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World File Search System等离子体
旋转等离子体中的天然热离子模式
核融合设备旨在通过将等离子体加热到非常高的温度，通常是在数十千分kev的范围内实现点火。这些温度下的热量损失是融合效率效率的重要来源。但是，融合横截面仅取决于燃料离子的温度。同时，通过辐射或热传输会导致热电子损失，但不会产生融合功率。此外，磁性配置设备对捕获血浆的容量通常受到总等离子体的限制。因此，高温电子占据了该压力极限的很大份额，而无需产生任何额外的融合能力。因此，可以通过实现“热离子模式”来改善融合装置的性能，在该模式下，在该模式下，离子在高温下比电子高[1，2]。但是，获得热离子模式是一个重要的技术挑战。融合产生的高能离子优先碰撞地损失了它们的能量，而不是燃料离子。如果没有采取任何其他策略来加热离子种群，则电子将至少与燃料离子一样热，即使不是热。如果外部加热源针对离子种群，则可以产生热模式。这些来源可能是中性梁或RF波。在所有这些情况下，热离子模式需要明显的干预才能改变功率平衡，以便将能量引向燃料离子。本文将提出另一种可能性：a在反应器中达到热模式，但是，主要的加热必然是通过融合反应，需要某种形式的α通道，其中融合副产物的能量被引导到波浪中（避免对电子的碰撞加热），并将其引入其燃料中的燃料中的燃料中的燃料[3-111]。在任何这些情况下，如果降低电子能量的能量，则可以增加温度的差异，尽管此策略涉及增加能量损失的范围而言不太可取。
椭圆流在Quark Gluon等离子体中的作用
取决于影响参数碰撞的大小为两种类型。这些是具有较小的影响参数的“中心”碰撞，具有较大影响参数的“外围”或“非中心碰撞”。当两个核碰撞并随后膨胀时，考虑了三种类型的横向流：径向横向流，定向流和椭圆流。径向横向流动以进行方位角的各向同性中心碰撞和非中央碰撞，各向异性流动，即允许定向和椭圆流。一个称为反应平面的平面，可以确定以描述那些不是各向同性方位角的事件，并且相对于该平面，计算了针对定向和椭圆流的颗粒各向异性。可以根据傅立叶膨胀来计算颗粒相对于该平面的方位角分布，而第一个谐波的幅度可以得出在Bevalac 10中发现的定向流。
等离子体诱导充电效果的宽范围检测器...
近年来，半导体过程技术的演变继续缩小大型集成电路中的临界维度[1-3]。高级芬费逻辑过程已经变得更加复杂，可以在多功能和更强大的SI芯片中实现更紧密的晶体管。反应性离子蚀刻步骤通过等离子体增强[4-5]在高级纳米级过程中不可避免地实现高纵横比结构，这对于高包装密度电路至关重要[6]。对于超过45nm的CMOS技术节点，晶体管门从带有二氧化硅的常规聚硅门变为高K金属栅极堆栈[7-8]。这种变化不仅使设备更容易受到血浆诱导的损害的影响，而且可能导致对高K介电层的潜在潜在损害[9]。在最先进的FinFET制造过程中，不可避免地会产生较高的等离子诱导充电事件的RF等离子体步骤，例如蚀刻，沉积和清洁过程，这会产生较高的频率[10]。可能会在金属结构上进行正充电和负电荷。随着这些电荷经过预先存在的金属线和触点制成的导电路径，通过电路的脆弱部分进行了不良放电，尤其是通过晶体管栅极介电介电出现可能会带来重大的可靠性问题。例如，在干燥的蚀刻步骤中，散射在反应表面上撞击离子和溅射材料会导致散装鳍中更多的缺陷[11-12]。为了避免等离子充电事件导致电路不可逆转的损害，给出了限制金属结构尺寸的设计规则。减轻PID的另一个例子包括使用保护二极管，这可能会使血浆充电电流从敏感电路中移开[13]。引入原位蒸汽产生（ISSG）氧化门报道，据报道提高其对血浆损伤的耐受性[14]。此外，还发现修剪腔室和修饰PECVD-TI沉积过程可减轻血浆诱导的损伤[15]。这些方法中的大多数会导致电路设计灵活性或处理权衡的不良限制。
引导的等离子体喷气机，直接在湿表面上
