和 N 2 H 4 ）的影响，以推断如何利用化学反应性来调节添加剂 -Mg(BH 4 ) 2 相互作用并优化低温下氢气的释放。控制添加剂与 Mg(BH 4 ) 2 的接触量可防止 γ -Mg(BH 4 ) 2 晶体结构退化和氢容量损失。三甲基铝对 Mg(BH 4 ) 2 的影响最为显著，可保持 Mg(BH 4 ) 2 理论氢含量的 97%，并在 115 °C 时释放氢。这些结果有力地证明了该方法对控制 Mg(BH 4 ) 2 性能的有效性，并为基于添加剂的储氢材料改性提供了一条新途径。关键词：硼氢化镁、储氢、电解质、添加剂、气相化学、同步辐射■ 引言
电荷泵移相电路的设计与实现...
随着集成电路工艺的不断发展，锁相环 (PLL) 频率源技术被广泛应用于各类传感器，如用于图像传感器的高精度时钟发生器[1–4]。近年来，得到广泛研究的高精度传感器，特别是植入式医疗传感器和高精度图像传感器，要求低功耗、大输出功率、低相位噪声[5]。作为传感器的关键模块，PLL 的性能在一定程度上决定了传感器的性能。电荷泵锁相环 (CPPLL) 因其低相位噪声、变相位差和高频工作等特点而成为 PLL 的代表性结构[6–8]。已经发表了许多关于 CPPLL 的研究成果，如[9–14]。在[11]中，采用 65nm Si CMOS 工艺实现了 CPPLL。提出的 CPPLL 采用了一种新型超低压电荷泵。所提出的CPPLL工作频率为0.09 GHz～0.35 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-90 dBc/Hz，电路功耗约为0.109 mW。[9]提出了一种基于GaAs pHEMT的PLL，采用多种电路技术组合对所提出的PLL进行优化，降低相位噪声，提高运行速度。所提出的PLL工作频率约为37 GHz，在1 MHz频偏处相位噪声为-98 dBc/Hz，电路功耗约为480 mW。从以上参考文献可以看出，GaAs pHEMT具有高增益、优异的功率特性、低噪声的特点[15 – 17]。采用GaAs pHEMT工艺可以实现低噪声、更高输出功率的PLL，但基于GaAs pHEMT工艺的电路在实现更高频率的同时引入了较大的功耗，而基于GaAs pHEMT工艺的CPPLL设计存在诸多困难。另外，CPPLL的设计需要在相位噪声、功耗、面积、工艺等性能问题上做出妥协。因此，本文提出了一种基于0.15μm GaAs的改进结构CPPLL。