摘要大气压力等离子体射流（APPJS）用于治疗表面（无机，有机和液体）的最佳用途取决于能够控制等离子体生成的反应物种流向表面的流动。典型的APPJ是一种稀有的气体混合物（RGM），该混合物（RGM）流过施加电压的管，产生RGM等离子体羽流，可延伸到环境空气中。由于电离波（IW）需要较高的电场才能传播到空气中，因此RGM等离子体羽流由周围的空气罩引导。将环境空气与RGM等离子体羽流的混合确定活性氧和氮种（RONS）的产生。AppJ通常是垂直于被处理的表面的定向。然而，由于AppJ传播性能的变化和所得的气体动力学，APPJ相对于表面的角度可能是控制反应性物种到表面的一种方法。在本文中，我们讨论了针对两个点的计算和实验研究的结果 - 具有或不具有指导气体罩的Appj中的IWS作为AppJ相对于表面的APPJ角度的函数；并使用该角度控制薄水层的血浆激活。我们发现，从等离子体管中传播到同一气体环境中的APPJ缺乏裹尸布引导的喷气机的任何方向性特性，并且随着等离子管的角度的变化，很大程度上遵循电场线。引导的Appjs随着角度的变化而同轴繁殖，并垂直向表面垂直转动，仅在表面上方只有几毫米。APPJ的角度产生不同的气体动态分布，从而可以对转移到薄水层的RON的含量进行一定程度的控制。
litmas RPS- rempte等离子体来源 - 高级能量
Litmas RPS的尺寸紧凑，可以轻松安装并无缝集成到您的新过程中。小型产品占地面积和独特的出口法兰设计，可以刷新或远程安装，最大化您的室设计灵活性。它缺乏外部空气交换，可以将Litmas RPS安装在非通风的围栏中，并使其非常适合在超级清洁的半导体环境以及具有挑战性的工业环境中运行。这些品质与广泛的运营范围相结合，可以大大降低温室气体排放，同时保持公用事业的使用和运营成本较低。
在紫金（AuAl2）中发射低能表面等离子体
摘要：通过在薄 AuAl 2 膜中发射表面等离子体 (SP)，我们确认金属间化合物 AuAl 2 的异常紫色是由等离子体引起的。我们测量了 SP 色散关系，还使用标准 SP 共振传感技术使用这些薄膜测量了蔗糖溶液的折射率。我们发现平面 AuAl 2 中的 SP 能量约为 2.1 eV，比金低约 0.4 eV，并且该材料具有很强的抗氧化性。这与之前报道的 AuAl 2 介电函数测量结果接近。在此基础上，我们预测 AuAl 2 纳米粒子将具有非常强的、光谱几乎均匀的光吸收率，比标准炭黑高出大约一个数量级。因此，此类粒子可能在光热疗法或太阳能蒸汽生成或等离子体催化等领域中用作遮蔽剂或替代更复杂的吸光金结构。
体积主导的强激光-等离子体相互作用模式
摘要 激光能量与电子的耦合是强激光-等离子体相互作用中几乎所有主题的基础，包括激光驱动的粒子和辐射产生、相对论光学、惯性约束聚变和实验室天体物理学。我们报告了对箔靶总能量吸收的测量结果，这些箔靶厚度范围从 20 μ m（对于该厚度，靶保持不透明且表面相互作用占主导地位）到 40 nm（对于该厚度，膨胀可实现相对论诱导的透明性和体积相互作用）。我们测量到，在最佳厚度 ∼ 380 nm 处，总峰值吸收率为 ∼ 80%。对于较薄的靶，虽然总吸收率会降低，但逃离靶的高能电子数量会增加。2D 粒子模拟表明，这是由于强激光脉冲在靶体积内传播时，电子被直接激光加速所致。结果表明，总能量与电子的耦合和有效加速到更高能量之间存在权衡。
利用螺旋等离子体开发直流加速器离子源
由于连续功率 (cw)、大电流加速器在各种应用中都是必需的，例如散裂中子源和加速器驱动的嬗变技术[1]，因此稳定、高密度等离子体源作为离子源变得越来越重要。开发能够以大电流、低发射率束流连续工作的离子源对这些高强度加速器来说是一个巨大的挑战。最近，通过满足这些要求，已经为大电流加速器开发了使用电子回旋共振 (ECR) 的微波离子源[2]。然而，这种源需要相对较强的磁场，这可能会增加发射率、尺寸和成本，以便为未来的应用开发更高电流密度和更大束流的源。螺旋模式产生了稳定的高密度等离子体，主要用于微电子等离子体处理[3]。注意到螺旋波可以在低频、低场、高密度范围内传播，螺旋等离子体源被提议作为连续波大电流、低发射率加速器的离子源[4]。为了证实螺旋等离子体的这些优良特性，构建了一个紧凑的高密度螺旋等离子体源，并研究了其特性。第二部分描述了螺旋等离子体源的实验装置和等离子体的特性。第三部分研究了螺旋等离子体的束流提取特性。通过实验和模拟，研究了在低于 5 kV 的低提取电压下，采用简单提取几何结构的束流特性。最后一节给出了结论。还提出了一种使用螺旋波的新型强流离子源设计。
光束产生的三维螺旋旋转等离子体结构
使用三维粒子模拟研究了束流产生的部分磁化 E × B 等离子体中出现的方位结构。在低压下发现了两种不同的不稳定性状态。当气压足够高时，由于低杂化不稳定性的发展，实现了准中性，并形成了 2D 螺旋臂结构，从而增强了横向场传输。在较低压力下，由于以下原因，无法实现准中性，并形成 3D 螺旋旋转等离子体结构